特种气体有别于一般工业气体，它是具有特殊用途，并在特定领域中应用的，特种气体对纯度、杂质含量、组成、物化性能等方面有特殊要求的一类气体产品。与工业气体相比，特种气体的品种多而产销量小。
我们常用的混合气和标准校准气就是特种气体的重要组成部分。通常我们又把混合气体分为一般混合气体和电子混合气体。
一般混合气体包括：激光混合气、仪器仪表检测混合气、焊接混合气、保鲜混合气、电光源混合气、医疗及生物研究混合气、消毒杀菌混合气、仪器报警混合气、高压混合气、零级空气。
电子混合气体包括：外延混合气、化学气相淀积混合气、掺杂混合气、蚀刻混合气及其他电子混合气。电子混合气体在半导体工业和微电子工业中扮演着不可或缺的角色，广泛用于大规模集成电路（L.S.I）超大规模集成电路（V.L.S.I）和半导体器件生产中。
运用最多，最为常见的
以下5类电子混合气体
在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN 结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。
外延生长是一种单晶材料淀积并生产在衬底表面上的过程，在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，氧化硅膜淀积，氮化硅膜淀积，太阳能电池和其他光感器的非晶硅膜淀积等。
在半导体器件和集成电路制造中，离子注入工艺所用的气体统称为离子注入气，它是把离子化的杂质（如硼、磷、砷等离子）加速到高能级状态，然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制阀值电压方面应用得最为广泛。注入的杂质量可以通过测量离子束电流而求得。离子注入气体通常指磷系、砷系和硼系气体。
蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。
干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
化学气相淀积混合气体（CVD）是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质或化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不相同。
