SRAM表面去层推进式做SCM表征- 大数跨境

掺流科技

2024-09-20

导读：扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。

SRAM表面去层推进式做SCM表征

扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。

SCM是基于接触模式下的测试方法，通过超高频（1GHz）的探头读取针尖-样品之间的微分电容dC/dV，同时，通过反馈电路调整输出信号dV，确保输出的信号维持在一个稳定的dC/dV设定值。因此，SCM是高频电容Sensor测电容随电压变化情况来反应载流子掺杂浓度和掺杂类型等的。

SCM分析手法：在芯片工艺前段失效分析、设计改进掺杂剂分布、逆向工程及产线监控中具有重要的作用。其利用高空间分辨率对半导体器件进行电学表征，鉴于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米特征量测，是表征半导体器件的有力方法。

半导体失效分析及数据收集中，常用的方法为截面制备扫描，今天我们尝试用SRAM样品，表面去层推进式做SCM表征，详见如下：

1. SRAM表面去层到Poly-1

图1-1 SRAM 去层到Poly-1 SEM图

图1-2 SRAM 去层到Poly-1 SCM图

2. SRAM表面去层到Poly-2

图2-1 SRAM 去层到Poly-2 SEM图

图2-2 SRAM 去层到Poly-2 SCM图

3. SRAM表面去层到Poly-3

图3-1 SRAM 去层到Poly-3 SEM图

图3-2 SRAM 去层到Poly-3 SCM图

4. SRAM表面去层到Poly-4

图4-1 SRAM 去层到Poly-4 SEM图

图4-2 SRAM 去层到Poly-4 SCM图

5. SRAM表面去层到AA-1

图5-1 SRAM 去层到AA-1 SEM图

图5-2 SRAM 去层到AA-1 SCM图

6. SRAM表面去层到AA-2

图6-1 SRAM 去层到AA-2 SEM图

图6-2 SRAM 去层到AA-2 SCM图

7. SRAM表面去层到AA-3

图7-1 SRAM 去层到AA-3 SEM图

图7-2 SRAM 去层到AA-3 SCM图

本期寄语

如果你从来不尝试挑战自己，你永远不知道自己的潜能有多大！

公司介绍

掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，与此同时，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。

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公司网址：http://www.sharpscan.com.cn/

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掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。

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掺流科技掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。

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