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工信部就10项半导体设备行业标准公开征求意见覆盖集成电路制造全流程关键设备

富明凯科技

2026-04-07

导读：2026年4月7日，工信部科技司发布公示，对《半导体设备集成电路制造用湿法设备测试方法》等10项电子行业标准🔥🔥🔥

2026年4月7日，工信部科技司发布公示，对《半导体设备集成电路制造用湿法设备测试方法》等10项电子行业标准报批稿公开征求意见，公示期截至2026年5月7日。

本次标准集中覆盖集成电路前道制造核心设备，统一测试规范、明确技术指标，将为国产半导体设备研发、出厂验收、客户端验证及第三方测试提供权威依据，加速国产设备验证与导入，支撑半导体产业链自主可控。

一、公示基本信息

发布单位：工业和信息化部科技司

公示时间：2026年4月7日—2026年5月7日（共30天）

意见反馈：

查阅平台：中国电子工业标准化技术协会官网（www.cesa.cn）"标准报批公示"栏目

联系电话：010-68205241

反馈邮箱：kjbz@miit.gov.cn

二、10项标准完整名单（官方披露）

1. 《半导体设备集成电路制造用湿法设备测试方法》

覆盖：单片式/槽式清洗、湿法刻蚀设备

测试：一般/硬件/工艺参数/可靠性四大类，含颗粒/金属污染、干燥能力、刻蚀速率与均匀性等

2. 《半导体设备集成电路制造用化学机械抛光（CMP）设备测试方法》

核心：抛光头压力、抛光盘转速、抛光液流量、膜厚均匀性、缺陷率、材料去除率等

3. 《半导体设备集成电路制造用物理气相沉积（PVD）设备测试方法》

覆盖：溅射、蒸发等PVD设备

测试：薄膜均匀性、附着力、台阶覆盖、沉积速率、靶材利用率

4. 《半导体设备集成电路制造用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备测试方法》

测试：薄膜厚度/折射率均匀性、应力、致密度、颗粒污染、工艺重复性

5. 《半导体设备集成电路制造用等离子体刻蚀设备测试方法》

覆盖：导体/介质/硅刻蚀设备

测试：刻蚀速率、选择比、均匀性、剖面形貌、微负载效应、颗粒控制

6. 《半导体设备集成电路制造用离子注入设备测试方法》

测试：束流能量精度、剂量准确性、均匀性、杂质深度分布、束流稳定性

7. 《半导体设备集成电路制造用退火设备测试方法》

覆盖：快速热退火（RTA）、炉管退火

测试：温度均匀性、升降温速率、气氛控制、片间/批间一致性

8. 《半导体设备集成电路制造用光刻设备测试方法》（部分）

测试：分辨率、套刻精度、聚焦深度、曝光均匀性、缺陷密度

9. 《半导体设备集成电路制造用质量流量控制器（MFC）测试方法》

测试：流量精度、响应时间、线性度、重复性、耐压与密封性

10. 《半导体设备可靠性通用测试方法》

覆盖：环境适应性、机械振动/冲击、电磁兼容、寿命、MTBF、故障模式分析

三、标准核心内容要点（以湿法设备为例）

1. 适用范围

适用于集成电路制造用湿法设备（单片/槽式清洗、湿法刻蚀）的研发、出厂、客户验收、第三方测试。

2. 测试分类

一般测试：外观、标识、安全、电气连接、噪声（≤75dB）

硬件测试：运动精度、温度/压力/流量控制、药液传输、密封与泄漏

工艺参数测试（核心）：

清洗：≥0.1μm颗粒去除率≥95%、金属污染降至ICP-MS检测限以下

均匀性：单片式±10%、槽式±15%

刻蚀：速率、均匀性、选择比、剖面形貌

干燥：无水渍、颗粒不增加

可靠性测试：连续无故障运行、温湿度循环、断电重启、寿命验证

四、产业影响与意义

1. 规范国产设备验收

统一测试方法与判定标准，解决"设备怎么测、指标怎么定、结果怎么判"问题，降低供需双方沟通成本，加速国产设备进入产线。

2. 支撑技术自主可控

覆盖清洗、CMP、PVD、PECVD、刻蚀、离子注入、退火、光刻等前道8大类关键设备，补齐半导体设备标准体系短板。

3. 推动产业协同升级

设备厂按标准研发、晶圆厂按标准验收、第三方按标准认证，形成研发—测试—量产闭环，助力国产设备从"能用"到"好用"。

4. 对接国际标准体系

兼容SEMI国际标准框架，兼顾国内产业现状，既保障国际互认，又体现中国特色，为国产设备出海奠定基础。

五、意见反馈提示

反馈材料需注明：标准名称、单位/姓名、联系方式、具体意见及理由

书面意见加盖公章，发送至指定邮箱；逾期视为无异议

本次10项标准公示，是我国半导体设备标准化建设里程碑，对设备国产化、产业链安全、技术创新具有长期深远影响。

【声明】内容源于网络

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