Fairchild 是 1990 年代最早生产沟道 MOSFET 的先驱者。 自那时起，我们一直完善 MOSFET 技术和生产，针对任何应用开发了成千上万的大量产品组合。 Fairchild 的 PowerTrench ® MOSFET 提供业界最佳的性能，更优的品质因数，以及引脚到引脚的兼容性，便于使用。 由于我们提供高质量和高可靠性、设计支持和一致可用性，设计人员持续选择我们的 MOSFET。
我们最新的 100 V PowerTrench ® MOSFET 提供电压级极低的 RDSon 和 Qrr，以及极快的反向恢复，并支持更高的系统效率。 屏蔽栅极结构提供电荷平衡，通过最小化同步整流中的不良电压尖峰，软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代具有更高额定电压的 MOSFET。 Fairchild PowerTrench MOSFET 允许设计人员显著提高同步整流应用中的系统效率和功率密度。
这些 MOSFET 是 Fairchild 全面的 MOSFET 产品组合的一部分，为设计人员提供了广泛的击穿电压（-500 V 至 1000 V）、最先进的封装和业内领先的 FOM，在需要电能转换的应用中实现高效的电源管理。
PowerTrench® MOSFET 产品选 择
PowerTrench® MOSFET/肖特基组合
FDMS88181 100 V 4.2 mΩ Power 56
<中压 MOSFET 技术产品概述>
<Dual Cool 封装 PowerTrench MOSFET 产品概述>
Fairchild仙童