扫描电容微变显微镜（SCM）可以作为芯片内在掺杂表征分析的工具。在芯片制造过程中，掺杂载流子是必不可少的一个步骤，它决定了芯片的电学性能和可靠性。通过SCM进行内在掺杂表征分析(等效载流子)，可以了解掺杂的分布、浓度和均匀性等情况，从而评估芯片的性能和质量。
SCM进行内在掺杂表征分析的原理是基于高频LCR Sensor测电 容(C)信号,输入锁相交流电压(V)就可以观察到电容随电压的变化(dC/dV)情况来反应载流子极性及掺杂浓度的。
在SCM的探头下方，由于探头顶端的电容极板与硅片表面之间的电容效应，可以获得硅片表面的电势分布情况。由于掺杂会改变硅片的电导率和电容率，因此通过测量电势分布情况，可以推导出掺杂的分布、浓度和均匀性等信息。
SCM进行内在掺杂表征分析具有高灵敏度、高分辨率和高速度等优点。它可以提供亚微米尺度的掺杂分布信息，并且可以在短时间内对大面积的芯片表面进行扫描和分析。这些优点使得SCM成为一种非常有效的芯片内在掺杂表征分析工具。
需要注意的是，SCM进行内在掺杂表征分析需要结合其他分析方法，如能谱分析（EDS）、深度剖析（Cross-sectioning）等，以提供更全面和准确的信息。
（b）SCM的工作电性特征曲线
公司介绍：掺流科技（上海）有限公司是一家高科技第三方实验室，致力于高端的精流分析和技术研发；专注于器件级别的掺杂/载流子多尺度的结构分析；服务于中国半导体功率器件、IC集成电路产业，与此同时，不断拓展针对第三代半导体工艺分析、结构分析、失效分析等技术服务能力。