碳化硅衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接会影响外延薄膜的质量以及器件的性能，所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑，无缺陷，无损伤，表面粗糙度在nm级以下，但碳化硅晶体具有高硬度，高脆性，耐磨性好，化学稳定性好等特点，这又使得碳化硅晶片的CMP工艺具有一定的工艺难度，各个碳化硅衬底制造企业其CMP生产工艺的路径不尽相同，其中：CMP工艺段的划分、子阶段的工艺标准、各个子阶段的耗材选择甚至大相径庭。但整个行业都一致地朝向“更好、更省、更快”的目标不断探索，如果只通过一道工艺条件即可实现碳化硅衬底CMP工艺参数指标，将会大大降低碳化硅衬底的制造成本并获得生产效率的大幅提升。

经过我司半年多时间的专项研发和近十年来CMP工艺的持续技术积累之下的验证测试，正式推出博来纳润PUN-50D碳化硅衬底CMP抛光垫。该产品具有较高去除速率且划伤率较低，在高锰酸钾强氧化作用下仍能持久抛光的聚氨酯抛光垫，该款抛光垫在实验端和客户端成功验证了其优异的抛光表现，尤其是在不区分粗抛、精抛等子工艺段，直接合并为一步抛光的客户测试反馈良好。

PUN-50D的表面大泡孔较少，内里分布着均匀细密的微孔，这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用，有利于提高抛光均匀性和抛光效率，同时PUN-50D由抛光层和缓冲层构成，具有使用寿命长、抛光效率高等优势，改善了CMP抛光垫易釉化的缺陷。