光刻胶---国产破局路

自2018年中美贸易战至今，我们看到太多太多之前被我们忽视的技术成为了美国人“拿捏”我们的工具，又是技术封锁，又是贸易调查，美国人既单打独斗又合纵连横，玩得很花，也靠这些手段整死过多个“世界老二”，我们虽然很难受但也不服气，中国人全力防守，对美国人说“王侯将相宁有种乎”，搞得美国人现在也没有找到更好的办法。

但存储技术只是半导体行业的冰山一角，还有很多技术是我们正在攻克的，美国人不放开，我们依然在一点点的啃，一步步的挪。其中代表性的难点就有光刻机、工业EDA、光刻胶等等。就纯技术角度而言，光刻机和和工业EDA的难度是大于光刻胶的，毕竟曾有人放出狠话，说如果要从0开始造出EUV光刻机，无异于重走人类历史！

过于复杂的东西咱们先不聊了，我们先来聊聊“简单点的”光刻胶。

（1）DUV光刻胶（Krf光刻胶）

20世纪80年代，深紫外（DUV）光刻系统开始逐步投入使用，随着光刻系统所用波长的逐步降低，光源强度逐步成为制约生产效率的瓶颈：传统汞灯在深紫外区的发光强度较低，而准分子激光器的发光强度也很有限，这就导致光刻工艺所需曝光时间延长，生产效率大幅降低。面对这种情况，半导体工业必须着手改进，一个选择是开发高功率光源，另一个选择是提高光刻胶的感光灵敏度，亦或两手抓两手都要硬。

以史为鉴，这一问题的解决是通过化学放大光刻胶实现的：化学放大型光刻胶主要有4个组分，成膜树脂、光致产酸剂、添加剂及溶剂。其作用机理是光致产酸剂吸收光生成酸，酸催化成膜树脂发生脱保护反应，实现树脂由不溶于显影液向溶于显影液的转变，即通过曝光与烘烤改变光刻胶显影液中的溶解速度。这一过程中，酸作为催化剂，不会被消耗，因此可以将光的信号放大为化学信号，这也是这一类光刻胶称为化学放大型光刻胶的原因。化学放大型光刻胶的光利用效率远高于传统的感光化合物基光刻胶。化学放大法是几乎所有现代光刻胶成功的关键因素。

IBM公司的科学家们在研究64KDRAM的生产工具时，领导了对化学放大光刻胶的研发。Ito和Willson等人以聚4-羟基苯乙烯（PHOST）作为树脂材料，并且加入t-丁氧基羰基（t-BOC）保护羟基，这一新的聚合物就是PBOCST。PBOCST光刻胶暴露在248nm深紫外光下时，PAG产生的酸会打开t-BOC保护基团，光刻胶溶解性发生显著变化。打开t-BOC的过程中，PAG产生的酸并不会被消耗，因此PBOCST光刻胶反应速度极快，对深紫外光非常敏感，灵敏度提高了100-200倍。PBOCST光刻胶为IBM节省了用来修改和替换光刻工具的数百万美元。

事实上，IBM在1980s早期就突破了KrF光刻，并在1980s早期至1995年的十余年时间一直保持垄断地位。但在此期间，KrF光刻胶的市场增速缓慢，并未大规模放量，我们认为主要由于1980s-1995年，半导体工艺节点主要集中在1.5μm-0.35μm，这一范围的工艺可以用i线光刻实现，从而使KrF光刻成为了“早产儿”，半导体工业的发展尚未到达需要KrF光刻大规模放量的时代。1995年日本东京应化（TOK）成功突破了高分辨率KrF正性光刻胶TDUR-P007/009并实现了商业化销售，打破了IBM对于KrF光刻胶的垄断，而与此同时，半导体工艺节点发展到了0.25-0.35μm，逼近了i线（365nm波长，已经与特征尺寸0.35μm=350nm接近）光刻的极限。此外，光刻机市场也由此前美国厂商主导逐步演变为佳能、尼康为龙头的时代。天时地利俱备的情况下，日本KrF光刻胶迅速放量占据市场，光刻胶市场也正式进入了日本厂商的霸主时代。

（2）DUV光刻胶（Arf光刻胶）

当集成电路制造工艺发展到90nm节点时，ArF光刻技术（193nm）逐步发展为主流技术。ArF光刻技术前后主要分为两个方向：干法光刻和沉浸式光刻。原本用于KrF光刻系统的PBOCST光刻胶在193nm的波长下会表现出强烈的吸收，不能满足新的光刻要求。ArF光刻胶的设计思想沿袭了KrF光刻胶，继续使用了化学放大法。日本厂商一定程度上领导了ArF光刻胶的研究开发。

干法ArF光刻胶：ArF光刻胶也属于化学放大光刻胶，其雏形也源自IBM公司，由于KrF光刻胶使用的聚对羟基苯乙烯体系对193nm深紫外光有强烈的吸收（主要源自其结构中的苯环），因此该体系不适用于ArF光刻。为解决这一问题，1991年IBM公司设计出ArF光刻胶的原型：甲基丙烯酸甲酯（MMA）、甲基丙烯酸丁酯（TBMA）和甲基丙烯酸（MAA）三元共聚物，其中甲基丙烯酸丁酯起到了光致产酸剂的作用，通过调整各组分的比例可以实现对光刻胶性能的微调。虽然该体系因不耐干刻蚀而不具备直接使用的价值，但后续各厂商开发的ArF光刻胶体系基本都是以此为雏形，通过在侧链中引入保护性基团提高其耐干刻蚀性能而制成。引入的侧链保护基团主要为富碳基团，如金刚烷、降冰片烷、三环癸基等。

沉浸式光刻技术的概念最早在上世纪80年代提出，即在投影镜头和基片之间填充液体。沉浸式光刻技术在20世纪并没有得到很好的发展，一方面由于沉浸式工艺本身的缺陷，如工艺复杂及污染等方面的问题；另一方面通过缩短曝光波长等方式仍然可以有效地提高分辨率。直到2002年157nmF2光刻技术发展举步维艰，沉浸式ArF光刻技术才重新受到重视。

沉浸式ArF光刻技术在65nm及以下的工艺节点开始取得巨大的突破。2004年JSR首次通过ArF沉浸式光刻成功实现了32nm分辨率，引领了巨大的的技术变革。2006年JSR又与IBM合作，通过ArF沉浸式光刻成功实现了30nm及更小的线宽。此外，由于157nm光刻技术在21世纪初被英特尔和其他芯片制造商放弃，在2007年版的国际半导体技术路线图中，基于纯水的193nm沉浸式ArF及双重图形曝光技术被认定为45nm工艺的唯一选择。现阶段在双重图形（DoublePatterning）/多重图形（Multi-Patterning）曝光技术的加持下，工艺节点已经延伸至7-10nm。

沉浸式ArF光刻技术使用了液体介质，虽然提高了光刻分辨率，但也对光刻胶提出了更高的要求。沉浸式ArF光刻胶的开发重点之一就是要解决光致产酸剂和其他组分在液体中的浸出。因此工艺开发主要在于两方面，一个是顶部涂层（Topcoat,TC）材料的设计，另一个是防光致产酸剂浸出的光刻胶材料开发。早期的沉浸式光刻研究中，使用的仍是干式光刻技术的光刻胶，主要通过增加一层顶部涂层来解决工艺方面的问题。科学家开发了植入式阻挡层（Embeddedbarrierlayer,EBL）技术，通过添加特种表面活性剂，在旋涂过程中扩散到光刻胶表面形成EBL层，防止光刻胶成分的浸出。

防光致产酸剂浸出的光刻胶材料仍主要采用聚甲基丙烯酸酯体系，并且基本以选用各种含氟代烷基的聚合物来达到特殊的工艺要求，但其中很多聚合物仍在实验研究阶段，还有待进一步商品化。早期沉浸式材料研究中，科学家较多使用氟代烷基，其中六氟叔丁醇基团（hexafluoroalcohol，HFA）在沉浸式光刻材料中备受青睐。

许多用于157nm光刻系统的含氟光刻胶在沉浸式ArF光刻系统中也有良好的应用。含氟的FPR及FUGU平台早期应用于157nmF2光刻胶，通过与EAdMA、GBLMA、HAdMA等物质聚合，在193nm也会有良好的光敏性。将具有羟基保护基团的FUGU聚合物和传统的193nmArF光刻胶共混，就可以直接应用于沉浸式工艺中而无需使用顶部涂层。

三氟甲基磺酰胺基团（ifluoromethylsulfonamide，TFSM）也应用于193nm沉浸式ArF光刻胶的研究中。含TFSM基团的光刻胶具有更好的碱溶性和抗刻蚀能力，在45nm工艺中均能得到好的等幅线宽（line/space）、沟槽（trench）及接触孔（contacthole），是目前最好的沉浸式光刻胶之一。

另外一种开发沉浸式ArF光刻胶的思路是加入猝灭剂，限制光致产酸剂的浸出。陶氏化学公司就研究在光刻胶中加入一种光基猝灭剂来限制光致产酸剂的扩散。另外陶氏化学公司也在尝试将光致产酸剂置入块状树脂，从而限制光致产酸剂的扩散。

（3）EUV光刻胶（任重道远）

随着沉浸式ArF光刻技术进一步开发，双重图形（DoublePatterning）/多重图形（Multi-Patterning）曝光技术将工艺节点延伸至10nm以下。但是7nm节点的沉浸式ArF光刻技术工艺复杂程度急剧提高，晶圆工厂迫切需要新一代EUV光刻技术。

全球EUV光刻技术的研发始于20世纪80年代，经过近40年的发展，EUV技术从原理到零部件再到原材料等已经足够成熟。2019年5月，台积电官方宣布量产7nmN7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术。2020年2月20日，三星宣布其首条基于极紫外光刻（EUV）技术的半导体生产线V1开始大规模量产。2020年3月，三星宣布开始出货10nmEUV级DRAM产品，并且开始投建5nmEUV生产线。台积电也宣布其5nm制程即将在2020年第二季度量产。

随着线宽的不断减小，EUV光刻胶必面临RLS（分辨率、边缘粗糙度、灵敏度）的挑战，即在光刻胶的分辨率、边缘粗糙度（LER）和光敏性3者之间只能实现2个参数的最优化，随着线宽的不断减小，LER对图形的影响越来越大。

减小LER可以从以下4方面入手：一是增加碱性添加剂；二是在树脂上通过化学键连接光致产酸剂（PAG）；三是分子玻璃光刻胶；四是基于金属氧化物的光刻胶。上述的4个方法中，增加碱性添加剂主要是为了控制酸的扩散，但是增加碱性添加剂后需要更大的曝光能量，也就是损失了光刻胶的光敏性。将PAG键合到树脂上，可以实现对酸扩散的精确控制，但是大部分的研究只是将阳离子固定在树脂上，曝光后生成的酸是游离的，这样并没有太大的作用，而将阴离子固定在树脂上，制备过程比较困难。第3种和第4种方案，也就是分子玻璃光刻胶的研究与金属氧化物光刻胶是比较有前景的EUV光刻胶技术。

分子玻璃光刻胶是一种具有较高玻璃态转变温度的小分子有机化合物，集聚合物与小分子的优点于一身。常见的分子玻璃类化合物包括支化型，四面体型，树枝状型、杯芳烃、富勒烯、多元酚和聚噻吩等。从分子结构来看，分子玻璃光刻胶与OLED材料具备诸多的相似之处。

金属氧化物光刻胶为另一条具备使用潜力的技术路线，其龙头和先驱者为美国Inpria。Inpria诞生于2007年，总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯市，由俄勒冈州立大学无机化学家DouglasA.Keszler和前Intel光刻部门副总监AndrewGrenville所创办，先后获得了包括三星创投、JSR、IntelCapital、SK海力士、台积电、法液空、东京应化等半导体及材料龙头厂商的投资。

金属氧化物光刻胶使用金属离子及有机配体构建其主体结构，有机配体中包含光敏基团，借助光敏基团的感光及其引发的后续反应实现光刻胶所需的性能。从化学组成来看，金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物，与包括high-k前驱体在内的各类金属前驱体材料具备一定的相通性。

EUV光刻技术由日本NNT和美国贝尔实验室的研究小组在20世纪80年代提出，时至今日历史近40年，EUV光刻胶的研发可以追溯至1994年，在2000年之后逐步成熟：2002年，东芝开发出分辨率达到22nm的低分子EUV光刻胶。东京应化（TOK）与信越化学都参与到了SEMATECH的EUV光刻胶的开发工作，其中JSR在2011年与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶。JSR和IMEC在2016年成立了EUV光刻胶制造合资企业-EUV抗蚀剂制造和鉴定中心（EUVRMQC）。2017年三星创投、JSR、IntelCapital等公司投资了EUV光刻胶先驱Inpria。Inpria生产了一种包含氧化锡的EUV光刻胶，这种光刻胶具有良好的灵敏度，将EUV的吸收效率提升了4倍，并且可以实现更简单的制造流程和更大的工艺窗口。

泛林集团在2020年2月发布了与阿斯麦(ASML)和比利时微电子研究中心(IMEC)共同研发的全新干膜光刻胶技术，这一方案具有显著的EUV光敏性和分辨率优势，优化了单次EUV光刻晶圆的总成本。干膜光刻胶是没有溶剂的固态胶，因而在应用过程中省掉了匀胶、烘焙固化等步骤，工艺简单。此外，干膜光刻胶可以多层叠加，可制作厚度为几百微米的微结构。干膜光刻胶有很多优点：与衬底黏附性良好，薄厚均匀，不会出现边缘凸起，曝光后线条清晰且具有良好的高深比。

从专利数量来看，2000年之后EUV光刻胶的专利申请量快速增长，并在2010年之后迎来井喷式爆发，2013年以后专利申请量逐步减少，一方面由于技术发展逐步成熟，另一方面源于统计误差（较新的专利可能未公布）。从专利申请量来看，富士胶片、信越化学、住友化学3家日本龙头公司合计申请了行业80%以上的专利。

欧美厂商领导了前期光刻胶产品的研发，日本厂商在光刻胶研发方面起步较晚。东京应化（TOK）在1968年研发出首个环化橡胶系光刻胶产品MOR-81，1972年开发出日本首个重氮醌类光刻胶OFPR-2，1980s才进入到g线/i线光刻胶业务。而JSR（日本合成橡胶公司于1979年才进入半导体材料业务，始销售首个光刻胶产品CIR。信越化学也在1998年实现了光刻胶产品的商业化。

上个世纪80年代，作为在光刻胶领域的巨头IBM仍然在KrF光刻胶的开发中遥遥领先，日本企业直至1995年才实现了KrF光刻胶的商业化，落后IBM十余年时间。但IBM虽然率先突破了KrF光刻胶，但在市场开拓方面却进展缓慢；而日本东京应化在1995年商业化KrF光刻胶后便迅速占领市场，日本厂商也一跃成为行业第一梯队。

当前，日本光刻胶企业在全球光刻胶市场中可谓占据绝对的支配地位，全品类半导体光刻胶市场中，东京应化、JSR、住友化学、信越化学、富士胶片等厂商合计占据了70%的市场份额。EUV光刻胶市场目前还不具备足够的透明度，仅次于EUV光刻胶的ArF光刻胶，日本厂商的市场份额合计达到了93%，可以说全球的高端半导体光刻胶绝大部分依赖日本供应。

日本何以在表面上技术落后的情况下实现后发制人，一举反超坐稳行业头把交椅？我们认为其占据了上世纪90年代半导体工业发展的天时、地利与人和。

技术必须与市场相匹配，才能够发扬光大。从Intel和TSMC的工艺节点可以看出，1980sIBM突破KrF光刻时，半导体工艺节点还主要集中在微米级的工艺，这一级别的工艺，i线光刻完全可以胜任，采用成本更高的KrF光刻实无必要，半导体工业也不太可能从微米级工艺瞬间跳跃至0.25μm工艺节点。因此，IBM的KrF光刻胶可以说是生不逢时的早产儿。

如果仅仅是生不逢时，等到半导体工业发展到1990s年代逐步过渡到KrF光刻时，IBM应当仍能迅速放量占领市场。但实际上在IBM技术领先10余年的情况下，笑到最后的却是日本厂商，这又与光刻机及半导体产业的全球化分工相关。

众所周知，光刻机与光刻胶需要搭配使用，那么光刻机与光刻胶在新产品开发、产品销售等方面均存在一定协同效应。而1980s恰好是光刻机行业格局剧变的时代。1980s初期，全球光刻机市场的大半壁江山还掌握在美国三巨头Perkin-Elmer、GCA(GeophysicalCorporationofAmerica)、Ultratech手中。1986年半导体市场大滑坡使美国光刻机三巨头遭受重创，新产品研发停滞。以GCA为例，其在1985-1986年的两年时间内亏损1亿美元，从而被迫降薪70%，裁员至1000人。1988年GCA资金严重匮乏被GeneralSignal以7600万美元收购。

日本光刻机企业尼康、佳能同时从1976年开始分别复制美国光刻机龙头Perkin-Elmer、GCA的产品，并在1978-1980年陆续实现销售。两者在步进式光刻机的研发中奋起直追，分别在1982、1984年实现了步进式光刻机的销售。由于性能优异（主要因为光源强度高，使其每小时晶圆加工量具备优势），尼康在步进式光刻机的销量、销售额1984年就追平了GCA并在1985年实现反超。由于在i线光刻技术上的落后，日本厂商集中精力研发下一代KrF光刻机试图弯道超车，并最终在1988年实现了KrF步进式光刻机的销售，此时美国龙头厂商还在1986年大滑坡的重创中无法自拔。

80年代末，美国三巨头几乎完全被尼康、佳能所取代。在KrF光刻机上的领先理所当然的使日本企业的KrF光刻胶具备优势。

全球半导体产业链自诞生至今共发生了3次较大规模的转移，分别是1960-1990s由美国到日本的转移；1980-2000s由美日到韩国、中国台湾地区的转移；以及2010年至今仍在进行的从全球至中国大陆的转移。

实际上从半导体产业链的第二次转移开始，日本的半导体产业就已经呈现持续流出的态势。与此同时，日本光刻机产业辉煌，只持续了10余年时间。2000年，荷兰ASML推出了TWINSCAN平台，显著提升了光刻机的晶圆处理效率，并于2001年在台积电实现首次装机，同年ASML实现了对SVGL的收购。2002年，ASML超越尼康坐上了光刻机市场的头把交椅。

2002年台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了沉浸式ArF光刻方案，随后ASML在一年的时间内就开发出了样机，并在2003年获得了IBM和TSMC的订单。而尼康仍然致力于157nm光刻机的研发，直至Intel宣布从路线图中剔除157nm光刻，才重新对157nm光刻进行评估，错过了沉浸式ArF光刻的先机。尼康直至2005年才实现了沉浸式ArF光刻机的销售，而此时高端光刻机市场基本已被ASML占领，至2009年，ASML在光刻机市场中的份额已经达到近70%，而日本光刻机产业在经历仅仅10余年的辉煌后最终走向了衰败。

日本半导体工业在先后失去了晶圆制造、光刻机两座引擎后，按照此前的经验，包括光刻胶在内的上游半导体材料也将逐步从日本向外转移，日本光刻胶行业的辉煌也将就此结束，然而事实并非如此：日本光刻胶在上世纪90年代崛起后，时至今日仍然稳居行业头把交椅，且以90%以上的市占率垄断着全球的高端光刻胶市场。我们认为这与以IDM模式向Fabless-Foundry模式转变为代表的，半导体产业链的全球化分工趋势相关。

从上世纪90年代有统计数据以来，以台积电为代表的Foundry销售增速就持续高于行业总量以及以Intel为代表的IDM厂商。全球化的分工也意味着先进制程的开发不再是一家厂商的努力，而是包括Foundry、光刻机以及半导体材料厂商在内，全球半导体产业链的通力合作。半导体产业链全球化分工的趋势下，晶圆制造、设备等领域已经出现大幅流出的日本，得以保留包括光刻胶在内的上游半导体材料产业，时至今日仍然占据全球绝对龙头的位置。

我国光刻胶的研究始于20世纪70年代，最初阶段与国际水平相差无几，几乎和日本同时起步，但由于种种原因，差距愈来愈大。目前我国在这一领域基本上无技术优势可言，与国际先进水平相比有较大的差距。在产品上大约相差3代以上。此外由于光刻胶与电子工业有特殊的关系，而电子产品又与军事有密切的关系，从而导致在先进领域很难和国外进行交流，进一步影响了光刻胶研究。

根据我国电子工业“十五”发展战略，到21世纪电子工业将成为我国的支柱产业之一。

自2006年，我国成为PCB的最大生产国和最大使用国，PCB行业发展带动我国PCB光刻胶行业发展。自2002年起，台湾长兴化学、日立化成、日本旭化成、美国杜邦等越来越多的外资在我国建厂，同时容大感光、广信材料、东方材料、北京力拓达等内资工厂已经崛起。随着微电子行业的日益成熟，光刻胶及其配套试剂在中国市场上呈快速增长的态势，是极其有生命力的产品，具有良好的市场前景。

近年来的中美贸易摩擦、日韩贸易摩擦及新冠肺炎疫情使半导体产业链的全球化分工遭遇了前所未有的挑战。

行业对供应链安全性的关注度大幅提升，这一方面有利于我国包括光刻胶在内的半导体材料厂商在国内晶圆厂的放量验证，另一方面中国大陆以外的顶尖晶圆厂出于供应链安全的角度也会给予新兴材料厂商验证机会，培育位于不同国家的二供或三供；半导体及上游材料、设备国产化的大趋势下，光刻胶作为技术门槛最高的半导体材料，获得技术、政策上的支持也是合乎逻辑的。

国内的光刻胶公司：

（1）南大光电

成立于2000年，是专业从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售的高新技术企业。2020年12月，南大光电自主研发的ArF光刻胶产品成功通过武汉新芯的使用认证，成为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，打破了我国高档光刻胶受制于人的局面。

（2）徐州博康

徐州博康成立于2010年，专注于光刻胶原材料到成品的自主研发及生产，实现了从光刻胶单体、光刻胶专用树脂、光酸剂及终产品光刻胶的国产化自主可控供应链，是国家02重大专项之“先进光刻胶产品开发与产业化”项目中课题“ArF光刻胶单体产品的开发与产业化”承担单位。

截至2023年3月末，徐州博康及其子公司拥有发明专利60多项，其光刻胶单体已经是日韩知名光刻胶成品公司稳定供应商，研发、生产的光刻胶产品主要包括：ArF光刻胶26款，涵盖65nm、55nm、40nm、28nm及以下的关键层工艺以及LOGIC、3DNAND、DRAM等应用领域；KrF光刻胶30款，涵盖55nm、40nm、28nm及以下的关键层工艺以及集成电路、分立器件、传感器等应用领域；Iline光刻胶15款，涵盖高能注入、抗刻蚀等关键层工艺以及PAD、Lift-off等应用领域。

目前徐州博康光刻胶产品已经实现向部分国内射频芯片IDM厂商及科研院所量产供货，有多款高端光刻胶产品获得国内12寸晶圆厂的相关订单。

（3）彤程新材

彤程新材成立于2008年，电子化学品业务主要涵盖半导体光刻胶及配套试剂、显示面板光刻胶和电子级酚醛树脂。

2020年，彤程新材通过外延并购实现光刻胶业务布局，其子公司北京科华和北旭电子分别为国内半导体光刻胶和面板光刻胶领先企业。其中，北京科华是唯一被SEMI列入全球光刻胶八强的中国光刻胶公司，其研发进度国内领先，KrF光刻胶实现量产。北旭电子是国内首家TFT光刻胶制造商，国内市场整体占有率近20％。

(4）上海新阳

上海新阳成立于1997年，二十年来，上海新阳经过持续不断地研发创新，形成了拥有完整自主可控知识产权的电子电镀和电子清洗两大核心技术。

紧密围绕两大核心技术，上海新阳开发研制出140多种电子电镀与电子清洗系列功能性化学材料，产品广泛应用于集成电路制造、3D-IC先进封装、IC传统封测等领域，满足芯片铜制程90-28nm工艺技术要求，相关产品已成为多家集成电路制造公司28nm技术节点的基准材料，成为中国半导体功能性化学材料和应用技术与服务的知名品牌。

此外，上海新阳已立项研发集成电路制造用高分辨率193nmArF光刻胶及配套材料与应用技术。目前，KrF光刻胶产品已取得订单，ArF干法光刻胶尚在认证当中，合肥第二生产基地项目正在按计划建设当中。

（5）晶瑞电材

晶瑞电材成立于2001年并于2011年收购苏州瑞红部分股份，是一家集研发、生产和销售于一体的微电子新材料公司，2018年，晶瑞电材I线光刻胶量产，产能达100吨/年，主要产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料等，广泛应用于半导体、面板显示、LED等泛半导体领域及锂电池、太阳能光伏等新能源行业。

（6）容大感光

成立于1996年，是一家专业生产高端感光化学材料的国家级高新技术企业，光刻胶产品主要包括紫外线正胶、紫外线负胶两大类产品以及稀释剂、显影液、剥离液等配套化学品，主要应用于平板显示、发光二极管及集成电路等领域。

2021年9月27日，容大感光发布公告称，拟在珠海经济技术开发区投资6亿元建设感光干膜、平板显示光刻胶、半导体光刻胶产品等项目。

（7）艾森半导体

从事电子化学品的研发、生产和销售业务。发行人围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及封装过程中的关键工艺环节，形成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块布局，产品广泛应用于集成电路、新型电子元件及显示面板等行业。

主要提供g/i线光刻胶产品，覆盖晶圆制造、先进封装及显示面板等应用领域，依托自身配方设计、工艺制备及应用技术等核心技术，发行人能够为客户提供关键工艺环节的整体解决方案（Turnkey），满足客户对电子化学品的特定功能性要求。

公司下游客户主要集中在集成电路封装和新型电子元件制造领域，涵盖了长电科技、通富微电、华天科技、日月新等国内集成电路封测头部厂商以及国巨电子、华新科等国际知名电子元件厂商。

当我们回望光刻胶乃至整个半导体行业的发展之路，无不感叹这个行业分工之细、涉足之广，说他是全人类智慧的结晶一点不为过，当初苏联人闭关锁国时走的电子管之路被证明不过是昙花一现般的孤芳自赏。

光刻胶、光刻机乃至工业EDA是民族崛起、工业自强的必经之路，天下从来没有免费的午餐，国与国之间有且只有利益的交换与牺牲，大国为了追求绝对的安全，不惜把另一个大国置于绝对的不安全之中。

时至今日，不论是中美关系还是全球各国之间的紧张局势，已经告诉我们，逆全球化事件、贸易壁垒、甚至是军事对抗阵营的产生已经是不可避免的了。有且只有在关键材料、关键产业上形成可控自主的优势，才是能够在未来的对抗中立于不败之地。

简介

华扬资本成立于2006年，是一家深度赋能型的投资公司。