索尼半导体解决方案公司开发了交叉点式ReRAM技术，其容量可以达到100Gbits。
新技术于2017年在半导体技术国际学术会议VLSI技术研讨会上公布。索尼预计，作为存储类存储器（SCM），ReRAM将在集成度，成本，性能等方面弥补DRAM与NAND闪存之间的差距。
此次索尼半导体的解决方案开发了基于铜（Cu）离子的ReRAM。其存储单元是由一个选择器和一个电阻元件组成的所谓“1S1R”型。通过采用选择器（代替晶体管）作为存储单元的选择元件，可以使用存储单元面积小至4F2的交叉点型。同时也使得堆叠存储器单元的层并且进一步增加容量成为可能。
新的ReRAM的单元格结构
具体来说，索尼半导体解决方案开发了大容量SCM的基本技术，其写入速度达100ns，循环能力为1000万，容量约为100Gbits。索尼这次引进了两项关键技术。
第一，公司在存储单元内的电解液和Cu离子储存器之间插入阻隔层，目的在于降低电阻变化（增加容量必需做的）。然后，防止材料的相互扩散，减少变化。
第二，索尼半导体解决方案将硼和碳（BC）掺杂在存储器单元内的OTS（超声门限开关）。结果实现了大容量交叉点型存储器阵列所需的低泄漏电流，阈值电压变化的降低和循环能力的提高。
掺杂硼和碳的选择器
由于这些技术的建立，现在可以通过垂直堆叠两层尺寸为20nm的2k×2k交叉型存储器阵列来实现约100Gbits的容量。
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