碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代宽带隙半导体材料的代表，由于其具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。

本文研究碳化硅晶片/衬底片用CMP抛光液和CMP抛光垫。
碳化硅晶片用抛光液，代表性产品如Entegris (Sinmat)公司的碳化硅抛光液、Saint-Gobain公司的ClasSiC 807和ClasSiC 102V抛光液，以及Fujimi公司的COMPOL、DSC系列抛光液等。通常有粗抛液和精抛液，酸性和碱性，单组分和双组份等细分类型。
碳化硅抛光垫产品，使用最广泛的是杜邦的Suba™ 800系列其他产品如杜邦的Supreme™和Politex™抛光垫，以及Fujibo公司的G804W、 728NX和FPK66等三个型号。

据路亿市场策略（LP Information）调研团队最新报告《全球碳化硅SiC抛光材料市场增长趋势2025-2031》显示，预计2031年全球碳化硅SiC抛光材料市场规模将达到3.7亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为14.9%。

地区层面来说，目前北美是全球最大的市场，2024年占有51.24%的市场份额，之后是中国和欧洲，分别占有29.4%和13.41%。预计未来几年，中国市场增长最快，2025-2031期间CAGR大约为19.69%。
从类型方面来看，2024年碳化硅CMP抛光垫和碳化硅CMP抛光液分别占比为54.87%和45.13%，预计2031年占比分别为56.17%和43.83%。
应用层面来看，2024年6英寸碳化硅衬底应用占比70%、4英寸碳化硅衬底应用占比25.8%、8英寸碳化硅衬底应用占比4.2%，预计2031年6英寸、4英寸和8英寸分别占比为74.25%、1.39%和24.36%。
从企业来看，全球范围内，碳化硅SiC抛光材料核心厂商主要包括杜邦、Entegris、Fujimi Corporation、圣戈班、富士纺Fujibo、上海新安纳和天津市海伦晶片等，全球前四大厂商占有超过80%的市场份额。其中在碳化硅CMP抛光液方面，核心厂商包括Entegris、Fujimi Corporation、圣戈班和上海新安纳；而在碳化硅抛光垫方面，核心厂商为杜邦和富士纺Fujibo。

图. 碳化硅SiC抛光材料，全球市场总体规模

图. 全球碳化硅SiC抛光材料市场前12强生产商排名及市场占有率（基于2025年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

更多资料请参考《全球碳化硅SiC抛光材料市场增长趋势2025-2031》，本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析，重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等。报告还综合了行业的整体发展动态，包含美国最新关税对全球供应链的影响，产业链供货关系分析，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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