【环欧科普】带你了解区熔硅单晶- 大数跨境

天津中环领先

2017-01-17

导读：区熔硅单晶是利用高频电磁场在半导体棒料一端加热产生一熔区，再熔接单晶籽晶，调节温度使熔区缓慢向硅棒的另一端移动，通过整根棒料生长成一颗单晶，在产品品质方面具有很强的竞争力。

区熔硅单晶是利用高频电磁场在半导体棒料一端加热产生一熔区，再熔接单晶籽晶，调节温度使熔区缓慢向硅棒的另一端移动，通过整根棒料生长成一颗单晶。区熔法可以获得电阻率和纯度都很高的单晶硅，其氧、碳含量低，少子寿命高，在产品品质方面具有很强的竞争力。

工艺流程

产品介绍

目前区熔产品包括中子辐照掺杂单晶和气相掺杂单晶两种类型，8英寸及以下尺寸单晶已实现量产。区熔硅单晶主要的应用领域有电子电力器件，高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等高压大功率器件及铁路、电站以及由新型能源技术所推动的变压变频器件。

一、中子辐照区熔硅单晶

（NTDFZ-Silicon）

本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶体管（GTR）、晶闸管（GRO）、静电感应晶闸管（SITH）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超高压二极管（PIN）、智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等，是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

二、气相掺杂区熔硅单晶

（GDFZ-Silicon）

利用杂质的扩散机理，在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质，从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题，可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶，其电阻率在0.01-200Ω.cm，径向电阻率不均匀性≤10%。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、高效太阳能电池等。