芯华舍精选半导体业内一周要闻（2018/08/13——2018/08/19），含投资并购5条、圈内动态4条、前沿技术2条、产品应用1条以及人事变动1条，共13条。全文共5826字，约12分钟，欢迎阅读！
投资并购
1重庆打造300亿元集成电路产业集群
日前，沙坪坝区制定出台《重庆市沙坪坝区以大数据智能化为引领的创新驱动发展战略行动计划(2018-2020年)》，提出将用三年的时间，大力推进七大智能产业发展，打造在全市具有竞争力的智能产业集群，使全区智能产业规模达到1000亿元。
根据《行动计划》，沙坪坝区将依托西永微电园、重庆科学城、西部物流园、大学城等支撑平台，围绕“4+3”智能产业，发挥存量优势，巩固提高集成电路、智能网联汽车、智能硬件、数字文化等四大产业，强化产业短板，加速培育物联网、软件服务、大数据及人工智能等三大产业，推动智能技术转化应用和产品创新发展。
其中，在集成电路产业方面，将以声光电、华润微电子、SK海力士、御芯微等集成电路企业为支撑，外引内延，重点培育芯片研发、设计环节，强化晶圆制造、封装测试能力，构建集设计、封装、测试、制造于一体的集成电路全产业链。力争2020年，成功打造300亿级集成电路产业集群。
2大基金入股苏州国芯科技有限公司
8月13日，记者自工商资料获悉，苏州国芯科技有限公司日前完成股权变更，国家集成电路产业投资基金股份有限公司入股;同时，公司注册资本从1.62亿元增至1.77亿元。
据介绍，苏州国芯科技有限公司成立于2001年。2002年，苏州国芯与美国摩托罗拉签署正式合作协议，成为大中华区正式获得M*Core CPU指令架构和技术授权的企业，接受摩托罗拉当时具有先进水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core 技术及设计方法。在此基础上，苏州国芯先后开发成功C0/C200/C300/C400系列CPU。2010年进一步获得了IBM PowerPC CPU指令架构长期永久授权，基于PowerPC的指令集和架构开发我国自主知识产权的高端嵌入式C*Core CPU，先后开发成功C2000/C8000/C9000系列CPU。
“大基金”即国家集成电路产业投资基金股份有限公司，是在2014年9月由工信部、财政部的指导下设立，其成立目的是为了扶持中国本土芯片产业，以减少对国外厂商的依赖。据今年3月媒体报道，大基金总裁丁文武表示，截至2017年底大基金累计有效决策投资67个项目，累计项目承诺投资额1188亿元。
3星宸IC产业园项目正式落户厦门火炬高新区
8月17日，全球第四、联发科旗下的星宸IC产业园项目已于近日正式落户厦门火炬高新区。该项目被列入2018年厦门市重大项目，预计总投资10亿元，计划2018年实现营收2亿元，并维持快速增长态势。
据了解，星宸IC产业园项目以厦门作为主要据点，成立了厦门星宸科技有限公司，并已在深圳、上海等地设立了子公司，团队规模持续快速增长，将坚持主要IP自主研发，专注于消费电子、安防、物联网和多媒体人工智能芯片领域。
星宸产业园的实力，源于其母公司——台湾晨星半导体股份有限公司。该公司成立于2002年，在LCD控制芯片、模拟及数字电视控制芯片以及机顶盒芯片方面位居全球领导地位。此前，联发科发布公告称与晨星半导体正式合并。依托联发科、晨星半导体的多年积累，厦门星宸IC产业园在SoC（系统级芯片）设计全流程具有丰富经验，在图像、音视频及显示处理等领域具有领先优势。
作为龙头项目，星宸IC产业园将发挥自身优势，带动集成电路上下游配套企业落户我市，形成产业集聚效应，同时也将助力本土集成电路人才培育，推进产学研深度融合，对于我市集成电路产业发展起到积极作用。
星宸IC产业园项目预计总投资10亿元，计划2018年实现营收2亿元。其以厦门作为主要据点，成立了厦门星宸科技有限公司，并已在深圳、上海等地设立了子公司，团队规模持续快速增长，将坚持主要IP自主研发，专注于消费电子、安防、物联网和多媒体人工智能芯片领域。
4富士康半导体工厂将落户珠海
据《华尔街日报》报道，近日，有知情人士表示，富士康科技集团正在向半导体领域发起新的攻势，将与中国珠海市政府合作，建设一个芯片制造厂。
根据珠海市政府官网消息，8月16日上午，珠海市政府与富士康科技集团签署了战略合作协议，双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作。
根据协议，富士康将立足于集成电路产业发展战略，面向工业互联网、8K+5G、AI等新世代高性能芯片的应用需求，与珠海市在半导体产业领域开展战略合作，推动珠海打造成为半导体服务产业发展的重要基地。关于这一合作协议，双方没有透露更多细节。
富士康在一份电子邮件声明中证实，已与当地政府建立合作关系，不过富士康补充称，“目前”还没有在珠海建立半导体工厂的计划。富士康表示，它目前正在制定合作伙伴关系相关的计划，合作伙伴关系涉及珠海市“其他利益相关团体”，“未来几个月这些计划最终敲定后，我们将及时宣布。”
华尔街日报评论认为，此举凸显出富士康董事长郭台铭想把自己的公司从代工行业巨头转变成自有产品生产商的雄心。富士康希望生产零部件和电子产品等，并同时提供制造相关服务。
5韦尔股份拟150亿收购北京豪威、思比科及视信源
8月14日，韦尔股份发表公告，拟以33.88元/股发行约4.43亿股股份，收购北京豪威96.08%股权、思比科42.27%股权、视信源79.93%股权，同时拟募集不超过20亿元配套资金。标的资产股权预估值为149.99亿元。视信源为持股型公司，主要资产为思比科53.85%股权。
韦尔股份主营分立器件（TVS、MOSFET等）、电源管理、射频器件、音频器件等分销和设计，其产品面向的领域包括：移动电话、平板电脑、穿戴设备、蓝牙音箱、移动支付等。而公司豪威科技、思比科都是芯片设计公司，主营业务均为CMOS图像传感器的研发和销售。韦尔股份与被收购公司的业务高度协同，这次收购事件符合上市公司的发展战略。同时，有利于韦尔股份丰富其设计业务产品类别，也有利于为豪威科技、思比科带来智能手机、移动支付、可穿戴设备等领域的客户资源。
圈内动态
1台积电3纳米厂环评“开绿灯”获通过
8月15日，为了迎接3纳米厂，台湾南科管理局今提出南科园区环差变更计划，经过讨论后过关，送交环评大会，也创下重大投资开发案一次就通过环评的纪录。
今天的环差安一度因用水、电及废弃物都增加逾10％，遭环团代表发言质疑是否应重做环评？但在台积电承诺未来20％用电将使用绿电，以及每天使用再生水7.3万吨之下，环评委员仍决定通过本案。
科技部南科园区管理局向环保署提出的环境影响差异分析报告，包括变更园区需水量、污水放流量、污水厂处理容量及用电量等变更。为因应制程厂商设厂需求，将增加每日7.5万CMD用水量及88万千瓦的用电量，也承诺推动使用再生水，预估最大量为每日7.3万吨。
用电部分，南科管理局表示，计划在营运量产后3年内，取得约10万千瓦再生能源装置容量所产出之绿能，预估每年可减少约85.41万公吨二氧化碳。
环评委员经过讨论后，要求南科管理局将所提空气污染物排放总量检讨变更、园区节能减碳对策、污水处理放流水质纳入环境保护对策，以及综合环境管理计划修正内容。并叙明逐年取得20%用电度数的再生能源，以及其他减碳方式达成期程及控管方式，全案将送交环评大会确认通过。
2无锡总投资200亿元的26个重大项目集中开工
8月15日，无锡高新区（新吴区）2018年三季度重大产业项目集中开工仪式暨亚太科技新能源汽车铝材项目开工仪式举行。据悉，此次三季度集中开工项目共26个，涉及到集成电路、高端装备、新能源、生命科技等多个领域，总投资达200亿元。
据了解，今年1-7月，无锡高新区共签约投资了包括10亿美元的LG动力电池、50亿元的海尔物联网基地、30亿元的特康科技等20余个重大产业项目。
从年初至今，无锡高新区已有53个重大产业项目开工，总投资达610.95亿元，其中战略性新兴产业和先进制造业项目39个，涵盖微电子、物联网、智能装备、新材料、新能源、生命医药、汽车精密部件等多个产业领域，单体规模和产业层次都达到近3年来历史新高。
目前，无锡制造企业主要集中在新吴区，开拓了国内晶圆代工先河，占据全国70%的市场份额。无锡现有晶圆生产线共17条（12英寸生产线2条、8英寸生产线1条、6英寸生产线5条、4-5英寸生产线9条），高端制造工艺达到20～10nm级，代表企业包括SK海力士、华润上华、华润微电子等。2017年无锡先后与华虹集团、SK海力士签订了总投资近200亿美元的新生产项目，进一步巩固国内制造核心城市地位。
3华虹无锡12英寸一期生产厂房钢屋架吊装完成
8月12日，华虹无锡集成电路研发和制造基地项目F1生产厂房钢屋架吊装仪式举行，标志着这个总投资100亿美元、无锡历史上单体投资规模最大的项目，建设速度比预定计划提前完成，并进入工程实施的一个新的阶段。首榀钢屋架吊装，相当于传统建筑的上梁，是主体结构施工中的重要节点，在华虹无锡F1生产厂房钢屋架吊装现场，随着首榀钢桁架的吊装就位，意味着工程顺利进入下一个阶段。
华虹无锡集成电路研发和制造基地项目，自今年3月2日开工以来，华虹集团、十一科技、上海建工紧密合作，坚持“安全是前提，质量是基础，进度是关键”，有力、有序、有效地推进工程建设进度。按照建设计划，华虹无锡项目在2019年1月将完成生产厂房主体节构、二次结构，下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并试产，届时无锡将成为全国集成电路高端生产线最密集的地区之一。
4华大九天方案正式进入TowerJazz设计参考流程
日前，电子设计自动化（EDA）解决方案供应商华大九天宣布，其模拟/混合信号全流程IC设计解决方案已正式进入全球领先的晶圆代工厂TowerJazz公司的设计参考流程。华大九天模拟/混合信号全流程IC设计平台与TowerJazz先进制造工艺的结合，将为双方共同的客户提供全面的自动化设计解决方案，加速IC设计进程，提高流片成功率。同时，基于华大九天模拟/混合信号全流程IC设计平台的工艺数据包，包括PDK、Spice模型、物理验证规则集以及寄生参数提取规则文件等，已被上传至TowerJazz的eBiz系统供双方客户下载。
华大九天的模拟/混合信号IC设计全流程解决方案包括电路原理图编辑器（Empyrean Aether™ SE）、电路仿真器（Empyrean ALPS™）、版图编辑器（Empyrean Aether™ LE）、物理验证工具（Empyrean Argus™）及RC寄生参数提取工具（Empyrean RCExplorer™）。
TowerJazz提供了广泛、可定制的工艺技术，包括高性能模拟应用（HPA）的锗硅（SiGe）BiCMOS工艺和基于Bulk或SOI的CMOS射频（RF CMOS）工艺；CMOS图像传感器（CIS）工艺；BCD和700V的电源管理工艺（Power Management），并支持有独立专利的非挥发性存储器（NVM）Y-Flash；CMOS工艺；混合信号工艺（Mixed Signal）以及MEMS技术能力，专注于新一代汽车电子、医疗、工业、消费电子、航空及国防领域模拟芯片制造。
前沿技术
1美陆军支持大学制造超高压碳化硅器件
美国纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）表示，纳米工程副教授Woongje Sung博士已获得美国陆军研究实验室（ARL）为期三年价值207.8万美元的联邦资助，用于推进“超高压碳化硅器件制造”（MUSiC）项目。
该研究通过开发比传统的硅基器件更高的电压，并实现更可靠和更强大的碳化硅（SiC）开关器件，旨在建立一种领先的工艺，用于创建具有诸如从太阳能、电动汽车到电网等一系列军事和商业用途的功率电子芯片。
Woongje Sung博士的研究将有助于为MUSiC项目建立一种基线工艺。SiC高压器件将在SUNY Poly领导的纽约功率电子制造联盟（NY-PEMC）的工厂制造，该工厂位于奥尔巴尼纳米技术研究中心，是美国仅有的两家提供6英寸SiC器件代工服务的代工厂之一。
这项以功率电子为重点的研究还将为SUNY Poly的研究生提供支持，他们将在与NY-PEMC工艺团队密切合作过程中获得大量一手经验，包括优化器件结构、设计工艺流程和表征制造器件的电气性能等各方面。更具体地说，这些学生将设计和优化10-15kV金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）——功率电子芯片的开关器件——使用2D器件仿真。器件制造完成后，学生们将提供反馈，以进一步改进器件设计和工艺。
2电力美国资助6个新项目推动美国宽禁带技术发展
作为美国制造业创新中心之一的电力美国（PowerAmerica）为6个新的项目提供支持，这些项目旨在加强美国的宽禁带（WBG）技术。此外，PowerAmerica还为现有成员领导的20个项目提供了支持，为该周期提供总计2000万美元的项目资金。
PowerAmerica的副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis表示：“这些项目有助于PowerAmerica实现加速将宽禁带技术应用于电力电子系统的使命，到目前为止，该创新中心已资助了大量项目，这些项目有助于开发更高效的功率电子产品，这将有利于实现从电动汽车到数据中心等一系列应用。”
留个项目分别为:先进可靠的WBG功率模块的设计和制造、用于直接48V至低于1V PoL DC-DC模块的双电感混合转换器、用于中压级固态电路断路的WBG器件、600V GaN双栅极双向开关、研究生宽禁带半导体功率器件实验室、加入WBG半导体开关和电路的电力电子教学实验室。
2014年11月，下一代电力电子制造创新中心成立，由美国能源部支持，于2015年开放设施，随后更名为电力美国(PowerAmerica)，中心位于北卡罗莱纳州立大学（NCSU），致力于推进以氮化镓和碳化硅为基础的宽禁带半导体电力电子器件。该中心由美国能源部、行业合作伙伴和北卡罗来纳州共同出资成立，并拥有超过45家领先的宽禁带半导体领域公司成员组合。
产品应用
1以色列VisIC公司宣布推出9 KW GaN半桥板
位于以色列的GaN功率半导体公司VisIC Technologies宣布推出一款新的水冷半桥评估板，以展示使用其GaN全开关（高级低损耗开关）可实现的性能。
V22N65A-HBEVB评估平台可以在任何半桥拓扑中运行，并且仅使用单个V22N65A晶体管在高达9kW的降压和升压拓扑中进行测试。这是市场上首款基于GaN的解决方案，可提供高达9kW的功率，无需并联，使其成为混合动力和电动汽车中高密度车载充电器（OBC）的理想选择。
V22N65A全开关SMD分立式顶部冷却器件具有超低导通和开关损耗以及先进的隔离封装设计，可实现每个GaN器件的最大性能和功耗。
低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压（5V）相结合，使设计人员能够在多kW范围内的高功率应用中安全地使用VisIC GaN开关。
V22N65A-HBEVB评估平台包括：使用22mOhm GaN全开关的半桥功率级;来自Silicon Labs的隔离半桥驱动器（Si82394）; Murata的两个隔离辅助电源（NXE251212MC）;死区时间控制从75ns到200ns。
人事变动
1“紫光系”人事变动！刁石京正式上任!
前工业和信息化部电子信息司司长、紫光集团联席总裁刁石京于2018年8月14日正式出任紫光国芯微电子股份有限公司(以下简称“紫光国徽”)董事长。
2018年8月14日晚，紫光国徽发布公告称，选举刁石京先生为公司第六届董事会董事长、法定代表人，同时，同意补选刁石京先生为公司第六届董事会薪酬与考核委员会委员。
紫光集团系清华大学校办企业，官网介绍，紫光集团是目前中国最大的综合性集成电路企业，全球第三大手机芯片企业，旗下有紫光股份、紫光国微、紫光学大3家A股上市公司和紫光控股1家港股上市公司。清华控股为上述4家上市公司实际控制人。
公开简历显示，刁石京先后毕业于清华大学、西安交通大学。研究生学历，工商管理硕士，高级工程师。曾任电子工业部办公厅、信息产业部办公厅部长办公室副主任;国务院信息化工作办公室综合组副组长兼机关党委副书记;工业和信息化部电子信息司副司长、司长。兼任全国信息技术标准化技术委员会副主任委员、全国音频视频及多媒体系统与设备标准化技术委员会主任委员、工业和信息化部电子科技委副主任委员及通信科技委委员，在ICT领域拥有超过30年经验。
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