还能对碳化硅CMP用氧化铝碱性粗抛液提出哪些效率要求？COPOL-233来一一解答- 大数跨境

还能对碳化硅CMP用氧化铝碱性粗抛液提出哪些效率要求？COPOL-233来一一解答

博来纳润

2025-04-23

导读：使用200nm-250nm的氧化铝研磨粒子，具有优异的去除速率，可获得低表面粗糙度、高表面质量的碳化硅晶圆，极大提高CMP效率。

在半导体材料的激烈竞争赛道上，碳化硅单晶犹如一颗璀璨的明珠，它作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等优点，是新能源汽车、光伏和5G通讯等领域炙手可热的战略性半导体材料，也是光波导的重要材料，其发展最快、国际竞争激烈。

如今，随着碳化硅的应用和发展逐步广泛和深入，其加工精度要求也日益增长。然而，难题也随之而来：碳化硅具有很高的化学惰性和热稳定性，使得衬底表面平坦化的加工效率、去除速率低；同时，碳化硅作为典型的脆硬性材料，在平坦化加工过程中存在易产生微裂纹，表面划痕、亚表面损伤缺陷增多等问题。

在碳化硅抛光液领域，国外品牌在市场上占据显著优势。目前市面上的外资品牌氧化铝抛光液主要有DSC-2**、Ferr*等系列产品，抛光后表面良率较好，但价格较高、平均速率偏低，性价比堪忧，不利于降本增效。

我司碳化硅用氧化铝碱性粗抛液产品COPOL-233是研发团队针对碳化硅CMP难题及氧化铝抛光液痛点，经过反复实验验证、多次配方调整与工艺优化而开发出的一款产品。请大家跟随小润的介绍，一起来看一下这款产品具有哪些优异的性能参数~

我司的碱性抛光液COPOL-233使用200nm-250nm的氧化铝研磨粒子，具有优异的去除速率，可获得低表面粗糙度、高表面质量的碳化硅晶圆，极大提高CMP效率。其使用的氧化铝研磨粒子，粒度分布窄、分散性和均一性好，在CMP过程中不易团聚，从而有效减少表面损伤。COPOL-233物性参数如下：

表1 COPOL-233的物性参数

COPOL-233的使用参数及单面抛光表现如下：

表2 COPOL-233的使用参数

图1 COPOL-233 Si面和C面的抛光速率（RR）和粗糙度（Ra）（左）；COPOL-233与Ferr*氧化铝抛光液的Si面速率对比（RR）（右）

COPOL-233在上述工艺条件下，Si面平均去除速率可达到1.2μm/h，C面的去除速率可达到3.6μm/h。抛光后Si面的粗糙度在0.14nm左右，C面的粗糙度在0.15nm左右，抛光过程不易造成表面划伤、良品率高，具有更好的表面质量。同时该款产品具有优异的抛光寿命，在连续5个小时的循环抛光后，速率仍然维持在1.1μm/h。与市场上常用氧化铝抛光液Ferr*SN125**以及Ferr*SN135**相比较，COPOL-233兼具更优异的抛光速率和循环稳定性。