在第三代半导体材料加速发展的今天，碳化硅（SiC）作为高温、高频、高功率器件的理想衬底，其加工品质直接影响器件性能。相比一代硅衬底，碳化硅分为C面和Si面两面，是晶体沿c轴不同方向切割形成的，二者在原子结构、物理特性、电学性能及工艺适配性方面均有明显差异，对化学机械抛光（CMP）提出了不同的要求。
在CMP工艺中，相同抛光条件下，C面抛光速率是Si面的3倍以上，但C面的表面质量难以兼顾，出现表面粗糙度较高、极易产生划伤等问题。许多碳化硅衬底企业在籽晶抛光、外延片C面减薄过程中，倾向于选用氧化铈、氧化硅等较软磨粒的抛光液来兼顾表面质量。我司此前推出的无纺布抛光垫NWS-85，主要针对碳化硅衬底的双面粗抛工序，虽在与氧化铝抛光液搭配抛光过程中表现良好，但与氧化铈、氧化硅体系的抛光液适配性不高，且该款垫子的硬度设计时更多地是考虑抛去除效率难题，更适用于碳化硅Si面的抛光。因此，考虑到C面表面质量工艺控制差异，在用于实现C面加工的抛光垫选配上，我们认为应存在更优解。
为解决这一行业痛点，博来纳润成功开发出一款针对碳化硅衬底C面抛光的无纺布抛光垫NWS-67，该产品通过优化产品的硬度与孔隙结构，使其更适配C面的加工。
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物性对比，更护工件表面
NWS-67、NWS-85的厚度、密度、压缩率、压缩弹性率、硬度等指标对比如下：
表1 NWS-67与NWS-85的物性指标对比
表1是NWS-67与NWS-85抛光垫的的物性指标对比，NWS-67的硬度相比NWS-85减小了16°，可以显著降低抛光时对工件表面的机械损伤，提升表面质量，更适合于碳化硅C面抛光。
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耐氧化测试，表现优异
图1 NWS-67、NWS-85、SUB*8**的耐氧化测试数据
从图1 三款垫子的耐氧化测试数据来看，NWS-67虽稍逊于NWS-85，但二者都远优于竞品SUB*8**，显示出了良好的使用寿命潜力。
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涵养量优，适配性广
图2 NWS-67与NWS-85的涵养量对比
图2是两款垫子涵养量的测试方法和数据对比，NWS-67采用特殊的固化工艺，增加纤维内部的孔隙率，对抛光液的存储能力更胜NWS-85一筹，与不同体系尤其是氧化硅体系的抛光液的适配性得到提升。
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抛光效果稳定，表面质量佳
图3 NWS-67抛光数据：（a）抛光工艺参数；（b）COPOL-134、COPOL-236的去除速率；（c）COPOL-134的粗糙度；（d）COPOL-236的粗糙度
图3是NWS-67搭配氧化硅体系抛光液COPOL-134和氧化铝体系抛光液COPOL-236的去除速率和表面粗糙度数据，可以看出，NWS-67在连续4小时不补液的条件下仍保持稳定的去除率，抛光后的表面粗糙度稳定在0.1 nm左右，满足碳化硅衬底C面对高表面质量的要求。
目前，这款 NWS-67 抛光垫已经在部分客户处形成小批量销售，收获了不少好评。如果您在碳化硅衬底或外延C面抛光方面有升级的需求，不妨试试这款NWS-67无纺布抛光垫，相信它会为您的加工带来更好的体验。
未来，我们将持续深耕第三代半导体衬底材料加工领域，不断推进抛光材料与先进工艺的融合创新，助力中国半导体产业高质量发展。
以上即是对我司的碳化硅无纺布抛光垫NWS-67的相关介绍，欢迎您随时垂询小润，小润将就产品及测试条件等相关问题为您一一解答。另外，我们还可以根据客户不同工艺需求提供定制化服务，同时可为客户的CMP工艺提供专业化技术诊断和支持。欢迎对碳化硅衬底抛光垫有需求的伙伴进行洽谈合作，请call小润：13816883413。
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