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85V/147A,RDS(on)低至4.4mΩ!FHS110N8F5B TO-263 MOS管常用于锂电池保护板!

85V/147A,RDS(on)低至4.4mΩ!FHS110N8F5B TO-263 MOS管常用于锂电池保护板! 广州飞虹半导体
2025-10-25
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锂电池保护板就像是电池组的“智能大脑”和“安全卫士”,目前13到17串的锂电池保护板已经广泛用于电动自行车、电动摩托车、电动工具、航模电池组、户外电源、太阳能/风能路灯等产品。


可以说市场在逐步扩大,而面对国内的内卷市场,我们如何提升锂电池保护板的质量进而获得更多市场上呢?核心在于选择一款好的MOS管,才能助力降本增稳!


面对锂电池保护板厂家对于高电流、低导通电阻和快速响应的需求,飞虹半导体推出的FHS110N8F5B(TO-263封装)是一款极具竞争力的国产MOS管替代方案,可替代IPP052N08N5,适用于各类锂电池保护板上。




Part.01

为何推荐FHS110N8F5B用于锂电池保护板?


TO-263封装因其良好的散热性能与适中的占板面积,被广泛用于中大电流场合的锂电池保护电路中。FHS110N8F5B具备以下特点,契合保护板的应用需求:


1

电压电流匹配性强:85V的耐压值与147A的持续电流能力,足以应对13-17串锂电池保护板上起充放电保护功能。

2

低导通电阻:RDS(on) 典型值仅为4.4mΩ@VGS=10V,最大不超过5.0mΩ,有助于降低导通损耗,提升整机效率。

3

高栅极兼容性:VGS可达±20V,适配多数主流驱动IC,便于电路设计。

4

开关性能优良:反向传输电容仅23pF,有助于实现快速开关,提升保护响应速度。



FHS110N8F5B核心参数的匹配适用


Part.02


该器件为N沟道增强型功率MOSFET,主要参数如下:

VDSS: 85V

ID: 147A

最大脉冲漏极电流IDM: 480A

RDS(on) = 5.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =4.4mΩ(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0–4.0V

封装: TO-263


这些参数使其在锂电池保护板中能有效承担放电控制与充电控制MOS开关角色,兼顾效率与温升控制。




Part.03

在锂电池保护电路中的设计优势


在BMS电路中,MOS管通常用于串联在电池与负载/充电器之间,实现通断控制。FHS110N8F5B具备:


1、低损耗:导通电阻小,有效降低在大电流工况下的发热。

2、响应快:适合需要快速切断的过流与短路保护场景。

3、散热优:TO-263封装通过大面积金属背面与PCB紧密接触,热阻低,散热性能优异。



FHS110N8F5B是一款性能出色、封装适用广的中低压MOSFET,特别适合需要高可靠性与高效率的锂电池保护板设计。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商,不仅提供各类型MOS管、IGBT单管、三极管等标准型号,还支持定制化需求,并已实现与多家BMS厂商的稳定合作。



如需样品或技术咨询,欢迎通过免费热线:400-831-6077 联系我们,或直接百度搜索 "飞虹半导体" 获取更多产品信息。


【声明】内容源于网络
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