近日，台积电（TSMC）宣布，新一代7nm（CLN7FF）工艺技术已经成熟，并且开始量产芯片。在7nm节点，台积电已经是雄心勃勃，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外，台积电还手握50多个7nm芯片流片，新工艺性能可提升35%或者功耗降低65%，未来升级到5nm之后性能还能再提升15%，功耗降低20%。
而作为传统意义上的老大，素有挤牙膏之称的因特尔却只停留在10nm，7nm工艺至少要等到2020年以后，这不仅令人怀疑因特尔内部是否除了问题？
其实因特尔的技术并不落后，目前其他厂商的10nm工艺其实只相当于其14nm工艺。通过不断优化，因特尔的10nm晶体管密度可以媲美其它厂商的7nm。
英特尔在14nm、10nm工艺上的难产给了其他半导体公司赶超的机会，由于2019年之前都无法推出10nm芯片，而三星、台积电的7nm工艺今年就会量产了，这一轮竞争中英特尔真的输了，哪怕官方多次宣布自家的10nm工艺在性能、晶体管密度上比其他家的7nm节点还好也没用了。
昨日官方公布了7nm及未来的5nm工艺细节，首先是第一代7nm工艺，今年将会量产，后面还有50多个芯片陆续流片，涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密货币芯片、网络、游戏、5G、自动驾驶芯片等等行业。
7nm工艺的性能将提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度达到3倍水平——原文这里没提到是跟谁对比，不过不可能是10nm，台积电官网上跟10nm工艺对比的结果是性能提升20%或者功耗降低40%，芯片密度1.6倍，因此这里对比的很可能是台积电的16nm工艺。
第一代7nm工艺没有使用EUV光刻工艺，N7节点才会用上EUV光刻机，不过这个是制造过程的改变，N7工艺的性能没什么变化，晶体管密度提升大概20%，功耗降低10%。
此外，N7工艺虽然目前的良率不错，但是还有一些关键单元要到今年底或者明年初才能搞定，完整用于N7 工艺的EDA工具大概要等到8月份。
7nm之后台积电今年还要风险试产5nm工艺，与最初7nm工艺相比，台积电的5nm工艺大概能再降低20%的能耗，晶体管密度再高1.8倍，至于性能，预计能提升15%，不过使用新设备的话可能会提升25%。
按照之前的规划，台积电的5nm工艺预计会在2020年量产，那时候英特尔顺利的话可能会进入7nm节点了。
台积电5nm工艺上的发展
目前台积电在5nm的工作仍未全部完成，良率也偏低，与符合智能手机所需要的处理器成本来说，远远不能满足。不过这是一个非常好的里程碑技术，如今也处于正轨之上。
尽管台积电开发过一些寿命较短的技术——如20nm、10nm——但这5nm技术应该不属于其中。近年来，台积电将转型为长寿命节点技术的公司。
5nm工艺将拥有较长的寿命，它也非常具有成本效益，这就意味着，该技术将被更广泛的使用，不仅仅是那些追求高性能的产品。因此，在2020年5nm工艺投入大规模的生产之后，台积电还会在2021年推出5nm的进阶产品，也就是对性能、功耗、面积上有所增强。
参考资料：
超能网 2018-05-04
百家号 2018-05-01
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