中环环欧天津市科技支撑计划项目验收会圆满召开

中环环欧项目组通过自主研发解决了区熔单晶生长自动化和热场设计这一世界级难题，研制出我国第一颗8英寸区熔硅单晶并已实现产业化。通过该项目的实施，形成了从单晶制备、硅片加工、抛光片加工、器件制作一条完整的国产IGBT产业链。中环环欧公司已建成IGBT用区熔硅单晶产业化示范基地，产品质量达到国际先进水平，并实现区熔硅单晶抛光片出口。中环环欧已成为世界第三家能够提供8英寸区熔硅抛光片的企业。

该项目的正式验收，标志着中环环欧在半导体材料行业的技术水平上升到了一个新的台阶。打破了区熔8英寸硅单晶拉晶技术被国外企业长期的垄断，提高了区熔硅单晶全球市场占有率。进一步促进我国电子信息产业的发展，提升我国半导体材料行业的整体水平，加快推进我国集成电路产业发展贡献力量。

相 关 阅 读

以IGBT为代表的高压大功率节能型电子器件的快速增长,造成生产功率器件的主体材料区熔硅单晶抛光片的紧缺,对国内电力电子器件的发展形成制约,从而威胁到我国以高压输变电、智能电网、高铁建设等为代表的一系列重大项目的安全。目前区熔硅单晶的主流产品仅为5-6英寸,本项目面对市场需求,环欧公司立项研制6-8英寸区熔硅单晶生长工艺及晶体自动生长系统、抛光工艺,提高国内半导体材料行业整体水平,促进国内以IGBT为代表的新型电力电子器件产业的发展。

环欧公司具有一支以国务院授衔半导体材料专家沈浩平为首的国内一流的研发队伍，多年来致力于区熔硅单晶领域的研发工作,拥有24项相关发明专利。目前已经完成6英寸区熔硅单晶的研发，2009年在现有设备上已经成功生长7英寸区熔单晶硅。已初步建立了8英寸区熔单晶生长的数学模型,为8英寸区熔单晶硅的研发奠定了理论和技术基础。