从“摩尔定律”到“超越摩尔定律”，ICPF半导体制造技术大会预告来袭！

10:00-10:05

开幕致辞

10:05-10:35

主题：半导体产业发展机遇与挑战

亮点：半导体产业作为现代科技和电子产业的核心，对于全球经济发展起着至关重要的作用。2023年，随着ChatGPT热度暴增，人工智能、云计算和5G等新兴技术的兴起，对半导体芯片的需求正在不断增加，半导体行业将迎来巨大的机遇。然而，为了满足对于这些新兴产业的应用要求，半导体行业在提升技术与设计能力上也将面临不少挑战。

10:35-11:05

主题：多生态存储器先进封测技术新机遇

亮点：存储器作为电子元器件的重要组成部分，在半导体产品中占有很大比例，近年来储存产品的需求率也一直处于增长状态。随着储存产品的不断升级发展，越来越多的厂商选择采用先进封装技术能够提升存储性能。在此情况下，先进的封测技术将会是未来存储技术的重要发展方向。

11:05-11:35

主题：AI技术在SIP产品六面检查方案的应用和挑战！

亮点：AI技术在SIP产品六面检查方案中的应用可以提高检查效率和准确性，帮助检测和排除制造过程中的缺陷和问题。通过使用计算机视觉技术，AI可以对SIP产品的外观进行快速而准确的检测，识别表面缺陷、划痕、污染等问题。然而在AI技术实际使用中，也需要面临数据准备、算法鲁棒性和适应性以及实时性和效率等挑战。

11:35-12:05

主题：日东解决方案在SIP工艺中的应用

亮点：对于不同的SiP产品，所采用的工艺和材料也有所区别，不同的选择所带来的成本、周期是不一样的。如何针对SiP产品选择正确的工艺，也是一门学问。日东科技作为国内资深智能设备企业，针对不同SiP工艺有不同的解决方案。

午休

13:30-14:00

主题：车用模块微型化封装技术

亮点：车用模块微型化封装技术是指将车辆电子模块进行微型化封装，以实现更小体积、更轻量化的车载电子设备。在这个过程中需要在尺寸、散热、电磁兼容、可靠性等方面进行综合考虑和优化设计，来可以提高车辆的性能、功能和可靠性，满足汽车工业对轻量化、高集成度和高可靠性的要求。

14:00-14:30

主题：待定

14:30-15:00

主题：半导体失效分析遇到的难点与挑战

亮点：半导体失效分析对于完善产品，提高整机的成品良率和可靠性有重要意义，是不可缺少的一环。然而随着半导体器件的不断复杂化导致了失效分析投入及分析步骤的增加，因此需要了解如何充分利用失效分析资源，高效且精准的完成分析，避免不必要的消耗。

15:00-15:30

主题：从异构集成到CHIPLET

亮点：CHIPLET无疑是近几年热门技术之一，它为异构集成提供了更大的发挥空间。同时，通过异构集成，也使得Chiplet方案得到更大范围的落地，促进Chiplet技术的成熟和市场繁荣。

15:30-16:00

主题：摩尔精英SiP技术解决方案

亮点：当前SiP设计技术在大量的领域中广泛应用，是成为未来集成电路的趋势。但随着高级封装愈发复杂化，使半导体封装的过程变得更加复杂。摩尔精英作为国内先进的一站式芯片设计和供应链服务平台，拥有超过15年先进封装经验的SiP封装团队，在SiP技术方面有着独特的见解。

10:00-10:05

开幕致辞

10:05-10:35

主题：创新异质整合技术

亮点：创新异质整合技术指将不同领域的技术、材料或组件整合在一起，以创造出新的功能和应用。目前，创新异质整合技术已被广泛应用。例如半导体技术与生物技术的整合、光电子技术与能源技术的整合及人工智能技术与机器人技术的整合等。这种技术整合可以突破传统技术的限制，实现更多样化、高效能的解决方案，带来更高水平的性能和效果。

10:35-11:05

主题：车规级芯片封装解决方案

亮点：车规级芯片封装解决方案是为满足汽车电子领域的特殊需求而设计的，它能够提供高可靠性、高温度工作、抗振动和抗电磁干扰的功能，以保证芯片在汽车环境中的正常运行。通常采用先进的封装技术，如多芯片封装、系统级封装、封装球阵列等，以满足汽车电子应用对芯片封装的要求。同时，针对不同的汽车电子应用，还可以采用特殊的封装材料和工艺，如高温封装材料、无铅焊接工艺等，以提高芯片的可靠性和耐用性。

11:05-11:35

主题：先进测试技术助力先进封装发展

亮点：在新兴产业和半导体技术发展的带动下，先进封装得到越来越多的应用，封装测试市场也在持续增加中。而要让新技术普及，必须先完善测试技术，这样才能确保新技术的一准确应用。

11:35-12:05

主题：利用恩艾NI STS方案解决新射频芯片测试挑战

亮点：恩艾NI STS方案是一种强大的软件定义的射频芯片测试解决方案，通过集成多种测试仪器和软件，它采用模块化设计，可以根据测试需求选择不同的测试模块和仪器。这使得它能够适应不同类型和规模的射频芯片测试提供了全面的射频测试功能，帮助解决新射频芯片测试所面临的挑战，提供高效、准确和可靠的测试结果，帮助提高产品质量和生产效率。

午休

13:30-14:00

主题：高速、高频通信等应用的先进封装与系统集成技术

亮点：在高速、高频通信等应用中，先进封装与系统集成技术起着关键作用。高速、高频通信等要求更高的数据传输速率和更低的信号损耗。先进封装与系统集成技术可以实现高密度的电路布局、优化信号传输路径，提高信号传输速率和降低信号损耗，提供更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸，从而满足高速、高频通信的需求。

14:00-14:30

主题：异质整合 – 多芯片模组 (MCM) 封装的新挑战与解决方案

亮点：在目前终端产品需求多元化与客制化的趋势下，越来越多企业选择异质整合封装技术，通过在更小的空间内整合多种芯片，来达到更佳的效能与更好的整合度。然而，在异质整合的过程中，也面临着一些严峻的挑战，例如因材料间性质差异所导致的误差和不稳定；各厂商制作芯片所采用的标准不同，而导致不同芯片之间无法进行兼容等问题。

14:30-15:00

主题：高性能芯片和高密度封装应用

亮点：高性能芯片和高密度封装是现代电子产品中的重要组成部分。它们在各个领域都有广泛的应用，例如人工智能、机器人、航空航天、能源等。有助于处理大规模数据、实现高速计算和实时响应等。高性能芯片和高密度封装应用对于推动科技进步起着重要的作用。

15:00-15:30

主题：半导体芯片封装点胶应用的痛点及解决方案

亮点：为确保半导体芯片的稳定性及可靠性，封装点胶技术发挥着重要的作用。然而在点胶技术实际应用过程中，可能发生的问题层出不穷，比如点胶的一致性、点胶中可能出现的气泡等。如何解决这些问题，提高组装精度和稳定性，非常值得关注。

15:30-16:00

主题：极端温度、极端尺寸条件芯片连接技术

亮点：在极端温度和尺寸条件下进行芯片连接是一项具有挑战性的技术。在极端温度下，芯片连接需要能够承受高温或低温的影响，并保持稳定的电性能。而在极端条件下，芯片连接需要在微小的空间内实现可靠的连接。目前在航空航天、汽车电子、工业自动化和医疗设备等领域中得到广泛应用。针对极端温度和尺寸条件的芯片连接技术是一个不断发展和创新的领域，为各种应用提供了解决方案。

9:40-9:45

开幕致辞

9:45-10:05

主题：化合物半导体芯片封装需求分析与技术探讨

亮点：化合物半导体芯片封装是一个复杂的领域，需要满足温度管理、电气连接、机械保护和尺寸密度等要求。在技术上，焊接封装、焊球连接、压缩连接和3D封装等技术可用于化合物半导体芯片的封装。因此，在进行需求分析和技术探讨时，要结合具体的应用场景和需求进行深入研究和讨论。

9:45-10:05

主题：化合物半导体芯片封装需求分析与技术探讨

亮点：化合物半导体芯片封装是一个复杂的领域，需要满足温度管理、电气连接、机械保护和尺寸密度等要求。在技术上，焊接封装、焊球连接、压缩连接和3D封装等技术可用于化合物半导体芯片的封装。因此，在进行需求分析和技术探讨时，要结合具体的应用场景和需求进行深入研究和讨论。

10:05-10:25

主题：生态共携手，同享碳化硅辉煌未来

亮点：碳化硅是一种重要的化合物半导体材料，具有优异的功率特性和高温性能，被广泛应用于功率器件领域。碳化硅额使用有助于提高能源转换效率、减少能源损耗和环境污染，推动可再生能源和绿色交通的发展，促进能源的高效利用和可持续发展，因此在生态应用中具有广阔的发展前景。随着技术的不断进步和市场需求的增加，碳化硅将得到更加广泛的应用。

10:25-10:45

主题：氮化镓微波功率器件的研究与应用

亮点：氮化镓微波功率器件一种基于氮化镓材料的高频高功率器件，具有优异的高频特性和功率处理能力，在通信、雷达、无线电频谱和军事应用等领域具有重要作用。近年来，氮化镓微波功率器件的研究进展迅速，研究人员致力于提高器件性能，为氮化镓微波功率器件在更多领域得到应用带来可能性。

10:45-11:05

主题：碳化硅技术与未来挑战

亮点：碳化硅技术作为一种新兴的半导体技术，是第三代半导体产业发展的重要基础材料，特别是在新能源汽车、光伏发电、智能电网等领域具有明显优势。虽然碳化硅具有众多优点，但较高的制造成本、特殊封装技术等仍是现在面临的挑战。然而技术进步和产业合作的推动，碳化硅技术的发展前景仍然看好。

11:05-11:25

主题：SiC晶圆减薄及激光退火技术进展

亮点：SiC晶圆减薄和激光退火技术是SiC材料加工和制造中的重要环节，有助于提高SiC器件的性能和可靠性。并且在功率电子、光电子和传感器等领域的应用具有重要意义。它们可以提高SiC器件的性能、可靠性和制造效率，推动SiC技术在各个领域的广泛应用。

11:25-11:55

主题：氮化镶功率器件与创新封装技术及应用

亮点：氮化镶功率器件是基于氮化镓（GaN）材料的功率电子器件。它具有许多优点，如高电压、高频率和高温度工作能力，以及低开关损耗和高效率。这使得氮化镶功率器件在电力转换、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域具有广泛的应用前景。

13:30-13:50

主题：650V硅基氮化家器件结构与工艺研发

亮点：650V硅基氮化家器件是一种基于硅基衬底的氮化镓功率器件，具有高电压、高频率和高温度工作的特点。它是氮化镓材料在功率电子领域的重要应用之一。650V硅基氮化家器件的研发旨在提高其性能和可靠性。这包括优化材料的生长质量、改进器件结构设计、优化工艺步骤和提高封装技术等方面。通过这些研发工作，可以实现更高的功率密度、更低的开关损耗和更高的工作温度范围，从而满足不同应用领域的需求。

13:50-14:10

主题：VCSEL器件技术进展及其在数据中心与汽车激光雷达中的应用

亮点：VCSEL，作为一种半导体光源，相较于其他半导体光源一样，体积小、可简易封装，适用于各种对体积有要求的场景，因此在数据中心和汽车激光雷达等领域中得到广泛应用。在汽车激光雷达中，VCSEL器件的应用主要集中在感知系统中，它们可以提供更准确的障碍物探测和跟踪，为自动驾驶和智能安全系统提供关键的数据支持。

14:10-14:30

主题：InP基激光器及应用

亮点：InP基激光器由于其高效率、高温工作能力、高功率输出、窄线宽和快速调制速度等优点。在通信、传感、光谱分析和工业加工等领域具有广泛的应用前景。

14:30-14:50

主题：车规级功率器件测试标准的解析

亮点：车规级功率器件测试标准旨在确保汽车电子系统的可靠性、安全性和性能，以满足汽车行业的要求。这些测试标准的制定和执行需要符合汽车行业相关的标准和规范，还需要考虑到不同类型的功率器件的特殊性要求，从而保证汽车电子系统的正常工作和安全性。目前常见的车规级功率器件测试标准有：AEC-Q100、ISO 16750、JEDEC JESD22。是一个不断发展和创新的领域，为各种应用提供了解决方案。

14:50-15:10

主题：碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展

亮点：近年来，碳化硅功率器件作为是一种新型的高性能功率电子器件，它在外延生长、制备工艺、结构设计和封装技术等方面有了一些进展。这些进展有助于提高碳化硅器件的性能和可靠性，推动碳化硅功率器件在电力转换、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域的应用。

15:10-15:30

主题：第三代半导体器件封装用陶瓷基板技术研发于产业化

亮点：陶瓷基板技术是一种具有优异热导性和机械强度的材料，在第三代半导体器件封装中具有重要的应用价值。通过使用陶瓷基板，可以实现对器件的散热和保护，提高器件的性能和可靠性。陶瓷基板技术的研发和产业化主要包括材料的选择和制备、封装工艺的优化以及可靠性测试等方面。通过不断改进和创新，陶瓷基板技术正在逐步成熟，并在第三代半导体器件的封装中得到广泛应用。

15:30-16:00

主题：GaN功率器件动态导通电阻测试技术研究

亮点：作为第三代半导体器件的重要代表，氮化镓(GaN)功率器件凭借优异的材料性能，具有十分广阔的应用前景。而GaN功率器件动态导通电阻测试技术的研究对于推动GaN功率器件的发展和应用具有重要意义，有助于设计更高效、可靠的电子系统。

16:00-17:00

圆桌对话

9:45-10:05

主题：化合物半导体工艺与装备研究

亮点：化合物半导体工艺与装备研究是指针对化合物半导体材料（如氮化镓、碳化硅等）的制备和加工过程进行的研究。这些材料具有优异的电学、光学和热学性质，通过深入研究和优化工艺和装备，可以提高化合物半导体材料的质量和器件的性能，推动其在通信、光电子、能源等领域的应用。然而，由于其特殊的物理和化学性质，与传统的硅基半导体相比，化合物半导体的工艺和装备面临着一些挑战。

10:05-10:25

主题：大尺寸碳化硅衬底制备技术进展及产业发展的思考

亮点：大尺寸碳化硅（SiC）衬底制备技术在过去几年取得了显著的进展，为SiC器件的发展和产业化提供了重要支撑。随着技术的不断成熟和市场的不断扩大，随着技术的不断进步和成熟，碳化硅电子器件的产业化也将得到进一步推动。碳化硅电子器件在电力转换、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域有广泛应用前景，有望成为下一代高性能和高温度应用的关键技术。

10:25-10:45

主题：碳化硅功率器件在新能源车产业中的机遇

亮点：碳化硅（SiC）功率器件因其更高的工作温度、更低的功率损耗、更高的开关速度和更高的功率密度，在新能源车产业中具有重要的机遇。它们可以提高电动车的性能和效率，延长续航里程，同时也可以减少充电时间和提高充电效率。随着SiC技术的不断发展和成熟，相信SiC功率器件将在新能源车产业中发挥越来越重要的作用。

10:45-11:05

主题：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发

亮点：氮化铝（AlN）陶瓷作为一种非常适合用于高功率、高引线和大尺寸芯片的新型电子器件封装基板材料，有优异的导热性能和电绝缘性能，因此被广泛应用于高功率电子器件中。目前对于面向高功率器件，为了提高导热率，超高导热AlN陶瓷基板的研制和开发是一个非常重要的课题。

11:05-11:25

主题：先进GaAs/InP半导体激光器及封装

亮点：先进GaAs/InP半导体激光器及封装涉及到高性能半导体激光器的设计、制备和封装技术，是一项重要的研究领域。GaAs和InP材料具有优异的光电性能，它可以帮助提高设备的性能、可靠性和集成度，促进相关技术的应用和商业化，因此被广泛应用于光通信、激光雷达、光纤传感等领域。

11:25-11:55

主题：硅基氮化家器件及其功率和射频系统应用

亮点：硅基氮化家族器件是指使用氮化硅（SiN）作为基底材料的半导体器件。氮化硅具有优异的热稳定性、高电子迁移率和宽带隙等特性，使得它在功率和射频系统应用中具有广泛的应用前景。它们能够提供高功率、高频率和高性能的解决方案，有助于推动无线通信、卫星通信和雷达等领域的发展。

13:30-13:50

主题：氮化镓功率器件在茂硕PD电源中的应用

亮点：茂硕PD电源是一种采用氮化镓功率器件的高效能电源系统。PD代表"Power Delivery"，意味着它能够提供高功率的电能传输和转换。茂硕PD电源利用氮化镓功率器件的优势，实现了高效率的能量转换和稳定的电源输出。氮化镓器件具有低导通电阻、高开关速度和高温稳定性的特点，使得茂硕PD电源能够在高功率密度和高频率下工作。

13:50-14:10

主题：碳化硅功率半导体模块精准动静态特性与可靠性测试解决方案

亮点：碳化硅功率半导体模块的精准动态、静态特性和可靠性测试的目的是评估其性能和可靠性，以确保其在实际应用中的稳定性和可靠性。目前常见的测试方式主要有高速脉冲测试、开关特性测试、静态电流-电压特性测试、温度特性测试、寿命测试、湿度/腐蚀测试等。

14:10-14:30

主题：基于氮化镓单晶衬底的功率器件研究

亮点：基于氮化镓单晶衬底的功率器件研究是当前领域的热点之一。氮化镓材料具有优异的物理特性，使其成为高功率器件的理想选择。基于氮化镓单晶衬底的功率器件研究涉及到测试方法选择、测试装置设计、温度效应考虑和数据分析与模型建立等方面。这些研究工作对于提高功率器件的性能和可靠性具有重要意义。

14:30-14:50

主题：第三代半导体装备：从器件制造到性能表征

亮点：第三代半导体装备通常是以氮化镓和碳化硅为核心材料，相较于传统硅材料，具有更高功率密度、工作温度和频率特性。在第三代半导体器件制造和性能表征过程的过程中，选择合适的装备和测试方法对于实现高质量的第三代半导体器件至关重要。这些装备和测试方法的发展和创新将推动第三代半导体技术的进一步发展和应用。

14:50-15:10

主题：第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现

亮点：第三代半导体功率器件如碳化硅和氮化镓器件的可靠性测试是确保其在实际应用中能够长期稳定运行的重要步骤。常用的测试方法有温度循环测试、电压应力测试恒定电流老化测试等，这些测试方法通常需要使用专用的测试设备和测试程序来实施。测试结果将被记录和分析，以评估器件的可靠性，并在必要时进行设计改进或优化。

15:10-16:10

圆桌对话