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日前，2014年度龙岩市专利奖评审结果揭晓，共评出一等奖2个，二等奖8个，三等奖15个。我司选送的“一种用于生长厚膜GaN材料图形化模版的制备方法”专利获得二等奖。这是我司继“冷阴极灯管全自动弯管机”专利获2013年度龙岩市专利奖二等奖以来，又一项发明专利获得市级奖励。
GaN 基蓝色和紫外发光二极管及激光器等光电器件具有广阔的应用前景，但由于很难获得高质量及成本合理的GaN 衬底，现在许多GaN 基光电器件是异质外延生长在蓝宝石等异质衬底上，进而影响器件的性能。因此，制备GaN 同质衬底是进一步发展GaN 基器件的关键。而如何在提高GaN 外延材料质量的同时又能够很容易实现GaN 膜与衬底之间的剥离是获取GaN 同质衬底的关键。“一种用于生长厚膜GaN材料图形化模版的制备方法”技术可有效解决这个关键性问题，充分利用Si 衬底尺寸大的优势，实现大尺寸GaN 同质衬底的制备，以适合于工业化生产。