等离子体增强化学气相沉积( PECVD)是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的一种化学气相沉积( CVD)反应，是集等离子体辉光放电与CVD于一体的薄膜沉积技术。PECVD沉积氮化硅的过程温度仅需300～400℃，因此氮化硅不会出现因温度过高引起器件失效的问题。此外，PECVD法还可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。
采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其次，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；最后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。
采用PECVD法获得的SiNx:H薄膜能对氮化硅起到表面钝化和体钝化的作用，成为一种能大幅度提高多晶硅太阳电池效率的多功能减反射膜材料。
==关于我们==
肇庆市振华真空机械有限公司
www.zhenhuavacuum.com
振华真空以研发、销售、生产、服务于一体，专注于真空镀膜设备领域。拥有华南最大的真空设备制造基地，拥有经验丰富的技术团队，为客户提供专业的解决方案及快捷优质的售后服务，实现共享、共赢的经营理念！
