热激发化学气相沉积介绍- 大数跨境

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热激发化学气相沉积介绍

广东振华科技股份有限公司

2022-03-10

导读：通常CVD反应是依靠高温来进行的，因此又称为热激发化学气相沉积（TCVD）。一般采用无机物前驱体

通常CVD反应是依靠高温来进行的，因此又称为热激发化学气相沉积（TCVD）。一般采用无机物前驱体，在热壁跟冷壁反应器中进行。其加热的方式有射频（RF）加热、红外辐射加热、电阻加热等。

热壁化学气相沉积

热壁化学气相沉积反应实际上是一个恒温炉，通常用电阻元件加热，用于间断式的生产。图所示为切屑刀具涂层的热壁化学气相沉积生产设备示意图。这种热壁化学气相沉积可以涂覆Tin、Tic、TiCN等薄膜。其中反应器可以设计得很大，装入大量的零件，并可十分精细地控制条件进行沉积。用于半导体体器生产的掺杂硅的外延层装置。炉中的基片按垂直方向放置，以减小沉积面的污染，又可大大增加生产装载量，用于半导体生产额热壁反应器，通常是在低压下操作的。