半导体量子点（QDs）具有独特的可调光致发光特性，可用于固态照明显示、光电和生物医学成像等技术领域。
为了获得发射的量子点，在InP芯涂覆一层高禁带半导体，如ZnS，形成桥壳异质结构，使阱态大大钝化，增加光致发光量子产率。为了进一步提高InP/ZnS量子点的亮度、稳定性和颜色范围，需要建立组成和光致发光性质之间的关系。
下文利用FS5荧光光谱仪对InP/ZnS量子点的光物理进行了稳态和时间分辨研究，发现了由于ZnS可能脱壳不完全阱发射的存在。
测试方法：
样品：InP/ZnS QDs甲苯溶液（在500nm处吸光度为0.15）
仪器：FS5一体化荧光光谱仪，SC-05标准液体支架及皮秒脉冲激光器EPL-405，TCSPC模块，PMT-980检测器（进行吸收光谱及光致发光光谱的测试）
结果：
InP/ZnS量子点在620nm处有明显的带边发光峰，半高宽为65nm。除了基带边缘峰外，还有一条宽低能峰入射近红外区。
为了进一步确定阱的存在，利用FS5的TCSPC功能测量了样品光致发光寿命；由于阱发射和带边发射在不同的时间尺度上发生。使用皮秒脉冲二极管激发器（EPL-405）作为激发光源，建立时间分辨的发射光谱（TRES），TRES清晰表明，在较长的发射波长下，光致发光寿命显著增加。
为了确定光致发光寿命，用更高的时间分辨率测试了带边发射峰（620nm）和尾发射峰（775nm）的衰退曲线，使用FS5的Fluoracle软件进行拟合符合四指数衰减。结果表明，带边发射峰的平均发光寿命为31.2ns，而尾发射峰的平均发光寿命为348ns。
结论：
FS5紧凑型荧光光谱仪在表征新型量子点发射体的吸光度、发射和寿命的能力，并有助于建立结构-性能关系。