一年前，博来纳润研发团队基于单晶碳化硅高硬度、高脆性、化学稳定强等特点开发出了一款神秘磨料抛光液COPOL-431。该产品适用于单片机，可实现产品一步抛光。经过多家客户的实测，我们收获了“去除速率快”、“循环使用寿命长”等优异表现的客户反馈。

随着碳化硅衬底尺寸不断增大，“如何帮助客户实现更高的加工效率？”“如何在高效去除速率实现的过程中保证优异的表面效果？”“如何让COPOL-431这款神秘磨料的抛光液更优秀？”这些思考一直萦绕在工程师的脑子里。经过一年的持续优化和测试，博来纳润在COPOL-431的升级款COPOL-432正式问世。该产品具备优异的悬浮性、流动性、抛光后易清洗等特点，将该产品应用在单片抛光机上可大幅提高碳化硅衬底加工效率，去除速率可达6 μm/h以上，抛光后产品表面质量尤为突出，Si面Ra＜0.1 nm。

COPOL-432在单片抛光机上抛光参数如下：

将COPOL-431和COPOL-432产品调节pH=2.7直接使用时，COPOL-432的Si面平均去除速率可达到6.13μm/h，相较于COPOL-431在Si面的去除速率提升了26%；C面的去除速率与COPOL-431相当，均为18μm/h左右。

表面粗糙度控制在良好水平，Si面Ra＜0.1 nm，C面Ra＜0.2 nm。

COPOL-432在36B抛光机上的使用参数及相关抛光表现如下：

COPOL-432在36B抛光机上当pH=2.7直接使用时，Si面平均去除速率可达到2.7 μm/h。

相较于COPOL-431在Si面去除速率1.8 μm/h，速率提升50%，C面的去除速率可达到10.4 μm/h。