【视界】前沿产业一周资讯（No.209）：集成电路

国内动态

中国科学院微电子研究所研发进展取得突破

中国科学院微电子研究所在铁电二极管噪声研究、POSIT浮点数SRAM存内计算宏芯片、互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）等领域取得突破，其中CVFET作为下一代晶体管架构，通过垂直堆叠NMOS与PMOS器件，实现更高集成密度与性能，适配AI算法需求。

国内首条12寸硅光芯片流片平台投用

武汉光谷建成全国产化硅光芯片流片平台，基于12寸40nm CMOS工艺线，整合硅光PDK/TDK/ADK全流程工具链，加工精度、波导损耗达国际先进水平。平台采用MPW服务模式降低研发成本，推动光谷“3+2”产业体系（存储/化合物/三维集成+先进封装/硅光）发展，填补高端硅光制造空白。

企业动态

成都华微发布异构SoC新品并亮相成渝集成电路盛会

成都华微在ICCAD—Expo 2025成渝展期间，发布基于RISC—V架构的异构SoC新品，并展示高速信号链系列芯片技术突破。

三星美国泰勒工厂加速建设，与台积电共研特斯拉AI5芯片

三星美国泰勒工厂获ASML EUV设备支持，将与台积电联合生产特斯拉AI5芯片。此前，三星已与特斯拉达成165亿美元订单，此次合作标志其在先进制程领域的技术协同与产能扩张。