全“芯”出击！沃泰芯携GaN系列产品亮相2022亚洲充电展

8月16日-18日，为期三天的2022（夏季）亚洲充电展在深圳福田会展中心圆满落幕。沃泰芯半导体作为第三代化合物半导体氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC)功率器件与集成电路的研发与生产商应邀参加本次展览，并携四大系列产品亮相本届展会，吸引了众多参展者的咨询、洽谈和关注，并与友商进行了相关技术层面的交流。

沃泰芯展台

沃泰芯团队现场讲解与展示

威力倍增，赋能PD快充全场景应用

首次亮相亚洲充电展ACE，沃泰芯半导体就集中展出了四大系列650V 耗尽型氮化镓晶体管等核心产品，器件涵盖从38W到65W的功率应用。目前，该系列产品已经实现商用批量供货。

沃泰芯氮化镓器件具有非常高的可靠性，能够承受短时间过压，650V耐压的氮化镓器件支持800V瞬态耐压。

38W氮化镓开关管是非常主流的手机快充功率器件。这款650V耐压，额定功率38W，导阻1Ω的常关型氮化镓开关管，采用DFN5*6封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。输入支持90~264V宽电压，输出支持5V/3A，9V/2.22A，12V/1.5A，满足手机快充需求。

这是一款650V耐压，额定功率45W，导阻1Ω的常关型氮化镓开关管，采用DFN5*6封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A、9V/3A、12V/3A和20V/2.25A，功率密度达到0.97W/cm³，满足智能手机和平板的充电需求。

65W快充是目前快充市场出货的主流规格，1A1C的双口快充也是市场上很受欢迎的款式，满足笔记本、手机同时充电的需求。这款650V耐压，额定功率65W，导阻1Ω的常关型氮化镓开关管，采用DFN5*6封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。输入支持90~264V宽电压，输出支持5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A，满足手机、平板和笔记本电脑的快充需求。

沃泰芯还推出了一款1A2C三接口的65W氮化镓快充方案，采用反激准谐振，支持90~264V宽输入电压，开关频率130khz-180khz。同样采用DFN5*6封装，内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能。

这四款产品都具备宽范围的栅极驱动电压，具备800V瞬态耐压能力，具备增强的电流冲击能力。可提高电源的功率密度，减小系统尺寸及重量，降低系统开销，适用于电源适配器、小功率开关电源等。

近年来，氮化镓技术带来的高效率和小体积深受消费者的青睐，成为了大众购买电源配件的主流选择。GaN的高功率密度、高效率、高截止频率以及大带宽的优异特性以及其不断成熟的量产能力和不断降低的成本也正在帮其不断地拓展自己的应用边界。沃泰芯半导体同样也在不断开发GaN系列的功率芯片产品，以满足能源应用对更高效率的需求。同时致力于减少碳排放，助力碳中和，保护地球生态，成就绿色能源新未来。

创“芯”赋能，

沃泰芯助力中国半导体高质量发展

广州沃泰芯电子技术有限公司是中国第三代半导体行业高新科技企业，专业从事第三代化合物半导体氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC)功率器件与集成电路的研发与生产，公司集合了数名电机工程学博士以及半导体精英，联合创办的“专 精 特 新”型先进制造企业。

沃泰芯主要产品包括：VCSEL，光检测器，GaN HFET器件与集成电路，GaN/Si HFET功率器件芯片，应用于5G光通讯系统、数据中心、人脸/手势辨识、自驾车、及电源快充应用等领域。

沃泰芯致力打造集材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，始终追求技术优先，以客户需求为中心，为客户提供高能效半导体解决方案，满足客户多元化应用场景，并为未来有望需求大增的消费级半导体器件的生产提供支持。沃泰芯产品设计及性能均达到国际先进水平，填补国内空白，为中国半导体产业实现国产替代做出贡献。

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