看好DRAM、NAND型快闪记忆体的发展，三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK hynix Inc.）传出今年的投资额，将刷新历史新高纪录。 
韩联社2日报导，消息显示，三星、SK海力士今年的投资额将高达30兆韩元（相当于267亿美元）。其中，三星已在上半年对设备投资了12.5兆韩元，直逼去年一整年的投资额度13.1兆韩元；专家估计，三星今年的投资总额或许会攀升至20兆韩元，而V- NAND型快闪记忆体、影像感测器和晶圆代工业务将是投资重点。
SK 海力士也决定在今年对设备投资9.6兆韩元，希望能扩充DRAM和NAND型快闪记忆体产能，比稍早预定的7 兆韩元还要高出一些。SK海力士一名主管说，这些投资旨在满足市场对DRAM、NAND型快闪记忆体日益增多的需求，另外也是为长远的未来做打算。
不少人担忧，三星、SK海力士投资大增，恐怕会让产能过剩，最终导致供给过多、报价下滑。美国记忆体大厂美光（Micron Technology）最近就因为市场忧心供需失衡，股价连番下挫，自7月24日起跌迄今，股价已重挫逾11%。
不过，barron`s.com 1日引述TheFlyontheWall报导，美系外资分析师Christopher Danely发表研究报告指出，美光股价近来虽因市场担忧记忆体产能过多而下滑，但今年增加的DRAM资本支出（从89亿美元上升至99亿美元）其实并不多，不致于会导致产业景气降温。
同时，中国积极发展半导体产业，而且将记忆体列入发展半导体产业当中最重要的项目之一。不过，因为在DRAM的发展上，中国的进度始终落后。因此，2015年7月2日，芯成半导体（ISSI）在股东大会上，投票通过了由武岳峰资本(Uphill Investment) 为首的中国资本联合集团并购芯成的协议，就成为之后中国发展DRAM产业的重要关键。但是就在整个计划积极进行的当下，3日晚间传出，原本计划并购北京硅成的兆易创新发出公告，要终止收购的消息，引起了大家对这这事情的再度关注。
或许，许多人对这件事情的来龙去脉不是太清楚，这边就跟大家作一番解释。芯成半导体（ISSI） 成立于1993年6月，1995年2月在美国纳斯达克股票上市。2015年7月2日，在ISSI股东大会上，投票通过了由武岳峰资本(Uphill Investment) 为首的中国资本联合集团并购ISSI的协议。之后，2015年12月，ISSI再被北京硅成给私有化收购。
2017年3月10日，当时上市不足一个月便停牌，宣布筹画重组的兆易创新发出公告表示，将以每股17.23元的价格发行30,021,392股新股，再以现金支付对价为人民币174,761.34万元的方式收购上海承裕、屹唐投资、华创芯原、闪胜创芯、民和志威合计持有的北京硅成100%股权，合计总价为65亿元。只是，该项计划自提出以来一直未获得中国相关监管单位的核准。所以，在经过5个多月的时间后，兆易创新终于宣布停止该项收购案。
据了解，兆易创新的核心产品为NOR Flash跟Micro Controllers。根据调查研究机构IHS的资料显示，兆易创新在NOR Flash市占率大约为7%。原本预计在取得ISSI后，兆易创芯将成为中国少数兼有DRAM与Flash技术的半导体厂商。而且，在当前，受到搭载AMOLED面板的智慧型手机数量大幅增加，以及TDDI技术所需NOR Flash产能提升的带动，加上如美光、赛普拉斯等主要供应商逐渐淡出市场，兆易创新在NOR Flash方面的发展也持续看好的情况下，预料这次的终止收购动作，可能将不会停止兆易创芯扩张企图，未来或许还会有下一阶段的布局。
事实上，兆易创新日前传出与华邦电都有意收购美光NOR Flash业务，目前状况仍未明朗。此外，兆易创新台面下也正积极筹画建厂，兆易创新传出将与中芯前执行长王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立记忆体厂。而且从相关文件来看，新厂可能落户合肥空港经济示范区，估计2017年7月动工，从事12寸半导体记忆体晶片生产，总投资额高达494亿人民币，产能初估一年在150万片（月产能12.5万片）。因此，在兆易创新这段时间以来动作频频的情况下，相信未来在市场上仍会有其他的布局消息传出。
在日美方面，东芝（Toshiba）因出售半导体事业子公司“东芝记忆体（Toshiba Memory Corporation，以下简称TMC）”一事和合作伙伴、共同营运NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）主要据点“四日市工厂”的Western Digital（WD）闹翻。而东芝于3日宣布，因和WD子公司SanDisk协商破裂，因此决定单独进行3D架构的NAND Flash增产投资。 
东芝3日发布新闻稿宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房“第6厂房”投资案，因和SanDisk未能获得共识、协商破裂，故所需的设备投资金额将由TMC单独负担，且为了因应记忆体需求扩大，故投资金额将从原先规划的1,800亿日圆加码至约1,950亿日圆。东芝指出，计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。
日经新闻报导，东芝和WD目前于日美合计有5件诉讼在跑，而东芝有意和WD持续进行协商，加上WD也正力求要确保NAND Flash产能，因此东芝上述决定“单独投资”的举动，预估是想借此逼迫WD让步。
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