近日，由成都士兰半导体制造有限公司承担的四川省重点研发项目“12英寸硅片超重掺杂及多层外延生长技术”成功通过结题验收。
验收组通过听取汇报、审阅资料和质询答疑等方式，一致认为该项目技术路线正确，研究方法科学，资料详实，经费使用合规，完成了任务书规定的各项指标，同意通过验收。
本项目基于成都士兰自主开发的硅外延工艺技术平台，与相关高校开展强强联合的技术攻关，围绕理论创新、技术创新和应用创新等方面，通过基础材料开发、工艺技术优化、加工精度提升，完成12英寸硅外延片超重掺杂、多层不同掺杂元素的连续外延生长技术的设计和制造验证，实现12英寸硅外延片量产及产业化示范应用。
经过项目组的不懈努力，取得了丰硕成果。成功申请发明专利6项，公开发表论文3篇，获得了3项成果认定，技术水平为国内领先。
成都士兰半导体制造有限公司一直以来坚持以技术创新驱动企业发展，不断加大研发投入，先后成立了多个技术研究中心。近年来，公司获得“四川省半导体功率模块封装工程技术研究中心”“四川省硅基半导体薄膜材料工程研究中心”“四川省企业技术中心”等授牌，持续提升企业自主创新能力和核心竞争力。