知情人士表示：“CXMT今年将进入第四代‘HBM3 8层’量产，同时与合作伙伴全面讨论12层HBM生产。随后将推进DRAM堆叠相关的技术升级与设备投资。”
目前，12层是AI芯片所搭载HBM中的最高堆叠层数，市场供应的主流为HBM3E 12层。SK海力士、三星电子和美光按顺序占据市场份额。HBM4（三星今年2月开始量产，SK海力士与美光也在推进供货）初期同样以12层产品为主。
HBM通过垂直堆叠DRAM来提升带宽（速度），堆叠层数是关键技术指标。将上下层DRAM通过微凸点连接并无误键合的技术难度极高，同时还需解决堆叠后的散热问题。因此，当DRAM制造成HBM时，良率通常会下降。
CXMT的举动表明，其在一定程度上已解决这些技术难题，尤其是与三星电子和SK海力士之间的差距进一步缩小。
报道称，CXMT今年计划将约20%的DRAM产能转为HBM——约每月6万片晶圆——目标客户为中国AI芯片公司。公司还计划今年通过IPO融资42亿美元，用于扩建下一代DRAM与HBM产线。
业内人士表示：“若三星电子与SK海力士想进一步拉大技术差距，需要提前布局16层HBM以及混合键合等下一代技术。”
三星电子与SK海力士预计最早将在今年年底完成16层HBM开发。