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负载开关电路MOS管国产使用推荐，什么类型的型号参数更适合？
为什么要探讨负载开关电路的MOS管使用呢？因为负载开关作为通用功率开关器件，其应用领域已经不局限在汽车工业、PDA、手机、数码相机等电子产品中使用了，在消费电子领域也是占据重要的使用。
因此我们需要恰当选用负载开关电路中的MOS管才能保证产品在使用中的可靠性。
今天飞虹电子整理一份2022年最新的负载开关电路电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。
目前国产MOS管中，最新可应用于负载开关电路电路的场效应管型号为：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C以上3款产品都是可以应用于负载开关电路电路中的。
最终如何选择对应每一款负载开关电路呢？这当然是需要结合MOS管的实际参数数据，以及实测的情况：
1、FHD80N06B场效应管
具有80A、60V的电流、电压，RDS(on) = 6.2mΩtyp) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)，低Crss。
FHD80N06B的封装形式为TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：60V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为6.2mΩ、反向传输电容：240pF。
2、FHD100N03D场效应管
作为N 沟道增强型场效应晶体管，其产品参数：其产品参数：具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) =7.0mΩmax) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，高雪崩耐量，可靠性高。
FHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1-2.5；ID（A）：100A；BVdss（V）：30V。最大脉冲漏极电流（IDM ）：100（A）；静态导通电阻：在（VGS =10V , ID=30A）状态下（typ）= 3.8mΩ、（max）=5.5mΩ，在（VGS =4.5V , ID=20A）状态下（typ）= 5.1mΩ、（max）=7.0mΩ；反向传输电容：195pF。
3、FHD150N03C场效应管
这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。
以上3款MOS管型号：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C的型号参数数据均通过实际进行测试得出，具体在负载开关电路中的使用，建议开发工程师进一步取样测试。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登录“飞虹电子”网址。
飞虹电子拥有专门的研发团队为企业在产品研发过程中的产品测试提供保障，能及时帮助厂家解决产品测试问题，帮助企业做强做大。
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