投资并购
1三星晶圆业务遭当头棒喝，谋划扩产反遭政府喊停
韩媒Pulse 27日报导，三星拟斥资6兆韩圆(53亿美元)在韩国华城(Hwaseong)，打造18号线晶圆代工厂。新厂原订11月动工、2019年下半落成启用。18号线厂将装设极紫外光微影设备(EUV)，是7纳米以下制程的重要工具。这也将会是三星拆分晶圆代工业务以后，寄以厚望的一个工厂。
不过近日韩国政府的报告预测，三星在华城建厂和水原的新住宅建案，会让华城和水原之间的塞车情况恶化。华城市政府要求三星出资，协助兴建造价700亿韩圆的地下公路，缓解交通堵塞，遭到三星回绝。三星指控华城市建房政策有问题，才是交通恶化主因。华城政府一怒拒发新厂执照，双方仍在商谈，目前看来，18号线厂恐怕无法如期在11月破土施工。
2Canyon Bridge创始人Lattice收购事件在美被起诉
美国检察官起诉了一家与中国国有资本有关系的私人股本公司的创始人，原因是他涉嫌从事与该公司收购莱迪思半导体(Lattice Semiconductor Corp)有关的内幕交易。这宗收购已被叫停。
美国当局表示，美籍华人、CanyonBridge Capital Partners创始人周斌(Benjamin Chow)串谋实施证券欺诈，“以个人会面、语音信息和文字交流方式”向他的一名商业伙伴兼朋友透露了有关Canyon Bridge可能收购莱迪思半导体的非公开信息。
美国证交会(SEC) 2月份递交的诉状指出，周斌的这名商业伙伴兼朋友名叫尹少华(Michael Yin)，是一家中国对冲基金的经理。尹少华同时还面临其他的内幕交易指控。
纽约南区(SouthernDistrict of New York)代理联邦检察官和美国联邦调查局(FBI)发表的一份声明称，尹少华对莱迪思半导体进行了一连串对自己有利的交易，获利500万美元。
目前，CanyonBridge正在谈判，以敲定7.37亿美元收购英国芯片生产商Imagination Technologies Group Plc的交易。这单交易是否会受到周斌被起诉的影响，这是一个对中国半导体产业来说，非常重要的问题。因为在之前的报道中我们指出，Imagination虽然现在沦落到卖盘，但他们在GPU等方面的专利，可以给中国半导体带来很大的进步推动。
3GigaDevice合肥睿力砸180亿元，对决紫光、联电
中国存储器竞赛迈向新局，获得大基金入股的北京兆易创新(GigaDevice)与合肥市政府签署合约，将砸人民币180亿元(逾新台币800亿元)研发19纳米DRAM技术，业界预期GigaDevice将与合肥睿力12吋厂资源整合，全面对决紫光集团旗下长江存储及联电的晋华集成，藉由掌握DRAM、NORFlash、2DNAND等三大技术，争夺中国存储器宝座。
近期GigaDevice宣布与合肥市产业投资控股集团签署合作协议，研发19纳米制程的12吋晶圆DRAM，预算为人民币180亿元，GigaDevice出资20%，目标2018年12月底研发成功，时程规划与联电晋华DRAM布局极为接近。
圈内动态
1格芯7nm测试良率达65%，2018年年底量产
因竞争对手台积电、三星陆续在2018 年挺进7 纳米先进制程，格芯（GLOBALFOUNDRIES）日前也宣布，该公司的7 纳米制程不但在测试良率已提升到65%，未来将按照时程使用EUV 技术的商用和普及，并与客户AMD 展开合作。根据格芯先前公布，7 纳米制程将在2018 年推出，并在年底量产。
根据格芯全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan日前在中国上海举办的GTC技术大会演讲表示，随着5G即将开始商用，资料传输的速度越来越高，手机需要满足高速且大量的资料传输，需要不同以往的射频元件。在高性能运算需求方面，格芯将提供FinFET制程，从14LPP到12LP，再到7LP等各节点的制程技术。
格芯进一步指出，其新开发的7纳米FinFET制程技术充分利用了其在14纳米FinFET制程技术上的大量制造经验，该技术于2016年初2月8日开始在Fab 8晶圆厂中正式生产之后，格芯已为广大的客户提供了“一次便成功”的设计。
为了加快7LP的量产进度，格芯正在持续投资最新的研发设备能力，包括在2017年下半年首次购入两组极端紫外线（EUV）光刻工具。不过，7LP的初始量产的性能提升将依赖传统的光刻方式，而当具备大量生产条件之际，将逐步使用EUV 光刻技术。
除了先进制程，传统的成熟制程一般很难满足所有应用的要求，物联网（IOT）对低功耗的要求更高，因此低功耗高性价比要求的应用，格芯也针对物联网、行动通信、射频芯片提供22FDX、12FDX等制程解决方案。
2存储效应停不下来，半导体产业三季度销售额创下史上新高
半导体产业协会（SIA）10月30日公布，2017年9月份全球半导体销售额为360亿美元，和前月相比提高2.8%；和去年同期相比，激增22.2%。今年第三季全球半导体销售额为1,079亿美元，创下史上单季新高。和前季相比，第三季销售上扬10.2%。
SIA总裁兼执行长John Neuffer 声明稿指出，9月份全球半导体买气大幅年增，今年1~9月的销售额比去年同期高出20%以上。第三季销售打破空前纪录，今年的年度销售预料会刷新历史。各产品类别中，DRAM 和NAND Flash记忆体表现佳，9月份年增幅明显；逻辑晶片也买气火热，年增幅达两位数。
和去年同期相比，美洲销售增40.7%、中国增19.9%、欧洲增19.0%、亚太/其他地区增16.8%、日本增11.9%。和前月相比，美洲增5.9%、中国增2.5%、亚太/其他地区增1.9%、欧洲增1.8%、日本增0.5%。
2019年存储全球销售额则会微幅年减0.2%，达3,871.58亿美元。虽然当年存储器销售额将会年减8.8%，但其它类别半导体产品销售额仍会维持成长。
美国半导体产业协会(SIA)总裁暨执行长JohnNeuffer表示，自2017年初起，全球半导体市场每月平均销售额就一直在以惊人速度成长。2017年4月平均销售额不但连续9个月年增，并且年增幅度高达20.9%。预期2017全年全球半导体销售额将会出现显著成长，2018年成长幅度会出现放缓，2019年销售额则是大致上会与2018年相同。
3Intel 开放22及10nm制程对ARM架构代工业务
在2017年的ARMTechCon大会上，在某些领域已经形成相互争关系的半导体大厂Intel和硅智财权厂商AMD，两者宣布将建立广泛的合作关系。在这样的关系下，其中一个相互合作的方式，就是基于ARM核心架构的行动芯片，预计将采用Intel的22纳米FFL制程技术，以及10纳米的HPM/GP制程技术来进行代工生产。
目前，Intel的14纳米制程已经用在展讯的x86行动芯片产品上。不过，因为是x86的核心架构，使其进一步限制了展讯在消费级市场上的发展，也影响了Intel在半导体代工市场的成绩。因此，为了进一步增加营收，Intel才在ARMTechCon大会上上强调，半导体代工部分一定会针对ARM核心架构的产品进行放开代工。
根据日前Intel公布的的数据显示，同样是10纳米制程，Intel所拥有的制程技术，能在每平方毫米放置1亿个晶体管，台积电则只有4,800万个晶体管，而三星也不过只有5,160万个晶体管而已。因此，按照Intel的说法，同节点的制程技术Intel领先竞争对手达3年以上。只是，对于Intel以10纳米制程技术来代工生产ARM芯片，谁会感到有兴趣？截至目前为止，唯一有消息流出的就只是LG而已。
4高通财报认列台湾7.78亿美元罚款，再次起诉苹果称其违反共同协议使英特尔获利
高通已于2016财年第四季度认列台湾做出的7.78亿美元罚款支出，成为上季获利大降主因。 高通方面仍未放弃在台湾提出上诉，并对外表示，与苹果间诉讼将是长期抗战。近期市场盛传苹果将于2018年起全面弃用高通的基带芯片，改用英特尔和联发科产品，但高通已表示明年度的苹果机型已通过验证，否认上述消息。
有消息透露高通在本周三于加州州法院再次向苹果发起诉讼，指责苹果向英特尔分享它们的专利代码。该诉讼声称，苹果违反了与高通签订的有关允许移动芯片与手机其余部分进行交互的软件合同。
5传三星扩产DRAM，全球产能恐飙2成
韩媒etnews 31日报导，据了解，三星正在改装韩国华城（Hwasung）厂16号线，此一产线原本生产2D NAND，明年第一季起将量产 DRAM。另外，三星的韩国平泽厂也在打造新DRAM产线，第一阶段产能估计明年第三季开出。
预计2018年三星在华城厂和平泽厂的DRAM产出将增加6万组，规模不算太大。问题在2018年下半之后，三星计划把华城16号线全数用于生产DRAM，若闲置空间全数使用，DRAM产能将增加13.5万组。不只如此，届时平泽厂DRAM投资也进入第二阶段，DRAM产能将增10万组。两厂相加，等于开出23.5万组的新产能。
做为对照，今年第三季全球DRAM产能为每月110万组，要是三星真的增产23.5万组，全球DRAM供给将飙升20%。内情人士透露，部分三星高层认为，要在中国跨入DRAM市场之前，先结束DRAM热潮。三星电子实质掌门权五铉明年初下台，掌管三星半导体业务的金奇南（Kim Ki-nam），是呼声极高的接班人，据悉金奇南支持大幅增产。
不只如此，SK海力士也在无锡兴建新厂，预计2018年底完工，2019年安装设备，产能为每月12万组。
6博通拟巨资1000亿美元收购高通
据美国彭博社引述知情人士报道，博通正在和顾问伙伴洽谈这一收购，该公司将为收购高通每股出价70美元，收购计划将在未来几天之内宣布，另外收购金额中将包括部分现金。
消息人士也表示，博通公司目前尚未做出最终的并购决定。
对于博通收购高通的前景，美国彭博社指出，除了巨额的资金挑战之外，博通也会遭遇政府监管部门的麻烦。如果按照去年的销售收入，博通和高通合并而成的新公司，将成为全世界第三大半导体公司，仅次于英特尔和三星电子。
这家新公司也将会在手机通信芯片（包括Wi-Fi或者基带芯片）领域占有巨大影响力。之前，全球半导体市场不断出现收购兼并，而高通和博通目前均已经进入了行业前十名。因此，这一收购可能会面临反垄断审核。
前沿技术
1氮化镓功率电子市场将在2017-2022年迎来爆发式增长，复合年均增长率达到84%
10月，法国悠乐（Yole）公司发布最新报告《功率氮化镓（GaN）2017：外延层、器件、应用和技术趋势报告》，指出GaN功率电子市场正在向好的方向发展，2017年该领域显示出巨大的投资，证实了GaN功率技术的附加价值和在大量领域中的应用前景。
2016年，GaN功率电子市场达到了1200万美元。虽然与硅功率半导体市场总额的300万美元相比仍是个小市场，但因其适用于高性能和高频率解决方案，已显示出巨大的增长潜力。
悠乐的技术和市场分析师AnaVillamor博士说：“GaN市场将即将出现一个增长。对于GaN功率业务，2015和2016年是毋庸置疑令人激动的年份。我们预测市场将在2017到2022年间以84%的复合年增长率（CAGR）出现爆发，市场产值将在2022年底达到4.5亿美元。”
2法英日研究人员通过掺杂硼方法提高金刚石MOSFET的沟道迁移率性能
近日，来自法国、英国和日本的研究团队能够利用单一硼掺杂的外延层堆叠制造简单的金刚石MOSFET结构。这种针对WBG材料的新方法能够将沟道迁移率提高一个数量级。该研究成果已经发表于《应用物理学报》。
在典型的MOSFET结构中，在半导体材料的顶部覆盖氧化层，然后是金属栅极，只是在本研究中半导体材料是金刚石。通过在金属栅极施加电压，使得栅极下面的金刚石沟道内的载流子密度和电导率发生显著变化。使用这种电的“场效应”来控制沟道电导率并将MOSFET从导通（导通状态）切换到高绝缘（关闭状态）的能力使得电场效应在功率控制领域受到广泛应用。目前已证明许多金刚石MOSFET依靠金刚石表面的氢终端将正电荷的载流体（称为空穴）转移到沟道中。最近证明了氧键金刚石MOS结构的操作，类似于硅MOSFET的常见工作模式。MOSFET的导通电流强烈依赖于沟道迁移率，并且在许多MOSFET设计中，迁移率对金刚石界面处的粗糙度和缺陷状态非常敏感，容易造成载流子的散射。
为了解决这个问题，研究人员探讨了不同的工作模式，建立了MOSFET，研究人员在380℃环境下，在氧终端厚金刚石外延层上淀积了一层氧化铝（Al2O3）。通过在金刚石层中掺入硼原子而在产生空穴。硼比碳少一个价电子，因此在化合键中会缺少一个电子，其作用就像添加正电荷或空穴。体外延层作为厚导电空穴沟道起作用。通过施加电压来排斥和耗尽空穴 - 形成深度耗尽区，使晶体管从导通状态切换到截止状态。在硅基晶体管中，该电压将导致反型层的形成，晶体管将不会断开。研究人员能够证明金刚石具有独特性质，特别是大带隙，抑制了反型层的形成，从而使得晶体管在深度耗尽状态下运行。
3荷兰莱顿大学研究团队研究出基于石墨烯的新型传感器，具有低噪声、高灵敏度优点
来自荷兰莱顿大学的国际研究团队提出了一种基于石墨烯的半导体器件，当其电荷为中性（称为中性点）时，可以降低电子噪声。研究团队在不需要任何笨重的磁性设备的前提下实现了对该“中性点”的监测，并已将该方法普及到便携式传感器的应用当中。
在概念验证设备中，研究人员使用他们新的感测方案来检测皮摩尔浓度下与HIV相关的DNA杂交。
研究人员利用石墨烯制造了一种电荷检测器，可以检测到近表面的非常少量的电荷。该装置的感测原理依赖于通过场效应的电荷物质检测，其在传感器表面的带电分子吸附时导致石墨烯的电导率发生变化。
利用石墨烯场效应晶体管的独特性质可以获得感测响应的噪声降低和保持：在中性点附近的双极（既是n型又是p型）行为。
这个中性点在石墨烯中表现为材料中电导的最低点，是石墨烯独特的电子能带结构的结果。在这个低传导点下，石墨烯传感器可以在较低的噪声水平下工作。不仅不会影响感测响应，还能降低设备的信噪比，从而导致感测响应的总体改善。
最新设备的另一个特点是使用所谓的原位“电化学清洗”来确保石墨烯表面的清洁，这是一种旨在使石墨烯电子生物传感器提供可靠性能的新技术。
在继续研究中，Fu和他的同事们打算将这种低噪声技术应用于其他单分子检测方法，并在放大时评估传感器的性能。
产品应用
1传苹果将弃用高通基带
10月31日消息，据《华尔街日报》报道，随着苹果和高通之间的专利大战愈演愈烈，苹果计划将在明年的iPhone和iPad中弃用高通LTE芯片。作为替换方案，苹果正考虑在其下一代产品线中，采用只来自于英特尔或是联发科的调制调解器芯片。
据悉，高通公司扣押了一套苹果公司急需的软件，苹果公司需要用这套软件来在它下一代iPhone和iPad原型机上，测试LTE芯片。
《华尔街日报》援引了一位知情人士的消息，称在苹果于今年一月份提交了起诉高通公司的诉讼文件后，高通公司就停止了向苹果共享这套软件，这阻碍了苹果产品研发的进程。然而，高通回应称，苹果早已测试了能适用于下一代iPhone产品的芯片。
高通表示：“可以被用在下一代iPhone产品上的调制芯片早就已经发给了苹果，并经过了全套测试。”
高通公司还补充表示，“高通致力于支持苹果的新设备，正如它也支持其它手机制造商那样。高通的无线解决技术，仍是高端智能手机的黄金标竿。”
多年以来，苹果一直在自家产品中使用高通的调制调解器芯片，但自去年起，苹果在iPhone 7和iPhone 7 Plus中加入了来自英特尔的芯片，让苹果的芯片供应商体系变得更多样化了。
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