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Dual Cool™ 封装

Dual Cool™ 封装 Fairchild仙童
2015-09-30
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导读:Dual Cool™ 封装由于功率模块、通信和服务器之类的 DC-DC 应用越来越受空间的限制,设计人员也在
Dual Cool™ 封装

由于功率模块、通信和服务器之类的 DC-DC 应用越来越受空间的限制,设计人员也在寻找更小的器件来应对其设计挑战。 飞兆针对 MOSFET 开发了 Dual Cool™ 封装,以满足更好的散热特性、高电流能力、高效率和更小外形的需求。
Dual Cool 封装是采用新型封装技术的顶部冷却 PQFN 器件,可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。在配合散热片使用时,与标准 PQFN 封装相比,可将功率耗散能力提高 60% 以上。
Fairchild Dual Cool™ 封装技术的关键特性
1. 更佳的功耗散热,提升度超过 60%
2. 针对 DC-DC 应用,具有最高的功率密度
3. 更低的工作温度,稳定性更佳
4. 提供 Dual Cool 88 (8 x 8 mm)、Dual Cool 56 (5 x 6 mm) 和 Dual Cool 33 (3.3 x 3.3 mm) 封装选项
主要优势
1. 针对 DC-DC 应用,具有最高的功率密度
2. 带或不带散热片使用时,在 AVL 中可减少器件数量
无交叉许可要求的多个供应商
3. 符合行业标准的 PQFN 封装可让电源工程师迅速将 Dual Cool 封装 MOSFET 成为合格产品
应用
1. 直流同步降压转换
2. 台式机、笔记本电脑和服务器
3. 电机驱动
4. 电信、路由和交换机

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