5G时代仍是GaAs的主场！

5G时代仍然是GaAs的主场。

从4G时代起，随着4G基站建设和智能手机的持续普及，用于制造智能手机射频器件的砷化镓衬底需求量开始上升。进入5G时代之后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，5G手机上PA芯片的数量较4G手机增长3倍左右，这对砷化镓衬底的需求带来了新的增长动力。

据ResearchInChina统计，2018-2025年，全球GaAs元器件市场总产值将由95.19亿美元增长至160亿美元，年均复合增长率为7.7%。

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GaAs的应用

与硅相比，GaAs材料的电子迁移率是Si的6倍，具有直接带隙，故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能，被公认为是很合适的通信用半导体材料。并且耐高温（最高工作温度可以到摄氏350度左右）、抗辐射、发光效率高。

基于这些特性，GaAs主要应用于射频领域，还有光电和LED。据Yole统计，2019年GaAs在射频、光电子、LED和光伏应用领域份额分别为37%、12%、50%和2%，预计2025年将变为28%、18%、53%和1%。

我们可以看到，在手机无线通信应用中，目前射频功率放大器绝大部分采用 GaAs 材料。

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GaAs PA 为主流技术

全球智能手机进入2015年以来，已经属于存量市场，市场日趋饱和，终端创新力度下降，消费者换机周期拉长，出货量持续下滑。但伴随5G的推进，消费者换机升级的需求会受刺激，智能手机出货量颓势有望扭转。根据IDC预测，如5G智能手机将继续增长，2023年将占全球智能手机出货量的62%，到2027年上升到83%。

因此，在5G基站中，射频PA 的需求也将大幅增长。PA是将无线通信信号放大的器件，经过放大的信号最终从手机或者基站发射出去，属于通信设备高能耗器件。

在PA的应用材料中，GaN 虽有高频、 高输出功率的优势，但GaAs具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势。因此，目前多数射频PA都是基于GaAs材料工艺制造的，GaN PA 短期内也无法撼动 GaAs PA的统治地位。

据Yole统计，2025年，GaN占比将上升到45%，而GaAs占比约为40%。在基站PA GaAs材料占比稳定的情况下，未来几年全球5G基站的建设将为上游GaAs产业带来稳定的市场需求。

这给中国大陆化合物半导体生产厂商带来了商机。在国内的GaAs代工领域，玩家总体数量不多，能提供高水平代工业务的更是凤毛麟角。

沃泰芯作为国产化合物半导体领域的高新科技企业，已经建成Class100无尘生产车间的化合物半导体芯片量产线并投入量产。主要产品包括：GaN功率芯片，GaAs VCSEL芯片，GaAs光感测器芯片，且性能、可靠性均达到国际先进水平。