直拉硅单晶及晶片应用于各种集成电路、太阳能电池、特殊电子器件等，该类器件广泛应用于各类节能照明设备、汽车工业用电子元器件、大小及重型电力拖动装置机车的变频调速、高频、中频炉的大功率震荡管的固态化、大型工业用鼓风机的驱动电机调速、巨型水力、火力发电站的远距离超高压交、直流输变电、高效太阳能电池（尤其是航天太阳能电池）、无线通讯、探测器等领域。
一、直拉硅单晶（CZ-Silicon）
采用平扩肩、高拉速制备的大尺寸重/轻掺直拉硅单晶具有低的氧碳含量和高的少子寿命，适用于制作各类集成电路，二极管、 三极管、绿色能源太阳能电池等。可掺入特殊元素例如镓（Ga）、锗（Ge），制作出特殊器件需要的集高效、抗辐射、抗衰减的太阳能电池用材料。
二、磁场直拉硅单晶（MCZ）
将磁场用于直拉工艺，生产出具有低氧含量、高电阻率均匀性的直拉单晶，适用于制作各类集成电路器件、各类分立器件，低氧太阳能电池的硅材料。
三、重掺杂硅单晶
（CZ heavily doped crystal）
采用特殊掺杂装置及直拉工艺，可制备出电阻率极低的掺磷、锑、砷（P、Sb、As）的重掺直拉硅单晶，主要用作外延片的衬底材料，用于制造超大规模集成电路开关电源、肖特基、二极管和场控高频电力电子器件等特殊电子器件。
四、<110>特殊晶向直拉硅单晶
<110>硅单晶产品具有原始晶向<110>，不需二次加工调整晶向，具有晶格结构完美，氧碳含量低等特点，是一种新型的太阳能电池材料，也可以做锂离子电池的电极材料。采用其制备的超薄、高效太阳能电池可获取较高的输电效率，可以有效地克服遮挡效应，同比传统太阳能电池可节约材料3倍。
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