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东芝存储芯片将卖给美日韩联盟！
东芝(Toshiba)9月20日晚间发布公告称，已同意将芯片业务出售给贝恩资本(Bain Capital)牵头的财团，交易金额约2万亿日元（180亿美元），预计将在明年3月31日前完成。
知情人士称，贝恩资本在最后关头“压哨”修改了收购提议，拉入苹果、戴尔参团，报价超过西数阵营。知情人士还称，苹果在扭转竞购走势过程中发挥了关键作用，使得胜利的天平偏向了贝恩财团，并计划为贝恩财团提供资金支持。
稍早些时候有知情人士称，贝恩资本、东芝、SK海力士和日本豪雅株式会社将出资约9600亿日元(约合86亿美元)，而苹果、戴尔、金士顿(Kingston)和希捷(Seagate Technology)将出资约4400亿日元(约合40亿美元)。此外，该财团还将获得约6000亿日元(约合54亿美元)的贷款。
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Google收购部分HTC手机业务
9月21日上午10点，HTC(宏达国际电子股份有限公司)董事会决议通过与Google签订合作协议书，HTC专注Pixel手机设计研发人才加入Google，HTC知识产权非专属授权予Google使用，交易作价11亿美元。
具体而言，Google将延揽原参与打造Pixel手机的HTC团队成员及相关员工加入Google，并买受本公司部份相关的资产，并将就部份知识产权非专属授权予Google。HTC表示协议强化HTC专注创新与自有品牌智能手机发展。
以短期影响来看，向来以研发能力著称的HTC，对于这次与Google的合作案，除了能解决Google对研发人才的渴望，Google也能进一步获得专利授权与相关设备。同时，HTC也能有资金挹注，解决连9季亏损的窘境，可谓是双赢局面。
但就长期影响来看，HTC在获得资金挹注后，将能倾全力投入极具发展潜力的VR事业，此次携手Google，同时也加深双方未来AR / VR合作的可能性。但就HTC自有品牌的智能手机发展而言，此次交易会释放出智能手机约7成的RD资源，这无疑重挫自家的研发能力，在销售每况愈下的状况下雪上加霜。
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Imagination作价5.5亿英镑卖给Canyon Bridge，MIPS业务6500万卖给Tallwood MIPS
9月22日晚些时候，Imagination Technologies正式宣布，同意Canyon Bridge提出的收购要约。
自从上个月有消息传出ImaginationTechnologies正在寻求出售之后，Canyon Bridge就宣布出价5.5亿英镑收购这家正在苦苦寻求出路的移动GPU公司。
同时，作为交易条件之一，Imagination将以6500万美元出售旗下位于美国的嵌入式处理器分部MIPS给Tallwood MIPS。
初步情况是，ImaginationTechnologies与Canyon Bridge达成协议，Canyon Bridge以每股182便士，总价5.5亿英镑收购整个公司。该价格比目前Imagination Technologies 129便士的股价高出了41%的溢价。
但是，值得注意的是，这一价格远远地狱当初苹果自研GPU公布之前的280便士的估计。可见，苹果的脱离已经严重影响了Imagination Technologies的发展，这也是ImaginationTechnologies急于寻求出售的主要原因。
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韩国拟禁制和禁止韩企业对中国半导体与面板业投资
韩国政府担心流失半导体与面板技术优势，拟下令禁止韩国半导体与面板厂在中国投资新厂。
中国报复韩国部署萨德反导弹系统，让乐天、现代汽车损失惨重，韩国政府这次计划对半导体与面板业下禁制令，似乎有反报复中国的意图在。除此之外，肥水不落外人田，将就业机会留在国内，可能也是韩国政府的考虑因素之一。
韩国媒体ETnew.com报导，产业通商资源部（MOTIE）部长BaekWoon-kyu在周一举行的工商会议上表示，希望半导体与面板业者以乐天为鉴，重新思考对大陆的布局。包含三星电子、SK海力士与LG Display的副总裁均应邀出席。
据报导，新政策规定三星、SK海力士等存储器厂，未来只有在紧急的特殊状况下申请豁免，否则不能在中国设新厂。然而这样一来，韩厂将无法就近服务客户，恐将中国市场拱手让给竞争对手。
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DRAM市场火热！厂商生产已饱和，2018延续吃紧走势
随着时序已近2017年第四季，三大DRAM厂已陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议，根据TrendForce存储器储存研究（DRAMeXchange）的调查，2018年各DRAM厂的资本支出计划皆倾向保守，意味着产能扩张甚至技术转进都将趋缓，除了欲将价格维持在今年下半年的水准，持续且稳定的获利也将是明年首要目标，预估2018年DRAM产业的供给年成长率为19.6%，维持在近年来的低点，加上2018年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%，供给吃紧的趋势将延续。
DRAMeXchange研究指出，从需求端来看，智能手机存储容量的升级，以及服务器/数据中心的强劲需求，皆拉升了2018年需求的成长；就供给面来看，在DRAM产业产能吃紧下，兴建新工厂满足市场需求已经是必要的决策，然而，兴建一座12寸厂动辄需要一年的时间，加上机台移入与试产，产能开出时间将会落在2019年。从目前三大DRAM厂的产能规划来看，预计2018年各家新增投片量仅约5-7%，这些新增产能皆来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。
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英特尔公布“真正的”10纳米制程
英特尔于9月20日公布了10纳米工艺制程的消息，这无异于一个重磅炸弹。目前全球性能最高的是14纳米晶体管，业内大多数使用的还算是14/16/20纳米制程，英特尔的10纳米工艺预计会领先整整一代。
英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 （hyperscaling），充分运用了多图案成形设计（multi-patterning schemes），可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。未来英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品。
在工艺方面，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。
性能上，相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。
另外，英特尔执行副总裁Stacy J.Smith 还向全世界首次展示了以最新10纳米制程技术所打造的晶圆，这也是未来 Cannon Lake CPU的最基础的部分，并将会在2017年底前正式投产10 纳米制程技术的处理器。
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格罗方德成都厂10月底前封顶
备受电子信息行业关注的格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目又有新进展。9月20日，记者从成都高新区获悉，位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂项目近日举行芯片厂房钢桁架吊装仪式，芯片厂房将在10月底前封顶。
今年2月，全球第二大晶圆代工厂格罗方德半导体股份有限公司在成都高新区启动累计投资超过100亿美元的12英寸晶圆制造基地项目（即代号为“Fab11”的格罗方德晶圆代工厂），并发布公司在中国市场的全新中文名称“格芯”。5月，格罗方德又宣布将与成都市合作，共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划，在成都建立一个世界级的FD-SOI生态系统。
短短数月，格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目以及FD-SOI生态圈建设快速推进，实现“加速度”。格罗方德Fab11项目相关负责人透露，目前，FD-SOI生态圈的建设已逐步展开，已有数家中国客户通过产业生态圈找到格罗方德，开展了基于22纳米FD-SOI工艺的产品设计和试生产。
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华进半导体晶圆级扇出型封装项目落地合肥高新区
近日，合肥高新区与华进半导体就晶圆级扇出型封装产业化项目举行签约仪式。华进半导体将在高新区投资建设国内先进的晶圆级扇出型封装生产线，项目总投资为23.3亿元人民币，未来年产产能将达到120万片，以及初期将建设办公、基础设施、仓储等配套区域。晶圆级扇出型封装技术可以实现在单芯片的封装中做到更高的集成度，并拥有更好的电气属性，从而能降低封装成本，而且计算速度更快，产生的功耗也更小。
华进半导体是由中国科学院微电子研究所、长电科技、通富微电、华天科技、中芯国际等多家国内半导体封装、制造上市公司联合投资组成的国家级研发中心，旨在研发和先进封装成果转换，为中国半导体先进封装工艺的发展提供产业化基础和输出技术的平台。
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美国北卡罗来纳州立大学研究出碳化硅功率器件新制造工艺PRESiCE
在“电力美国”的支持下，北卡罗来纳州立大学在2015年研究出了制造功率MOSFET和JBS整流器的制造工艺。该工艺被命名为PRESiCETM，成功在X-Fab代工厂制造出1.2kV先进器件（功率MOSFET、ACCUFET和JBS整流器器），而且成功实现一个JBS回扫式（fly-back）整流器与一个功率MOSFET结构的单片集成，实现了功率JBSFET，使得芯片面积大幅减少（约40%），封装数减少了一半。2016年，北卡罗来纳州立大学在X-Fab成功对这些功率器件的制造工艺进行了量化。
北卡罗来纳州立大学电子和计算机工程的杰出教授和第一作者Jay Baliga表示：“PRESiCE将推动更多的企业进入SiC市场，因为他们不需要从头开始为其功率电子器件研发自己的设计和制造工艺，这是一个非常昂贵和耗时的工程阶段。企业可以使用PRESiCE技术作为替代来研发他们自己的产品。这对企业、用户和美国制造都很好。如果更多企业加入到SiC功率器件的制造中，将增加代工厂的产量，显著减少成本。”
Baliga还表示：“我曾设想在1979年研发SiC功率器件，并在之后的30多年中一直推进该技术。现在，我感恩于研制出PRESiCE作为制造SiC功率器件的国家技术，将为美国带来高薪工作。我们很乐观，该技术能够加快SiC器件的商业化，并为美国贡献一个更具竞争力的制造能力。”
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澳大利亚高校研究出新量子位架构的量子芯片
澳大利亚新南威尔士大学（UNSW）人员发明了一种基于新颖的“触发器量子位”的量子计算的创新架构，有望使量子芯片的大规模生产更便宜和便利。
量子计算的理论优势在于同时表示多个状态的量子位，而经典计算位只能将信息表示为1或0。为此，UNSW大学和美国研究人员将磷原子嵌入硅中，开发了基于核或电子自旋状态的量子位。他们最新的工作产生了结合电子和核自旋状态的“触发器量子位”的概念，这种方法使相邻的量子位保持耦合在一起，尽管分开较大的物理距离。该量子位采用电信号而非磁信号控制，使得在电子芯片中传递电信号更加容易反过来，这使得为完整的量子计算所需的量子位的大阵列构建控制方案变得更加容易。
但德克萨斯A&M大学教授LaszloKish称，目前判断这项研究是否是“突破性的”还为时尚早，但在解决量子计算的核心问题上，他们可能向正确的方向迈进了一步。
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台积电挤掉SMIC，抢下高通70%以上电源管理芯片订单
据外媒报道，预计台积电将获得高通新一代电源管理芯片（PWM IC）70%至80%的订单。
高通前一代电源管理芯片是由中芯国际（SMIC）生产的，后者在其8英寸晶圆厂使用0.18至0.153微米工艺来生产电源管理芯片。中芯8吋晶圆厂除了主力产品指纹识别芯片以外，另一重要产品便是电源管理芯片，且制程技术从0.18微米微缩至0.153微米，中芯一度要帮高通开发65纳米制程的电源管理芯片，但后来考量成本效益等因素而作罢。
高通将使用台积电的BCD工艺（Bipolar-CMOS-DMOS）来生产其新一代电源管理芯片，并将台积电作为其电源管理芯片的主要代工合作伙伴。
台积电将于2017年底开始小批量生产高通的新一代电源管理芯片，2018年开始批量发货。台积电将分配更多8英寸晶圆厂产能来完成高通的订单。
半导体业者透露，高通新一代电源管理芯片PMIC 5即将问世，由于改为BCD制程，台积电凭藉先进制程技术优势，可望拿下高通新一代PMIC 5订单约70~80%数量，并牵动高通电源管理芯片代工厂大洗牌。
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携华为完成IODT测试，联发科5G有进展
联发科最新宣布成功完成符合3GPP5G标准的终端原型机与手机大小8天线的开发整合，并于日前携手华为完成5G New Radio互通性与对接测试(IODT)，实测传输速率超过5Gbps，成为首家拥有手机尺寸天线，并与通讯设备厂商完成对接测试的晶片厂商。此次对接测试充分展现了5G技术在sub-6GHz频段商用部署的潜力，有助于全球统一的5G端到端產业链的成熟，也充分证明了5G终端晶片的快速发展和日趋成熟，对于加速5G终端商用进程展具有重要意义。
联发科5G终端原型机与华为5G基地台成功完成3.5GHz频段、200MHz频宽下增强行动频宽(EnhanceMobile Broadband；eMBB)和高密度网路(Ultra Dense Network；UDN)两个重要场域下的互通性与对接测试。此次测试所採用的联发科技5G终端原型机搭配手机大小8天线，测试结果显示，在室内环境下可达到与外接式偶极天线同样的传输效率，说明5G终端原型机已具备在高速率、大频宽、多天线下的处理能力。
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NXP中国汽车电子开发中心落户重庆
9月22日，荷兰恩智浦半导体公司(NXP)宣布,其中国汽车电子应用开发中心正式签约落户重庆两江新区。该中心将为包括重庆在内的中国整车厂和汽车零部件供应商提供汽车电子产品应用支持和产品开发咨询服务，并积极参与中国汽车电子新技术预研和标准制定。
作为重庆市首个专注于汽车半导体领域的研发机构，恩智浦汽车电子应用中心将在传统车身、新能源、无人驾驶和智能互联四大应用以及九大技术领域建立基础技术平台。重点支持重庆市车企转型升级需求，未来还将建立汽车电子三大开放实验室，为重庆引入和打造完整的汽车电子产业开发生态链，助力重庆汽车电子产业人才培养。
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