硅衬底CMP粗抛液（SIPOL-180X系列）再升级- 大数跨境

博来纳润

2025-06-20

导读：产品线覆盖6寸、8寸、12寸硅片的抛光需求，产品具备优异的去除速率、循环稳定性、储存稳定性和抛光后低金属离子残留等优势。

在数字经济蓬勃发展、全球科技竞争日趋激烈的当下，集成电路（IC）是推动国民经济和社会信息化发展最主要的高新技术，也是改造和提升传统产业的核心技术。全球90%以上IC制造所采用的半导体衬底材料是硅片，高质量的硅衬底是芯片制造和发展的基础。硅衬底需要极高的平整度、极低的表面粗糙度，还对表面缺陷和金属离子残留有很高的要求。化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够实现全局纳米级平坦化的技术，其中抛光液是CMP工艺中的关键耗材之一。如何平衡高表面平整度、高去除速率、稳定的循环性能是目前抛光液开发面临的难题。

“如何使抛光液在保证表面质量的同时，兼具较高的去除速率、稳定的循环性能、极低的金属离子残留？”，这一直是博来纳润研发团队在研发硅衬底抛光液产品持续钻研的方向。

经过博来纳润研发团队不懈的努力与持续升级，硅衬底粗抛液SIPOL-1801、SIPOL-1802、SIPOL-1803、SIPOL-1804、SIPOL-1805正式问世，该产品线覆盖6寸、8寸、12寸硅片的抛光需求，产品具备优异的去除速率、循环稳定性、储存稳定性和抛光后低金属离子残留等优势；并且抛光液中最重要的成分——硅溶胶研磨颗粒，全部使用自产硅溶胶，既能保障供应链的安全性，又能使产品在市场推广中具备成本优势。

那么，此次推出的硅衬底粗抛液SIPOL-1801、SIPOL-1802、SIPOL-1803、SIPOL-1804、SIPOL-1805具备哪些性能优势，以及在硅片抛光中表现如何呢？请大家跟随小润，一起来了解一下~

表1 硅衬底粗抛液SIPOL-1801、SIPOL-1802、SIPOL-1803、SIPOL-1804、SIPOL-1805的物性参数及性能特点

SIPOL-1801 高去除率粗抛液

图1 SIPOL-1801的使用参数（a）及其抛光表现与美国竞品的对比；（b）去除速率对比；（c）10小时循环去除速率对比；（d）总厚度偏差、总指示读数、局部总指示读数、去除速率对比。

在图示参数条件下，SIPOL-1801的去除速率达到861nm/min，较美国竞品（829nm/min）有较大提升。2kg抛光液循环10个小时，中途只补水和调整pH的情况下，SIPOL-1801相较竞品速率提升4%以上，且SIPOL-1801的循环寿命更加稳定。客户验证几何参数总体优于美国竞品，抛光后硅片表面金属离子残留和竞品相当。此外，SIPOL-1801使用的是自制硅溶胶，因此与美国进口产品相比有更高的性价比。

SIPOL-1803 高性价比粗抛液

图2 SIPOL-1803的使用参数（a）及其抛光表现与美国竞品的对比：（b）去除速率对比；（c）3小时循环去除速率对比；（d）3小时循环pH对比。

在图示参数条件下，SIPOL-1803的材料去除率为516nm/min，相较美国竞品（475nm/min）有较大提升。3kg抛光液循环抛光3个小时，中途不加液也不调整pH的情况下，SIPOL-1803相对于美国竞品，速率提升8%以上，同时pH变化范围更小，更加稳定，且在循环过程中抛光垫和循环液不易发黄。SIPOL-1803同样使用自制硅溶胶，与美国进口产品相比有更高的性价比。

SIPOL-1805 大硅片粗抛液

图3 SIPOL-1805的使用参数（a）及其抛光表现与美国竞品的对比：（b）去除速率对比；（c）3小时循环去除速率、pH对比；（d）粗糙度对比。

针对大硅片抛光，在不同稀释比条件下，SIPOL-1805对轻掺和重掺硅片的去除速率均可对标竞品；抛光循环3个小时，中途不加液和调整pH的情况下，SIPOL-1805的循环速率略高于竞品，且更加稳定，pH值的变化趋势和竞品接近；同样的抛光和清洗条件下，SIPOL-1805的粗糙度和竞品相当。

以上即是对我司新推出的硅衬底CMP粗抛液SIPOL-1801、SIPOL-1802、SIPOL-1803、SIPOL-1804和SIPOL-1805的相关介绍，欢迎您随时垂询小润，小润将就产品及测试条件等相关问题为您一一解答。另外，我们还可以根据客户不同工艺需求提供定制化服务，同时可为客户的CMP工艺提供专业化技术诊断和支持。欢迎对硅衬底CMP粗抛液有需求的伙伴进行洽谈合作，请call小润：13816883413。