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一款适用于高压H桥PWM马达驱动的0.8欧导通电阻的场效应管型号，在国内的电子产品厂家仍然是需要强化自己的国内供应链下，能够完美替代国外的型号：IRF840场效应管参数。
为何说FHP840是可以直接跟IRF840等型号对标替代使用呢？揭秘参数前先了解，电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。
4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必需使对角线上的一对开关导通，经过不同的电流方向来控制电机正反转。
目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管：FHF840，它在使用性能参数方面不仅能匹配型号为TK8A50D的国外场效应管，也是能够代用TK8A50D、IRF840型号的场效应管。目前广泛使用的场景是高压H桥PWM马达驱动、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、300W逆变器后级电路四款产品中。
FHF840场效应管的特点是漏极直流电流9A，漏-源电压500V，导通电阻RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容、开关速度快，大芯片，耐过载冲击。
FHF840的主要封装形式是TO-220、TO-220F，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：9；BVdss（V）：500。
因为以上的参数特点，所以这一款型号就不仅能够匹配IRF840场效应管型号在高压H桥PWM马达驱动中使用，也能匹配TK8A50D、9N50这两款型号参数。
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