今天我们将了解DBC技术原理和基本结构. 技术最初用于氧化铝基片的表面Cu金属化。直接覆铜（Direct Bonded Copper, DBC）是一种陶瓷表面金属化技术，它直接将陶瓷（氧化铝、氧化铍、氮化铝等）和基板铜连接。
将铜箔片置于氧化铝基片上，在含氧的气氛中加热至1066～1083℃温度范围内，使铜箔片直接焊在氧化铝基片上.对于连接的具体机制，通常的说法如下：烧成过程中，通过一定的氧含量来达到在铜熔点温度（1083℃）之下便可实现铜和氧化铝的连接。在1066～1083℃温度范围内，铜和氧形成铜氧共熔体，共熔体润湿相互接触的铜箔和氧化铝表面，同时还与氧化铝发生反应，生成铝酸铜等复合氧化物，充当焊料，使两者牢固地结合在一起。AlN是非氧化物陶瓷，铜氧共熔物在其上的润湿性较差，只有先将其氧化成氧化铝薄过渡层，再通过氧化铝层和金属铜连接。得到的DBC基板可以进一步刻蚀，得到所需图案。
DBC技术在过去几年中迅速发展，以适应功率电子器件的要求。高导热非氧化物AlN可以量产供应。微导孔技术亦已发展并应用于气密封装。液冷式DBC结构已应用于高功率密度电路上。DBC基板机械强度大大增高，为多芯片功率半导体器件的组装提供了一种经济效益十分好的基板材料.
DBC陶瓷基板的应用下游很广。在半导体致冷器，电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路，功率混合电路，智能功率组件，高频开关电源，固态继电器，汽车电子，太阳能电池板组件，电讯专用交换机，接收系统，激光等多项工业电子领域均有DBC陶瓷基板的身影。
今天的分享结束啦，希望对你有所帮助.