作为我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领，《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求：在2020年之前，90~32纳米工艺设备国产化率达到50%，实现90纳米光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20～14纳米工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。到2030年，实现18英寸工艺设备、EUV光刻机、封测设备的国产化。
从产业链各环节国产化的难度来看，设备＞制造＞封装＞设计是不争的事实。不过，近期国内各地已刮起一阵大上半导体晶圆制造产线的东风。我国设备业能否抓住这难得的契机，一举实现《中国制造2025》的既定目标？
国产设备到底差在哪？
中国半导体行业要实现从跟踪走向引领的跨越，装备产业将是重要环节。发展国产半导体装备具有重要战略意义，半导体设备国产化将大幅降低中国芯片制造商的投资成本，提高中国芯片制造竞争力。
但由于半导体设备对本土企业存在着很高的进入门槛，目前国产化率较低。半导体设备研发周期长，投资额大且风险高，而且越先进的制程工艺设备造价越高，比如一台ASML的光刻机动辄就是4千万～5千万美元。即使研发成功也较难打入国际大厂的供应链。
从产业链的角度来看，先不说技术难度，单论各环节在中国的适应性，即是设计＜封装＜制造＜设备和材料。发展设备业之所以最为困难，除了资金、人才等问题，最关键是使用量太少。
五个方面总结了半导体设备国产化的难度：
一是半导体设备市场已日趋专业化和全球化。当下，全球设备业通过兼并、淘汰，在每个细分市场中仅剩下1～2家、至多3～4家企业，竞争十分激烈。
二是半导体设备的独特地位。上世纪80年代末期开始，半导体设备企业开始把工艺能力整合成在设备中，让用户买到设备就能保证使用，并且达到工艺要求。因此有一代器件，一代设备之说。这是半导体设备如此昂贵的原因，也是对国内企业的极大挑战。
三是由于出货数量少，设备企业难以负担工艺试验线的费用。为此，国内只能采取对下游制造企业进行补贴，利用制造企业的产线帮助设备企业进行试验的办法，这种方式显然多有掣肘。一台设备从研发、样机开始，必须经过大量硅片通过等工艺试验，才能发现问题，并进行改型。这样的过程要重复多次，改型多次，才能最后定型。并且出厂前要经过马拉松试验，测算平均无故障时间等。
四是韩国和我国台湾地区也曾致力于设备国产化，但成效不大，目前全球市场主要仍被美国和日本企业掌控，这也从侧面体现了难度。
五是设备业需要产业大环境配合。从成本构成来看，表面上我国设备企业和国外企业相差不大，如关键零部件都是采购而来，人员和管理费用也相仿，但是实际上，产业大环境却十分不同。比方说，西方的股权激励制度更为灵活，员工积极性高；同是采购零部件，我国企业因为是进口，所以要承担税费，而且有些零部件订货需要出口许可证；因为订货量相对小很多，采购价格高；产业配套条件不同，如实现某些设计验证国内企业要花更高的成本；缺乏人才等。
国产设备的设计水平和国际水平相差并不大。真正的差距在于，国产半导体设备尚处在样机阶段就交给客户，这就会导致经常宕机，因此不太可能一上来就用在量产中，否则将会影响生产线运行。
