SCM应用案例六
扫描电容显微镜（SCM）提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。
SCM是基于接触模式下的测试方法，通过超高频（1GHz）的探头读取针尖-样品之间的微分电容dC/dV，同时，通过反馈电路调整输出信号dV，确保输出的信号维持在一个稳定的dC/dV设定值。因此，SCM通过测量电容变化产生的高频谐振器的调制信号，给出二位载流子的分布。
SCM分析手法：在芯片工艺前段失效分析、设计改进掺杂剂分布、逆向工程及产线监控中具有重要的作用。其利用高空间分辨率对半导体器件进行电学表征，鉴于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米特征量测，是表征半导体器件的有力方法。
我们常规看到较多的是大功率器件的截面SCM图，如：做失效分析、设计改进掺杂剂分布及产线监控，逆向工程等，显少看到平面SCM图。近来有客户希望更进一步观察FinFET样品大面积平面掺杂，故而我们做了突破，首次挑战14nm FinFET的SCM表征，结果如下，可供大家参阅。
图1：FinFET SRAM区平面TEM图@V0
图2：FinFET SRAM区平面SCM图@AA
图3：FinFET SRAM区平面SCM放大图@AA
图4：FinFET Logic区平面SCM图@AA
图5：FinFET Logic区平面SCM放大图@AA
我们一直在努力将此技术不断提升，为晶圆厂、设计公司及反向工程分析公司提供更多有效的掺杂表征图。
本期寄语
你要永远相信，所有的山穷水尽都隐藏着峰回路转，就算现在的生活过得一地鸡毛，也要搓个鸡毛掸子。
公司介绍
掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，与此同时，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。
如有需求，欢迎垂询掺流科技！
公司网址：http://www.sharpscan.com.cn/
联系邮箱：sales@sharpscan.com.cn
联系人及电话：黄先生/13023282870
1
END
1