做芯片FA（失效分析）的工程师都知道产品良率低下这一情况，甚至还会因不知的defect导致整个产线停线，这说明FA的效率是极为重要的。所以分析设备及手法的选择显得尤为重要，在FA的过程中我们要开拓思路，尽量尝试多种检测方法来寻找线索。
有句话说的好：“给我一个杠杆，我就能撬起整个地球。”在某些特殊的FA案件当中，C-AFM着实可以起到杠杆之力的作用，它可以是整个案件的最佳突破口和有力撬动点。
下文分享一个应用场景给大家。
1. 您用热点法（EMMI/OBIRCH/THERMAL）抓到了热点，经过表面去层直到CT，观测OM/SEM是否无法找到物性失效点呢？
EFA热点图
2. 您进而蠢蠢欲动是否想通过Nano-probing定位失效位置，但仔细一看热点区域范围大到300um*150um(有上千个device），若用Nano-probing技术来寻找失效具体位置，从经费及时效上来讲绝对没有任何性价比，此时就硬着头皮乱枪打鸟式做切片，但仍然没有看到异常的？
热点位置范围(300um*150um)局部示意版图
这个时候就是C-AFM发挥它优势的时候了：
1. 就目前通过电性电流图大范围快速检测筛查结漏电或高阻的方法中，最具性价比的方法是C-AFM；
2. C-AFM检测电流图每屏上限可以扫描90um*90um的面积范围，当然根据device的大小，扫描范围太大具体细节会看不清楚，故而适当选择范围出图；如上述示意300um*150um的范围，SEM又看不出VC异常，C-AFM 2小时左右即可做完筛查检测，若用Nanoprober则需要量测几天时间；---此前我们的客户有遇到热点大范围的FA案件，他们拜托给多家检测单位处理较长时间也未能最终找到精准失效点，后来我们就用C-AFM检测电流图法帮助客户快速定位到Gate CT leakage问题，进而针对锁定的位置做进一步物性分析，很快便找到了失效的根因。
C-AFM是介于SEM及Nano-probing之间的一种高效分析方法，在特定的失效分析案中起着重要的角色作用，欢迎有相关需求的失效工程师们咨询与使用。
—END—