随着微电子技术的迅猛发展，SRAM（静态存储器由）逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。
在生产和设计公司中SRAM的FA（失效分析）是尤为重要的一环，其密度高，更容易产生defect，更适合做monitor；其设计成熟，也容易定位。半导体制造是整体半导体工业链的核心与最大成本的环节，如何改善半导体制造的效率与质量一直都是半导体产业关注的焦点。失效分析是半导体制造希望获得高良率与良好品质所仰赖的基本分析手段。在分析技术的浩瀚海洋中，会使用众多技术，如光学显微术，扫描电子显微术，FIB切片观测、纳米探针测量，C-AFM量测，SCM检测等。
SCM（扫描电容显微术）是观察器件级别载流子分布的最有效最重要技术手段，做失效分析的工程师们相当了解，在失效分析的路上，需要提供全方位的物性失效分析图才能更好的找到失效根源，进而改善缺失来提升良率。
接下来，我们将带领您用SCM全方位探寻SRAM器件不同维度的掺杂世界。具体从表面及截面的X/Y方向来表征。在实际应用中需根据电性分析及推导来选择维度面进行测量表征。
2. 平行于Poly停Poly排SCM表征图
3. 平行于Poly停SB排SCM表征图
4.垂直于Poly停NMOS排SCM表征图
5.垂直于Poly停PMOS排SCM表征图
6. Plan-view SCM表征图
本期寄语：日拱一卒无有尽，功不唐捐终入海。
公司介绍：掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，与此同时，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。
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