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伯恩斯坦:MATCH法案能否困住CN的半导体雄心?

伯恩斯坦:MATCH法案能否困住CN的半导体雄心? Ai&芯片那点事儿
2026-04-11
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导读:随着美国立法者推进《硬件技术管制多边协调法案》(MATCH Act),CN半导体行业面临一项强有力的新立法威胁

随着美国立法者推进《硬件技术管制多边协调法案》(MATCH Act),CN半导体行业面临一项强有力的新立法威胁。

伯恩斯坦分析师警告称,该法案"比以往任何限制措施都严格得多",可能有效地将先进芯片制造产能限制在当前水平,同时使现有设备的维护几乎成为不可能。

对先进光刻技术实施全国性禁令

MATCH法案的第一项核心内容是销售浸没式深紫外(DUV)光刻设备实施绝对的全国性禁令。这包括阿斯麦(ASML) NXT系列和尼康(NSR-S631E)系统,以及低温蚀刻工具

与此前允许某些许可途径的措施不同,MATCH法案寻求完全消除这些残留渠道。

该法案还利用《外国直接产品规则》(FDPR),对盟国政府(特别是荷兰和日本)创建了具有法律约束力的要求,要求它们在150天内将出口管制与美国标准保持一致。

MATCH法案以严格的法定期限取代了此前的外交压力,旨在弥合各司法管辖区之间一直存在的"执行不一致"漏洞。

"受管制设施"面临严重运营冻结


该立法明确指定了五家中国公司——中芯国际、长鑫存储、长江存储、华虹半导体和HW——为"受管制设施"。

由于这五家公司直接在法案的法定文本中被指定,它们所受的限制由国会设定,不受工业与安全局(BIS)行政裁量权的约束。

对于这些被点名的实体,MATCH法案施加了毁灭性的次级限制:

服务禁令:禁止供应商工程师维护或维修已安装在晶圆厂的设备

美国人员禁令:禁止美国公民(包括工程师和专家)在全球范围内向这些公司提供任何支持。

全面拒绝:该法案规定"不接受许可申请"政策,取消了任何逐案审查或例外的可能性。

最近斥资300亿美元大举采购光刻设备,可能支持产能扩张至2027年,但MATCH法案可能会将所有未来增长限制在成熟的65/55纳米节点。

分析师表示,虽然此类措施通常会引发"恐慌"以及北京方面的潜在报复,但它们也可能加速向国产光刻设备的转型,尽管代价是生产良率降低。

【声明】内容源于网络
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