每周观察（9-18）

投资并购

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传东芝与日美韩联盟签署MOU但西数表示“不服”

东芝（Toshiba）13日宣布，已与美国贝恩资本（BainCapital LLC）领头的“日美韩联盟”签订出售存储器芯片部门的合作备忘录（MOU），目标是本月底前达成最终协议。

彭博社报导，贝恩资本的阵营几乎3个月前就被视为最可能成功的买方，但因法律诉讼、政府反对及东芝迟迟不做决定，导致进展受到拖延。

东芝在声明中表示，签署MOU并不会禁止他们与其他竞标方协商。东芝副社长成毛康雄（Yasuo Naruke）说：“东芝意图在尽可能最快的时间内，达成完全符合我们目标的最终协议。”

消息传出后，西数发布电子邮件声明表示，对于东芝的行动感到“失望”，并且将继续在国际商会国际仲裁院（ICC International Court of Arbitration ）推动与东芝间的争议仲裁案。

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特朗叫停中资收购美半导体企业

美国总统特朗普周三否决了一家中国背景的私募股权公司收购美国芯片制造商莱迪思(Lattice)半导体的交易。美媒称，美国总统对于是否暂停或禁止此类投资项目拥有最终裁定权，这是特朗普任内遇到的第一个此类案例。也是30年来递交到总统办公桌上的第4件企业并购交易报告。

美媒14日报道称，白宫的声明表示，“中国创业投资基金有限公司”(China Venture Capital Fund Corporation Limited(CVCF))是中国国有企业旗下公司，而鉴于中国政府在这桩交易上所扮演的支持角色，相关知识产权流到外国公司手中的可能性，半导体产业供应链对美国政府的重要性，加上美国政府正在使用莱迪斯半导体公司的产品，在国家安全的考量之下，禁止这桩交易。

圈内动态

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格芯成都厂封顶在即！

9月14日，位于成都高新区西部园区的格芯晶圆代工厂Fab11厂房钢桁架吊装仪式隆重举行。钢桁架是工厂建筑的主要承重构件，钢桁架吊装预示着厂房将很快封顶，是晶圆厂建设的重要里程碑。这一阶段性的胜利汇聚了格芯员工的心血，也是四川省、成都市与高新区各级政府和格芯多个合作伙伴共同努力的成果。

按照计划，格芯成都12英寸晶圆生产基地，一期建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线，预计2018年底投产；二期建设格芯最新的22FDX® 22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线，预计2019年第四季度投产。此外，成都市和格芯还共同推动实施“成都集成电路生态圈行动计划”，在多个领域开展深度合作，从而在整体上形成逾100亿美元的投资规模。

接下来，工程项目成员将继续投身于紧张的工作，确保在工期内保证厂务设备及动力系统的质量。格芯有信心以高质量按期完成工程建设任务，确保2018年3月底生产设备顺利入场，顺利装机和工艺调试，以便明年年底顺利投产。

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日厂大规模扩产SiC晶圆料，12寸wafer报价恐飙至1000美元

集成电路制造用半导体硅晶圆面临十年来的“超级周期”效应持续扩散，卖方市场加速好转已赚的盆满钵满，买方未来要先付订金，才能巩固产能并锁定价格。包括4、6、8、12寸wafer订单能见度一路由下半年、明年延伸到后年，12寸wafer报价恐飙至1000美元，生产周期已从先前的3个月拉长至6个月，带动电源控制芯片用SiC外延晶圆料也供不应求，日厂昭和电工发布公告将提前进行大规模扩产。

日本材料大厂昭和电工(ShowaDenko)9月14日发布消息宣布，将增产作为电源控制芯片材料的“碳化硅(SiC)外延晶圆(Epitaxial Wafer)”，目标在2018年4月将其月产能自现行的3000片提高约7成至5000片，扩产幅度暴增7成。昭和电工指出，此次增产对象为SiC外延晶圆中的高质量产品“High-Grade Epitaxial(HGE)”。HGE的缺陷密度压低至0.1个/cm2以下水平、当前产线持续处于满载状态。

昭和电工指出，因近年来SiC外延晶圆持续获得铁道车辆、电动车用急速充电站采用，故预估2020年其市场规模将扩大至12亿元人民币。

日刊工业新闻15日报导，昭和电工上述SiC外延晶圆增产计划较原先规划的时间提前半年，而昭和电工目标是在2025年将全球市占率自现行的2成扩大至3成的水平。

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发生爆炸！全球第二大多晶硅生产商美国工厂停产！

全球第二大多晶硅生产商——瓦克集团证实，该集团位于美国田纳西州的生产基地近日因技术故障发生一起物质泄漏和爆炸事故，管道也因此遭受损坏。期间有少量氯硅烷发生泄漏，但被生产基地的消防人员立即用水浇灭。由此产生的水蒸汽中残留有氯化氢。此外，一条水蒸汽管道受损也产生了额外的水蒸汽。厂区外的检测数据显示，排放值并没有因此升高。为安全起见，瓦克这座为太阳能行业生产多晶硅的工厂暂时停止生产。瓦克目前正在调查这起事故的原因。据悉，该新项目是瓦克最大的单笔投资，总计投资25亿美元，年产能为2万吨多晶硅。

从业内了解到，瓦克集团在美国生产的多晶硅并不直接供应中国国内，但这部分产能停产后预计仍会对全球的多晶硅供应产生冲击。

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中芯长电与Qualcomm共同宣布10纳米硅片超高密度凸块加工技术认证

9月15日，中国江阴——中芯长电半导体有限公司（简称“中芯长电”）和Qualcomm Incorporated全资子公司Qualcomm Technologies, Inc.共同宣布，中芯长电已经开始QualcommTechnologies10纳米硅片超高密度凸块加工认证。这标志着继中芯长电经过一年大规模量产28纳米和14纳米硅片凸块加工之后，工艺技术和能力的进一步提升；也标志着Qualcomm Technologies对中芯长电综合运营能力和经营管理水平的认可。通过认证后，中芯长电将由此成为中国中国第一家进入10纳米先进工艺技术节点产业链的半导体中段硅片制造公司，继续跻身于世界先进的工艺技术节点产业链。实现10纳米硅片凸块在国内的加工量产，是Qualcomm Technologies支持中国集成电路产业链制造水平向主流迈进的又一具体举措，表明了Qualcomm Technologies坚定推动中国本土产业链高端发展，大力提升本地化服务技术水平，持续支持中国向更加智能化社会发展的决心。

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Soitec在新加坡运行FD-SOI试验线

作为服务于电子工业的半导体材料设计与制造的领导者Soitec，正在它位于新加坡的晶圆工厂运行一条生产全耗尽绝缘层上硅晶片（FD-SOI）的试验线。这是在新加坡开始生产FD-SOI晶圆的第一步，使它能为全球半导体市场提供多个FD-SOI衬底的生产资源。

“我们决定在新加坡运行FD-SOI的试验线，并且提升在法国的300mm工厂产能，都是基于直接客户的需求，” Soitec的CEO Paul Boudre谈到，“这些都是Soitec非常重要的里程碑，它拓展了FD-SOI的生态系统。在新加坡，我们计划在2019年上半年完成整个客户级验证，然后基于对市场的承诺提升产能。”

FD-SOI的生态系统不断地加强，FD-SOI技术的使用也在持续进行。众多的代工厂，IDM厂和无工厂客户正在采用越来越多的FD-SOI产品设计和生产。FD-SOI为低功耗应用提供了一种独特的价值定位，使其很好的契合了移动处理，物联网，汽车电子和工业电子等快速成长的市场分类的需求。

Soitec称，在新加坡运行为期24个月的FD-SOI试验线的投资接近4千万美元。

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三星抢用EUV！宣称7nm明年下半投产！

Tomˋs Hardware、TechReport 报导，三星率先使用 EUV研发7纳米制程，目前进展一如预期，将在2018年下半投产。三星导入EUV的时间比对手提早两年。

三星同时表示，2014年开始测试EUV，已用新技术处理了20万片晶圆，而且该公司使用EUV技术生产256Mb SRAM，良率高达80%。

三星强打EUV，突显自身技术先进。但是Tomˋs Hardware表示，微影已经成了宣传伎俩，不少人唱衰三星的7纳米可能会像英特尔（Intel）的10纳米一样命运多舛，迟迟无法问世。尽管三星宣称EUV生产的SRAM良率高，但是三星并未说明是多少纳米制程，而且SRAM电路也比微处理器更单纯。

三星电子垂涎晶圆代工市场，力拼踢掉联电，晋身晶圆代工二哥。眼看当前半导体市况热翻天，该公司决定提前兴建韩国华城的18号线，提高竞争力抢单。

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大基金将成立中国储存芯片联盟！

国家集成电路产业投资基金(大基金)总经理丁文武指出，将在中国高端芯片联盟( CHICA)底下成立储存器产业联盟，有意促成三大新成立的存储器厂包括长江存储、福建晋华、合肥睿力一同加入，这将是继传感器和物联网(IoT)产业联盟后， CHICA的第二个分联盟。

丁文武指出，全球存储器的获利几乎都集中在南韩三星电子(Samsung Electronics)，获利甚至优于苹果(Apple)和英特尔(Intel)，从2016年至今NAND Flash价格狂飙，涨价都是利润，背后原因虽是供需，但三星掌握全球的控制权是很大关键，且这一波NAND Flash缺货是有钱也买不到。大基金有意在CHICA联盟底下成立储存器联盟，似乎有整合中国三大存储器阵营势力之意，但丁文武也表示，各家都有各家的想法，结果还不一定。

存储器厂商认为，目前长江存储研发的3D NAND和晋华、睿力的DRAM技术没有冲突，但长期来看，长江存储是否会进入DRAM技术开发还是未知数，但如果是大基金出面，或许是中国存储器三大阵营整合资源的一个开始。

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全球半导体设备市场    韩国第一、中国第二

2017年全球半导体设备销售金额可望创下历史纪录。据SEMI最新预估数字，2全球半导体设备销售金额可望在2017年逼近550亿美元，比2016年大幅成长37%。这也是自金融海啸以来最高的成长率。

SEMI进一步分析，2017年全球最大半导体设备市场将由韩国夺下，其采购的半导体设备价值将达195亿美元，比2016年大幅成长130%。韩国半导体设备采购金额暴增，主要与三星(Samsung)大举投资新的存储器产能有关。

另一方面，中国中国半导体设备采购金额有望在2018年超越中国台湾，以125亿美元位居世界第二，韩国则将维持其世界第一的地位。据SEMI预估，2018年包含中国中国、美国、日本、欧洲、中东等地的半导体设备市场，都将出现两位数百分率以上的成长，至于其他地区，成长率则不到10%。

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环球晶圆：12寸硅晶圆月出货75万片 订单已接到2019年

环球晶圆发言人李崇伟副总表示，市场需求畅旺，12寸硅晶圆接单已经看到2019年，而8寸也看到明年底，现在是订单太多烦恼交不出货。

半导体硅晶圆第4季12寸产品报价已达80美元，预期明年首季报价更可能狂飙至100美元。对于市场传出“客户得先付订金，才能优先巩固产能并锁定价格”的讯息，硅晶圆业者也不否认，坦承接单真的太满。

环球晶圆8月营收新台币39.8亿元，大胜去年营收成绩，年增近1.8倍。受惠今年物联网及车用电子带动半导体市场成长，环球晶圆出货连5季正成长，报价持续看涨。

环球晶圆目前12寸硅晶圆的月出货75万片，8寸硅晶圆出货105~120万片，6寸以下月出货140万片以上。

前沿技术

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法国Leti研发出新型指纹传感器

近日，法国电子与信息技术实验室（CEA-Leti）宣布，在欧洲PiezoMAT研发项目的支持下，开发了一种压力指纹传感器，具有超高分辨率，为美国联邦调查局（FBI）目前要求的两倍以上。

新技术实现的挑战是将ZnO纳米线集成到微电子芯片（200mm晶圆）上，要考虑到在晶圆上纳米线的连续生长、接触和封装步骤的工艺兼容性。

此外，芯片加工的挑战包括高图案密度、合适材料（特别是种子层）的选择、合适工艺的选择（由于种子层敏感性，仅能选择干法工艺）、集成。

Leti的项目经理Antoine Viana表示，新研发的压力指纹传感器由硅上生长的压电ZnO纳米线制备，为超高分辨率指纹传感器开辟了道路，其分辨率将能达到1000DPI以上，这项新技术有望在高可靠安全和身份识别应用领域取得重大进步。

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DARPA研制出能监测多个红外波长的超低功耗传感器

近日，美国东北大学的研究人员在电子和计算工程副教授Matteo Rinaldi的领导下，完成了美国国防先期研究计划局（DARPA）“近零”（N-ZERO）项目所希冀的高难度研究目标，研制出一个被称为“等离子增强微机械光开关”的器件

N-ZERO项目的主要目标是研发基础技术，以研发出更新和更多用于保卫国家安全的传感器系统。东北大学研究团队在其论文中指出，随着物联网拓展到包括从汽车到应用，再到远程部署的传感器等在内的数千亿设备，同样的技术将在接下来的几年内变得重要。论文预测道：“该仅在有用信息出现时消耗功率的能力将为无人值守传感器带来近乎无限的待机寿命，这些传感器可用于部署监测偶发但时间要求严格的事件，对于物联网的发展也有开创性的影响。”

产品应用

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iPhone X携A11人工智能芯片登场

苹果13日凌晨发布了本年度最重量级的产品——iPhone X (iPhone 10）。这款用人脸识别进行解锁的新iPhone可能是苹果AI属性最强的一个产品了。据介绍，iPhone X将采用定制的芯片来处理人工智能工作负载。这是一个双核的“A11生物神经网络引擎”（A11 bionic neural engine）芯片，每秒运算次数最高可达6000亿次。

该芯片赋能的最重要的事情就是使 Face ID身份认证功能能够快速识别人脸，从而解锁iPhone X或进行购物。

在iPhone上安装新的专用芯片意味着主芯片的工作量将会减少，从而提高电池寿命。否则，例如，通过手机摄像头进行物体识别同时进行视频录制时，可能会迅速地将电池消耗完。

此外，在不久的将来，iPhone以外的更多移动设备都可能包含针对AI的处理器。

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联发科败下阵来，这场芯片战争可以告一段落了

联发科和高通基本垄断了全球手机处理器市场，联发科曾经不满足于自己的中低端优势，发布高端芯片向高通发起挑战，但是这一努力最终以失败告终。

据报道，联发科已经作出了战略调整，将停止高端手机处理器的开发，将资源和精力集中在自己还有一些优势的中端芯片领域。

据悉，联发科已经暂停了高端HelioX系列处理器的研发，将所有的研发资源投入到了P系列处理器，这是面向中端智能手机开发的产品。

迄今为止，高通是全球智能手机芯片的绝对霸主，该公司每年投入巨资研发新技术和产品，拥有不计其数的移动通信专利，这为高通研发最先进的应用处理器（以及整合基带的系统芯片）奠定了基础。

消息人士称，按照联发科的研发进度，到2018年，联发科仍然难以推出采用7纳米和10纳米工艺的处理器。

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