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MOSFET Fairchild仙童
2016-05-18
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导读：创新历史和 MOSFET 技术的领导地位；为何选择 Fairchild FET
创新历史和 MOSFET 技术的领导地位

Fairchild 于 1990 年代发明了沟道 MOSFET。 自那时起，我们就不断完善 MOSFET 技术和生产，针对任何应用开发了成千上万的大量产品组合。 Fairchild 的 MOSFET 提供业界最佳的性能，高品质因数、以及引脚到引脚的兼容性，方便使用。 由于我们提供高质量和高可靠性、设计支持以及一致可用性，设计人员持续选择我们的 MOSFET。

低电压 < 30 V 
Fairchild 提供大量低电压 N-沟道和 P-沟道 MOSFET，可用于各种应用包括 DC/DC 转换、热交换和负载开关。
查看完整的低电压产品组合，请点击“阅读原文”

中电压 30 V – 250 V 
Fairchild 的中电压 MOSFET 提供低开关节点振铃，采用屏蔽栅极技术由先进的沟道工艺支持。 
查看完整的中电压产品组合，请点击“阅读原文”

高电压 > 250 V 至 1700 V 
Fairchild 的平面型、沟道和超级结高电压 MOSFET 设计实现高效率和高耐用性。 
查看完整的高电压产品组合，请点击“阅读原文”


部件 ID


BVdss (V)

10 V 时的 RDSon (mΩ)

封 装

低电压



FDMS7556S
25 V
1.2 mΩ
Power 56
FDMS8050ET30
30 V
0.65 mΩ
Power 56
FDMS7650
30 V
0.99 mΩ
Power 56
FDMC8010
30 V
1.3 mΩ
Power 33
FDMS7656AS
30 V
1.8 mΩ
Power 56
下载数据表，获取样品，请点击“阅读原文”
中电压



FDMS8350L
40 V
0.65 mΩ
Power 56
FDMS86500L
60 V
2.5 mΩ 
Power 56
FDMS86101
100 V
8 mΩ
Power 56
FDP075N15A_F102
150 V
7.5 mΩ
TO-220 3L
FDMS86200
150 V
18 mΩ
Power 56
下载数据表，获取样品，请点击“阅读原文”
高电压



FCH041N60F
600 V
41 mΩ
TO-247 3L
FCPF400N60
600 V
600 mΩ
TO-220F 3L
FCH072N60F
600 V
72 mΩ
TO-247 3L
FCH47N60F_F133
600 V
73 mΩ
TO-247 3L
FCPF1300N80Z
800 V
400 mΩ
TO-220F 3L
为何选择 Fairchild FET

   ●
电源供电解决方案是 Fairchild 核心业务的一部分，五十多年来我们持续提供领先的功率半导体。
   ●
MOSFET 和栅极驱动 IP 相结合构建了针对应用而优化的解决方案，在整个系统中最小化转换和传导损耗。
   ●
能够混合和匹配MOSFET，控制器和PWM驱动器IP具有高级处理和封装功能以提供优化的组件选择。
   ●
我们的MOSFET提供出色的设计可靠性，减少电压尖峰和过冲，降低结电容和反向恢复电荷，消除额外的外部组件以保持系统不变和更长久运行。
点击“阅读原文”，获取更多详细信息
【声明】内容源于网络
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