扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。
SCM是基于接触模式下的测试方法，通过超高频（1GHz)的探头读取针尖-样品之间的微分电容dC/dV，同时，通过反馈电路调整输出信号dV，确保输出的信号维持在一个稳定的dC/dV设定值。因此，SCM是高频电容Sensor测电容随电压变化情况来反应载流子掺杂浓度和掺杂类型等的。
在芯片工艺前段失效分析、设计改进掺杂剂分布、逆向工程及产线监控中具有重要的作用。其利用高空间分辨率对半导体器件进行电学表征，鉴于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米特征量测，是表征半导体器件的有力方法。
半导体集成电路失效分析中，器件的离子注入失效问题，当下SCM是二维直观表征的最可靠的手法之一，介于样品制备有一定的难度特别是SRAM比较密集的情况，经过我们工程人员的解析与磨练，目前在SRAM的制备不管是大制程还是小制程都有一定的收获故而能为客户提供更优质的SRAM掺杂图，如下展现一些实验过程的图片供大家了解。
SEM表面图
SEM截面图
SCM图(注：深色表N-type, 亮色表P-type)
结论：制备停靠位置比较靠近PMOS CT末端，故而下面的N-well表征比较差。
SEM表面图
SEM截面图
SCM图(注：深色表N-type, 亮色表P-type)
结论：制备停靠位置在PMOS CT中间，故而整体表征很好。
SEM表面图
SEM截面图
SCM图(注：深色表N-type, 亮色表P-type)
结论：制备停靠位置比较靠近PMOS CT前端，故而下面的N-well及P+表征比较差。
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