SCM平面扫描用法
扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。
SCM是基于接触模式下的测试方法，通过超高频（1GHz)的探头读取针尖-样品之间的微分电容dC/dV，同时，通过反馈电路调整输出信号dV，确保输出的信号维持在一个稳定的dC/dV设定值。因此，SCM通过测量电容变化产生的高频谐振器的调制信号，给出二位载流子的分布。
SCM分析手法：在芯片工艺前段失效分析、设计改进掺杂剂分布、逆向工程及产线监控中具有重要的作用。其利用高空间分辨率对半导体器件进行电学表征，鉴于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米特征量测，是表征半导体器件的有力方法。
SCM平面扫描应用举例
1. 工艺监测：
2、当有些竞品需要大范围掺看载流子掺杂的情况时，如下是15um*15um平面扫描图：
3、可在CT层做物性失效检测：
（Gate-CT高阻等情况可以被检测表征）
本期寄语
驭命运的舵是奋斗
不抱有幻想
不放弃一点机会
不停止一日努力
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