开机至今短短几个月时间，掺流科技在制程节点上不断的尝试与探索，正在快速的迎来一个个突破，10月份的40nm定点技术突破以来，目前已经可以很好的表征28nm SRAM截面的掺杂，只要坚持不懈的努力与奋斗，相信成长一直在路上。
扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。SCM是基于接触模式下的测试方法，通过微波射频信号来探测AFM针尖与样品表面的电容变化，进而来探测半导体样品中掺杂浓度和掺杂类型等。当AFM针尖和样品接触时，接触位置变成层金属-氧化物-半导体(MOS)结构。当施加AC交流电压时，该MOS结构的电容变化取决于半导体中多数载流子的浓度。
SCM一幅优质的出图四件套，不仅仅是半导体失效分析的主要证据，还是表征微观世界载流子掺杂的美妙视觉盛宴。然而一幅优质的图片背后是需要大量的知识，实践经验和技术窍门的。比如：样品的制备，氧化层的生长，探针的选择及扫描参数的设定等。当然，专业的事交给专业的人来做，若有幸相遇相逢，掺流定会快速的为您提供最优质的服务品质。
接下来请先欣赏28nm节点的图展，再欣赏Trench Power MOS首秀吧。
此处N-well的掺杂正如同灶台上的锅子般正在烹饪实物呢。
当然多种颜色可供客户选择，比如下图17号彩色显示:
颜色表共计有25种颜色可供选择，大致如下：
掺流科技常规以灰阶色四件套出图供客户参看，不同张的图可以解读您所需要的多方位信息。
公司介绍：掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，与此同时，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。
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