科锐（Nasdaq: CREE）在以SiC为代表的第三代宽禁带半导体材料领域又有新进展，继续拓展其在电力电子领域应用，以满足当前及未来科学技术进步和经济社会发展的需求。科锐于近日宣布推出全SiC 300A/1.2KV半桥式功率模块，在额定兆瓦级功率转换系统中突破性价比屏障。这一新型模块采用业界标准62mm封装，在开关过程中能够比同等Si基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全SiC高功率转换器首次达到兆瓦级水平，继续扩展科锐在高电流功率模块中采用SiC芯片技术的领先地位。科锐SiC技术继续帮助实现更小尺寸、更轻重量、更高效率、更低成本的功率系统。
科锐新型全SiC 300A/1.2KV半桥式功率模块
EFD Induction公司研发经理John K. Langelid表示：“科锐新型全SiC功率模块卓越的特性使得我们能够在现有高频感应加热系统中实现99%效率并且功率模块数量减少2.5倍。这些优势带来了重要的价值，帮助我们的终端客户减少购置成本。”
科锐新型全SiC 62mm半桥式模块拥有能够改变游戏规则的开关效率和性能，使得设计者能够减少磁性元件和冷却元件的使用数量，所获得的不仅是两倍以上的功率密度，还有更低的系统成本，从而帮助终端用户降低购置成本。新型模块适用于设计简单且可以工作在更高频率的两电平拓扑，而不必再为基于Si的复杂的多电平解决方案买单。
科锐最新SiC功率模块可提供多种栅极驱动选项，并且与标准62mm半桥模块实现管脚兼容，其中包括额定450A甚至更大电流的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块。这将使得设计者可以快速且简易地评估这一模块的优异性能。
科锐SiC功率模块与直接安装式栅极驱动器
科锐功率与射频事业部总经理兼副总裁Cengiz Balkas表示：“这一新型62mm半桥式功率模块再次体现了科锐致力于推动SiC基电力电子商业化的努力。由于我们在大面积SiC功率器件领域的成功，我们目前已经为感应加热、中央太阳能逆变器和主动前端马达驱动器等100千瓦到1兆瓦功率范围的应用带来SiC功率模块的多重特性优势。科锐新型功率模块的推出，突破了性价比的平衡点，从而能够为这些应用带来立竿见影的成本节约。”
背景信息：
2014年1月，美国政府正式宣布全力支持以SiC为代表的第三代宽禁带半导体，在美国北卡罗来纳州建立一个由18家企业和6所大学共同组成的产业联盟，旨在引领针对下一代电力电子的制造业创新。在未来的五年里，通过使以SiC为代表的第三代宽禁带半导体技术拥有当前Si基电力电子技术的成本竞争力，实现下一代节能高效大功率电力电子芯片和器件，从而引领包括消费类电子、工业设备、通讯、清洁能源等在内的多个全球最大规模、最快增长速度的产业市场，全面提升国际竞争力并创造高薪就业机会。
在上个世纪，Si半导体改变了计算机、通讯和能源产业，为消费者和企业带来了越来越强大的装置设备，这些都曾是难以想象的。但是如今我们已经在某些关键应用领域里逼近Si器件的运用极限。同以Si为基础的技术相比，宽禁带半导体能够在在更高温度和更高电压及频率的环境下正常工作，同时消耗更少的电力、具有更强的持久性和可靠性，并最终前所未有地发挥其性能。以SiC为代表的第三代宽禁带半导体将提供向下一代拥有更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品飞跃的机遇。这些电力电子产品包括个人电子设备、电动汽车、可再生能源联网、工业规模的变速驱动电机、更智能化及更灵活的电网、移动信息大数据时代服务器网络等。
移动信息大数据中心（图片来源：微软位于芝加哥的全球最大数据中心，百度图片）
参考信息：《第三代半导体材料面临的发展机遇与挑战》，南京大学郑有炓院士，第十三届全国MOCVD学术会议
