双束聚焦离子束-扫描电镜（Duel Beam Focused Ion Beam, FIB）拥有多种高端优势以及强大的应用能力，在新材料研发中是一种重要的高分辨率表征手段。其中一种常见应用是制备透射电镜（TEM）样品。
答：FIB可以为多种材料制备供透射电镜观测用的薄片样品。
●对于大部分的金属试样，其导电性良好，无需担心电荷效应。然而，金属试样通常需要经过热处理或者机械加工，在制备TEM样品时，随着样品厚度的减小，由热处理和机械加工带来的内应力也逐渐释放，容易导致TEM试样的弯曲，给TEM微观结构观察造成不利影响。在制备该类样品时，可使用FIB采用梯度式减薄，即在减薄的过程中逐渐缩短减薄区域的宽度。该种方法可以使内应力逐级释放，确保最终的TEM试样具有较小的应力值。
●相较于半导体材料与金属材料，陶瓷材料不导电，这导致该类材料无法使用传统电解双喷法制样。另外它有严重的电荷效应，在离子束加工过程中容易出现图像模糊不清的现象，影响精确加工。对于此类材料，可采用离子溅射仪在材料表面镀上一层导电薄膜消除电荷效应。
●对于粒径在100nm以下的颗粒，高能电子是可以穿透颗粒的。所以对于这类粉末样品，只需要将一滴经过超声处理的粉末悬浮液分散到涂有非晶碳薄膜的TEM网格上，即可制备TEM样品。
●对于粒径在1-10μm的微米级颗粒，通常需要将微米级粉末颗粒嵌入某种类型的树脂或者焊料中，就能使用FIB进行TEM制样。
●该类TEM样品的制备相对于常规的FIB-TEM制样具有更高的难度，因为通常感兴趣的区域非常薄，有时仅为几十纳米甚至更低，容易在加工的过程中损坏，对操作者的技术水平有更高的要求。
●随着半导体工艺的进步，芯片的制程越来越小，纳米级器件需要越来越薄的TEM样品对目标区域进行分析，避免各层结构的重影效应，影响TEM观测。同时由于半导体芯片的结构小而多，对样品的平整度要求极高，非常考验仪器的性能和操作者的经验和水平。
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