SCM的优势

1.可二维表征掺杂浓度的分布，分辨率~10nm，testkey和device均能量测表征；其他检测掺杂质法如SIMS，其获取的是一维信息，无法服务于实际器件，只能在大尺度的testkey量测；

2.相较于SEM染结法看N+/P+区，SCM能更直观的二维呈现P型区和N型区（检测浓度范围在10^15~10^20 /cm³），与SEM适时可有互补效果，其结果更稳定。染结与酸液配比浓度及etch时间有很大的关系，进而不容易被掌控；

3.TEM的EDS获得10^20以上的掺杂信息(仅对N-型有效)，SCM可以获得10^15~10^20/cm³ (可对N/P型检测分析)

4.除了Si基材料的表征，目前我们也已经开发出第三代半导体SiC基的SCM表征手法，SCM在表征SiC器件的掺杂区域时可以与SEM互补, 甚至增强能力至低掺杂区表征。

我们一直在努力将此技术不断提升，为晶圆厂和设计公司解决产品质量和提升工艺良率做出贡献。