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士兰微电子2026年特色工艺与先进封装技术研讨会暨产学研推进会圆满落幕

士兰微电子2026年特色工艺与先进封装技术研讨会暨产学研推进会圆满落幕 士兰半导体制造
2026-04-27
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导读:士兰微电子2026年特色工艺与先进封装技术研讨会暨产学研推进会圆满落幕!
士兰微电子2026年

特色工艺与先进封装技术研讨会

暨产学研推进会圆满落幕





     2026年4月24日,士兰微电子2026年特色工艺与先进封装技术研讨会暨产学研推进会在士兰成都公司多功能会议厅隆重举行。来自省市政府部门、高校院所、行业协会的150余位嘉宾齐聚成都金堂,围绕后摩尔时代技术突破、AI赋能半导体、产学研成果转化等议题深入研讨,共话功率半导体与先进封装产业高质量发展新路径。





     此次研讨会由四川省经信厅、成都市经信局、成都市科技局、省市县科协及成都市电子学会、成都市集成电路行业协会指导,杭州士兰微电子股份有限公司和士兰半导体制造事业总部主办,成都士兰半导体制造有限公司和成都集佳科技有限公司公司(以下合称“士兰成都公司”)承办,会议由士兰成都公司省级研究中心主任李可为教授主持。




     本次会议是继2024年首届研讨会成功举办后,士兰微电子再度在蓉举办的高规格行业技术交流盛会。会议现场,成都市电子学会向士兰成都公司授牌,授予企业“功率半导体特色工艺及先进封装技术青年人才培养基地”称号。


     “自主可控、协同创新已成为行业战略共识,单纯依靠单点技术突破已难以为继,必须以系统思维推动产业链、创新链、人才链深度融合,大力推进产学研协同创新。”杭州士兰微电子股份有限公司副总裁陈丽在致辞中表示,士兰微将坚守技术创新初心,深耕核心技术攻关,打造具有自主知识产权的核心工艺与封装方案,提升核心竞争力。深化产学研协同,进一步加强与高校的全方位合作,完善人才联合培养、技术联合研发、成果共享转化机制,搭建常态化交流平台。依托IDM模式全力支持成都公司打造特色工艺与先进封装领域的标杆企业。



     士兰半导体制造事业总部副总裁、成都公司总经理李学敏表示,士兰成都公司自2010年成立以来,始终致力于半导体封装测试技术的研发与创新,掌握了高密度、高可靠性的系统级先进封装技术,具备车规级、工业级功率模块及功率器件封装稳定的量产能力,2025年士兰成都公司营业收入接近30亿元。公司持续加大研发投入,研发投入占比超过7%,累计获得专利授权90项,取得了一系列重要成果。在技术创新和产品研发上加强创新平台建设,申报获批三个省级研究中心和一个市级创新应用实验室。

      士兰成都公司已与多所高校建立长效合作机制,联合培养20余名硕博研究生,承担多项省级重点研发项目,并牵头联合四川省工业和信息化研究院、电子科技大学和成都工业学院以及电子学会完成《四川省半导体功率器件模块产业发展研究报告》《第三代半导体产业高质量发展路径研究》《AI背景下成渝半导体封测产业高质量发展路径研究》三本白皮书。



      李总表示,士兰成都公司将以此次会议为新起点,深耕技术攻坚,筑牢产业发展硬支撑。将以市场需求为风向标,紧跟全球集成电路行业发展浪潮,持续加大研发投入与技术攻关力度,不断突破关键核心技术瓶颈,全面提升工艺精度、封装效能与产品核心竞争力,为产业技术迭代注入持久动力。

      推进产学研融合,激活创新转化源动力。将秉持开放协同、互利共赢的合作理念,主动对接各大高校、科研院所专家资源,搭建常态化、长效化产学研合作平台,拓宽技术研发、成果转化、人才共育等合作领域,让科研创新势能转化为产业发展动能,为产业创新发展提供坚实智力支撑。

      深化链主带动,打造协同发展新引擎。公司将充分发挥成都在集成电路领域的产业集聚优势,立足“链主”角色定位,高质量推进总投资15亿的汽车半导体封装项目(二期)建设,积极联动上下游伙伴,深耕本土配套体系,全力打造“政产学研用”深度融合的产业集群,以更强的产业韧性和更完善的生态体系,服务国家战略,引领行业发展。



     主旨演讲环节,电子科技大学、华中科技大学、成都工业学院的专家学者与士兰微电子技术高管轮番登台,围绕先进封装关键技术带来一场场干货满满的专业分享。

     电子科技大学李虞锋教授系统解析了面向异构集成的封装互联关键技术;

     士兰微电子股份有限公司副总裁曹杰敏详细阐述了AI电源封装领域的SST、VRM及嵌入式核心技术规划;

     华中科技大学周龙早教授分享了Si3N4-AMB陶瓷覆铜基板钎焊工艺及力学研究的最新成果;

     成都工业学院机器人学院副院长周波博士、成都士兰半导体制造有限公司副总经理丁立国分别就AI赋能功率半导体产业发展及AI时代下士兰功率半导体的封装布局和技术蓝图作了详尽阐释。




     下午的产学研专场,来自电子科技大学、华中科技大学、成都工业学院的青年学者与博士团队分别就抗辐射功率半导体可靠性研究、SiC 器件烧结铜接头金属化调控机理:原子模拟与试验、IGBT 功率器件中铜夹/芯片银烧结互连工艺及可靠性研究 、功率器件微纳复合铜烧结固晶互连工艺及可靠性研究、面向并联应用的 GaN HEMT 不均流机理与封装布局—器件结构协同优化设计研究、碳化硅功率模块低杂感与高效散热封装设计、车规级 SiC 功率模块银烧结封装界面电-热-力耦合失效机理仿真研究、基于电热力耦合的 IGBT 模块可靠性分析与寿命预测研究等前沿课题作专题汇报,内容聚焦车规级、工业级功率器件的核心瓶颈。


      本次研讨会暨产学研推进会圆满落幕!

     未来,士兰微电子将以此次交流为契机,立足功率半导体与先进封装技术优势,深化校企协同、共育青年人才、攻坚关键技术,加快科研成果产业化落地,全力推动企业创新发展与产业生态共建共赢!


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